요약 | 본 발명은 압력 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 나노와이어를 이용하여 향상된 감도를 가지는 압력 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 압력 센서 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 나노와이어를 압저항 물질로 사용하고 외부의 압력에 대해 가장 큰 변형이 발생하는 위치에 상기 압저항 물질이 배치하여 압력에 대한 감도를 증가시킨 압력 센서 및 그 제조 방법에 관한 것이다. |
---|---|
Int. CL | G01L 9/00 (2006.01.01) H01L 29/84 (2006.01.01) G01L 1/18 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020080133461 (2008.12.24) |
출원인 | 서울대학교산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1079855-0000 (2011.10.28) |
공개번호/일자 | 10-2010-0074909 (2010.07.02) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20111103) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.12.24) |
심사청구항수 | 18 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 전국진 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 |
2 | 김현철 | 대한민국 | 울산광역시 남구 |
3 | 김종혁 | 대한민국 | 경상북도 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인지명 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 남부순환로**** 차우빌딩*층 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 서울대학교산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0888627-78 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.11.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.12.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0067601-01 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0536929-45 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0013546-83 |
6 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.07.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0419754-20 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 (a) 기판의 제1면 및 제2면에 산화막 및 질화막을 순차적으로 형성하는 단계; (b) 상기 제2면의 질화막 및 산화막을 선택적으로 제거하여 상기 기판의 제2면을 노출시키는 윈도우를 형성하는 단계; (c) 상기 제1면의 질화막 및 산화막을 패터닝하여 압력 센서 영역을 정의하는 산화막 패턴 및 질화막 패턴의 적층 구조를 형성하는 단계; (d) 상기 적층 구조에 의해 노출된 상기 제1면의 기판을 식각하여 홈을 형성하는 단계; (e) 상기 압력 센서 영역 내의 상기 질화막 패턴 및 산화막 패턴을 선택적으로 제거하는 단계; (f) 상기 (e) 단계에서 상기 질화막 패턴 및 산화막 패턴을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 기판의 상부에 금속 패드를 형성하는 단계; (g) 상기 홈의 상부 측벽에 보호층 패턴을 형성하는 단계; (h) 상기 보호층 패턴을 식각 마스크로 상기 홈의 저부를 식각하여 상기 홈의 하부 측벽을 형성하는 단계; (i) 상기 윈도우를 통해 노출된 기판의 제2면을 식각하는 단계 (j) 상기 홈의 하부 측벽을 식각하여 나노 와이어를 형성하는 단계; (k) 상기 보호층 패턴을 제거하는 단계; 및 (l) 상기 적층 구조를 제거하여 상기 나노 와이어를 포함하는 압력 센서를 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 기판은 n형 고저항 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는 건식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 적층 구조는 제1 사각 패턴; 상기 제1 사각 패턴의 4개의 측면과 일정 간격 이격되어 구비되는 4개의 제2 사각 패턴; 상기 제1 사각 패턴의 4개의 측면과 상기 4개의 제2 사각 패턴을 각각 연결하는 4개의 나노와이어 패턴; 및 상기 4개의 제2 사각 패턴과 일정 거리 이격되어 상기 4개의 제2 사각 패턴을 둘러쌓는 외각부 패턴 을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
5 |
5 제4항에 있어서, 상기 (d) 단계는 상기 제1 사각 패턴과 제2 사각 패턴 사이의 기판 및 상기 4개의 제2 사각 패턴과 상기 외각부 패턴 사이의 기판을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
6 |
6 제4항에 있어서, 상기 (e) 단계는 상기 제2 사각 패턴을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
7 |
7 제6항에 있어서, 상기 (f) 단계는 (f-1) 상기 기판의 제1면에 금속층을 형성하는 단계; 및 (f-2) 상기 금속층을 습식 식각하여 상기 제2 사각 패턴을 선택적으로 제거하여 노출된 상기 기판 상부에 상기 금속 패드를 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
9 |
9 제1항에 있어서, 상기 (g) 단계는 (g-1) 상기 기판의 제1면에 보호층을 형성하는 단계; 및 (g-2) 상기 홈 저부의 보호층을 제거하여 상기 홈의 상부 측벽에 상기 보호층 패턴을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법 |
10 |
10 제9항에 있어서, 상기 보호층은 TEOS층을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 와이어 제조 방법 |
11 |
11 제1항에 있어서, 상기 (j) 단계는 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
12 |
12 제1항에 있어서, 상기 (k) 단계는 HF를 이용한 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
13 |
13 제1항에 있어서, 상기 (a) 단계를 수행하기 전에 상기 기판의 제1면에 보론을 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
14 |
14 제1항에 있어서, 상기 (k) 단계를 수행한 후에 상기 나노 와이어의 측벽 및 하부면을 식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
15 |
15 제4항에 있어서, 상기 (j) 단계는 상기 제1 사각 패턴 및 상기 4개의 제2 사각 패턴 하부의 기판에는 언더컷이 형성되고 상기 나노 와이어 패턴 하부의 나노 와이어 하부의 기판은 제거되도록 상기 홈의 하부 측벽을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 제조 방법 |
16 |
16 제2면에 그루브를 구비한 기판의 제1면에 구비되는 제1 기판 영역; 상기 제1 기판 영역의 4개의 측면과 일정 간격 이격되어 구비되는 4개의 제2 기판 영역; 상기 제1 기판 영역의 4개의 측면과 상기 4개의 제2 기판 영역을 각각 연결하며, 상기 기판으로부터 릴리스된 4개의 나노와이어; 및 상기 4개의 제2 기판 영역 상부에 각각 구비된 금속 패드를 포함하되, 상기 제1 기판 영역과 4개의 제2 기판 영역 하부에 언더컷이 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 압력 센서 |
17 |
17 제16항에 있어서, 상기 금속 패드는 알루미늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 |
18 |
18 제16항에 있어서, 상기 기판은 n형 고저항 실리콘 기판을 포함하는 것을 특징으로 하는 압력 센서 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
---|
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 삼성전자 | 차세대 신기술개발사업 | MEMS RF switch 개발 |
특허 등록번호 | 10-1079855-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20081224 출원 번호 : 1020080133461 공고 연월일 : 20111103 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110728 청구범위의 항수 : 18 유별 : G01L 9/00 발명의 명칭 : 압력 센서 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 373,500 원 | 2011년 10월 28일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 436,000 원 | 2014년 10월 17일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2015년 09월 30일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2016년 02월 17일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 548,800 원 | 2017년 09월 25일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2018년 10월 02일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 392,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 633,450 원 | 2020년 11월 18일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.24 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0888627-78 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.11.09 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2009.12.08 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0067601-01 |
4 | 의견제출통지서 | 2010.11.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0536929-45 |
5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.01.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0013546-83 |
6 | 등록결정서 | 2011.07.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0419754-20 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5195109-43 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.01.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-5007213-54 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.03.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5033829-92 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5062924-01 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5093546-10 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.05.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5101798-31 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5154561-59 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5265458-48 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1345071105 |
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세부과제번호 | 과06A1604 |
연구과제명 | 정보기술사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 서울대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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