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채널 복호기의 동작과 결합한 플래시 메모리 읽기 방법 및 그 장치

  • 기술번호 : KST2021004840
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 채널 복호기의 동작과 결합한 플래시 메모리 읽기 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플래시 메모리 읽기 방법은 경판정 읽기 기준 전압을 이용한 플래시 메모리의 센싱을 통해 경판정 값(Hard Decision)을 생성하는 단계; 상기 생성된 경판정 값에 대한 경판정 복호기의 동작을 통해 메모리 데이터 비트들 각각에 대한 신뢰도를 계산하는 단계; 상기 계산된 신뢰도에 기초하여 재-읽기 동작을 수행하기 위한 데이터 비트들을 선택하는 단계; 및 상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 경판정 값의 재-읽기 동작을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL G11C 16/26 (2006.01.01) G11C 16/08 (2006.01.01) H03M 13/37 (2006.01.01)
CPC G11C 16/26(2013.01) G11C 16/08(2013.01) H03M 13/3738(2013.01)
출원번호/일자 1020200076226 (2020.06.23)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-2247164-0000 (2021.04.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20210503) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.06.23)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하정석 대전광역시 유성구
2 한석주 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2020.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0643580-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2021-0072638-62
4 등록결정서
Decision to grant		 2021.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2021-0309856-22
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번호 청구항
1 1
경판정 읽기 기준 전압을 이용한 플래시 메모리의 센싱을 통해 경판정 값(Hard Decision)을 생성하는 단계;상기 생성된 경판정 값에 대한 경판정 복호기의 동작을 통해 메모리 데이터 비트들 각각에 대한 신뢰도를 계산하는 단계;상기 계산된 신뢰도에 기초하여 재-읽기 동작을 수행하기 위한 데이터 비트들을 선택하는 단계; 및상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 경판정 값의 재-읽기 동작을 수행하는 단계를 포함하는 플래시 메모리 읽기 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 재-읽기 동작을 수행하는 단계는상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 상기 경판정 읽기 기준 전압을 이용하여 경판정 값을 갱신하는 단계; 및상기 갱신된 경판정 값에 대한 상기 경판정 복호기의 재복호를 통해 상기 재-읽기 동작을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 경판정 값을 갱신하는 단계는랜덤 텔레그래프 잡음(Random Telegraph Noise, RTN)의 무작위적 특성을 이용하여 상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 경판정 값을 갱신하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 신뢰도를 계산하는 단계는기울기 강하 비트 반전 알고리즘(Gradient Descent Bit-Flipping Algorithm)을 이용하여 상기 메모리 데이터 비트들 각각에 대한 신뢰도를 계산하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 재-읽기 동작을 수행하기 위한 데이터 비트들을 선택하는 단계는상기 기울기 강하 비트 반전 알고리즘에서 출력되는 반전 함수 값이 미리 정해진 기준 값보다 작은 데이터 비트들을 상기 재-읽기 동작을 수행하기 위한 데이터 비트들로 선택하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 방법
6 6
경판정 읽기 기준 전압을 이용한 플래시 메모리의 센싱을 통해 경판정 값(Hard Decision)을 생성하는 생성부;상기 생성된 경판정 값에 대한 경판정 복호기의 동작을 통해 메모리 데이터 비트들 각각에 대한 신뢰도를 계산하는 계산부;상기 계산된 신뢰도에 기초하여 재-읽기 동작을 수행하기 위한 데이터 비트들을 선택하는 선택부; 및상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 경판정 값의 재-읽기 동작을 수행하는 읽기부를 포함하는 플래시 메모리 읽기 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 읽기부는상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 상기 경판정 읽기 기준 전압을 이용하여 경판정 값을 갱신하고, 상기 갱신된 경판정 값에 대한 상기 경판정 복호기의 재복호를 통해 상기 재-읽기 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 읽기부는랜덤 텔레그래프 잡음(Random Telegraph Noise, RTN)의 무작위적 특성을 이용하여 상기 선택된 데이터 비트들에 대하여, 경판정 값을 갱신하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 장치
9 9
제6항에 있어서,상기 계산부는기울기 강하 비트 반전 알고리즘(Gradient Descent Bit-Flipping Algorithm)을 이용하여 상기 메모리 데이터 비트들 각각에 대한 신뢰도를 계산하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 장치
10 10
제9항에 있어서,상기 선택부는상기 기울기 강하 비트 반전 알고리즘에서 출력되는 반전 함수 값이 미리 정해진 기준 값보다 작은 데이터 비트들을 상기 재-읽기 동작을 수행하기 위한 데이터 비트들로 선택하는 것을 특징으로 하는 플래시 메모리 읽기 장치
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 차세대 반도체 메모리 저장장치를 위한 기계학습 기반의 적응형 신호처리 및 오류정정 기술(2019)