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억셉터물질로서, 하기 화학식 1의 구조를 가지는 유기 반도체 화합물: [화학식 1](단, 상기 [화학식 1]에서,R1 및 R2는, 각각 탄소수가 2 내지 24 사이인 직쇄형 또는 분지쇄형 포화 탄소사슬 중 하나이고;R3 내지 R6는, 각각 -H기 또는 -CH3기이고;X 및 Y는, 각각 o-다이플루오로기, m-다이플루오로기, 및 p-다이플루오로기로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 한다
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제1항에 있어서,상기 R3 내지 R6는 -H기이고,상기 X 및 Y는, 모두 m-플루오로기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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제6항에 있어서,상기 R1 및 R2는 2-에틸헥실기인 것을 특징으로 하는 유기 반도체 화합물
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기판, 게이트전극, 소스전극, 드레인전극, 절연층, 및 유기박막층을 포함하는 유기 광트랜지스터로서,상기 유기박막층은 도너물질 및 억셉터물질을 포함하고,상기 억셉터물질은 하기 화학식 1의 구조를 가지는, 유기 광트랜지스터: [화학식 1](단, 상기 [화학식 1]에서,R1 및 R2는, 각각 탄소수가 2 내지 24 사이인 직쇄형 또는 분지쇄형 포화 탄소사슬 중 하나이고;R3 내지 R6는, 각각 -H기 또는 -CH3기이고;X 및 Y는, 각각 o-다이플루오로기, m-다이플루오로기, 및 p-다이플루오로기로 이루어진 군에서 선택된 하나인 것을 특징으로 한다
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제8항에 있어서,상기 R3 내지 R6는 -H기이고,상기 X 및 Y는, 모두 m-플루오로기인 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 R1 및 R2는 2-에틸헥실기인 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
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제8항 또는 제11항에 있어서,상기 도너물질은 폴리(3-헥실티오펜)[poly(3-hexylthiophene), P3HT], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌)[poly(9,9-dioctyl fluorene), F8], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-알트-바이싸이오펜)[poly(9,9-dioctylfluorene-alt-bithiophene),F8T2], 폴리(9
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제12항에 있어서,도너물질과 억셉터물질의 질량비는 10 대 1 내지 5 대 5 사이인 것을 특징으로 하는 유기 광트랜지스터
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제12항에 있어서,도너물질과 억셉터물질의 몰비는 1 대 0
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