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실리콘 기판에 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물을 형성하는 제1 단계;상기 실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 산화막을 형성하는 제2 단계;상기 열산화 공정을 통해 생성된 산화막에 미세 구멍을 패터닝하는 제3 단계;상기 미세 구멍을 통해 상기 실리콘 기판의 공동에 대응하는 함몰 영역을 산화막 하부에 형성하는 제4 단계; 및상기 미세 구멍을 포함하는 산화막 및 상기 실리콘 나노와이어 상에 실리콘 질화막을 증착하여 다이어프램을 형성하는 제5 단계를 포함하고,상기 제1 단계는,상기 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 제a 단계;상기 실리콘 산화막에 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물 패턴을 형상화하는 제b 단계; 및상기 실리콘 기판에서 상기 실리콘 산화막과 오버랩되지 않은 영역을 실리콘 건식 식각 공정을 통해 식각하여 상기 실리콘 나노와이어 및 상기 센서 구조물의 두께를 결정하는 제c 단계를 포함하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서상기 제b 단계는, 노광(Photolithography) 공정을 통해 상기 실리콘 산화막 상에 감광제를 패터닝하고, 상기 패터닝된 감광제에 따라 이산화 규소 건식 식각 공정을 통해 상기 실리콘 나노와이어 패턴 및 상기 센서 구조물 패턴을 형상화하는 것을 포함하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서상기 열산화 공정을 통해 상기 실리콘 나노와이어 및 상기 센서 구조물의 폭이 결정되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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실리콘 기판에 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물을 형성하는 제1 단계;상기 실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 산화막을 형성하는 제2 단계;상기 열산화 공정을 통해 생성된 산화막에 미세 구멍을 패터닝하는 제3 단계;상기 미세 구멍을 통해 상기 실리콘 기판의 공동에 대응하는 함몰 영역을 산화막 하부에 형성하는 제4 단계; 및상기 미세 구멍을 포함하는 산화막 및 상기 실리콘 나노와이어 상에 실리콘 질화막을 증착하여 다이어프램을 형성하는 제5 단계를 포함하고,상기 제3 단계는,상기 산화막 상에 미세 구멍 패턴을 포함하는 감광제를 형성하는 단계; 및이산화 규소 건식 식각 공정을 통해 상기 산화막에 미세 구멍을 패터닝하고, 감광제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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실리콘 기판에 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물을 형성하는 제1 단계;상기 실리콘 기판에 열산화 공정을 통해 산화막을 형성하는 제2 단계;상기 열산화 공정을 통해 생성된 산화막에 미세 구멍을 패터닝하는 제3 단계;상기 미세 구멍을 통해 상기 실리콘 기판의 공동에 대응하는 함몰 영역을 산화막 하부에 형성하는 제4 단계; 및상기 미세 구멍을 포함하는 산화막 및 상기 실리콘 나노와이어 상에 실리콘 질화막을 증착하여 다이어프램을 형성하는 제5 단계를 포함하고,상기 제4 단계는, 상기 미세 구멍 하부에 위치한 실리콘을 건식 식각하여 상기 미세 구멍을 수직 방향으로 확장하는 단계; 및 습식 식각 공정을 통해 상기 산화막, 상기 실리콘 나노와이어 및 센서 구조물을 부유시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 습식 식각 공정에는, 비등방성 식각 특성을 가지는 알칼리계 수용액으로서 수산화칼륨(KOH), 테트라메틸암모늄하이드록사이드(Tetra-methyl-ammonium-hydroxide; TMAH) 또는 에틸렌다이민피로카테콜(ethylene diamine pyrocatechol, EDP)이 활용되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제5 단계는, 상기 실리콘 질화막은 화학 기상 증착 공정을 통해 형성되며, 상기 화학 기상 증착 공정이 진행됨에 따라 상기 미세 구멍은 실리콘 질화막의 증착에 의해 막히게 되고, 상기 함몰 영역으로의 실리콘 질화막의 침투가 차단되는 나노와이어 기반 압저항 방식의 압력 센서의 제조 방법
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