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플렉서블 기판 상의 은(Ag)-코팅된 산화아연(ZnO) 나노로드(nanorod); 및 광원(light source);을 포함하며, 120 내지 130 ℃의 작동 온도에서 작동되는 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드에 코팅된 은(Ag)은, 10 내지 20 nm의 평균 직경을 갖는 은 나노입자인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 1 항에 있어서,상기 산화아연 나노로드의 평균 직경은 20 nm 내지 40 nm이고, 평균 길이는 500 nm 내지 700 nm인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리이미드(PI), 폴리디메틸실록산(PDMS) 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN)인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 1 항에 있어서,상기 광원은 가시광선 또는 자외선인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 1 항에 있어서,상기 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서는 3 내지 1000 ppm의 아세틸렌을 검출할 수 있는 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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삭제
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제 1 항에 있어서,상기 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 응답 시간 및 회복 시간은 각각 60 초 내지 70 초인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 1 항에 있어서,상기 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서는 최대 90°의 굽힘 각도 및 104 회의 굽힘-이완 사이클을 갖는 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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제 5 항에 있어서,상기 가시광선은 발광 다이오드(LED)로부터 조사되는 것인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서
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플렉서블 기판 상에 은(Ag)-코팅된 산화아연(ZnO) 나노로드(nanorod)를 포함하는 플렉서블 아세틸렌 가스센서에 광을 조사하는 단계를 포함하며, 120 내지 130 ℃의 작동 온도에서 작동되는 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 작동 방법
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제 11 항에 있어서,상기 광은 가시광선 또는 자외선인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 작동 방법
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제 12 항에 있어서,상기 가시광선은 1 내지 10 mWcm-2 세기인 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 작동 방법
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삭제
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제 11 항에 있어서,광을 조사함으로써 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 전력 소비를 낮추는 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 작동 방법
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제 12 항에 있어서,상기 가시광선은 발광 다이오드(LED)로부터 조사되는 저전력형 플렉서블 아세틸렌 가스센서의 작동 방법
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