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화학식 AMX4으로 표시되며,상기 A는 Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중 적어도 하나, 상기 M은 Sc, Y, Al, Gd 및 Lu 중 적어도 하나,상기 X는 O, F, Cl, Br 및 I 중 적어도 하나로 선택되는조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물은 250~400 nm 파장 범위의 여기원에 의해 여기되어 380~500 nm 범위 내에서 발광 피크 파장을 가지는조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물은 330~400 nm 파장 범위의 여기원에 의해 여기되어 400~450 nm 범위 내에서 발광 피크 파장을 가지는조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물의 형광 스펙트럼의 반치폭은 30 nm 미만인조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물의 형광 스펙트럼의 반치폭은 실질적으로 25 nm에 가까운 조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물은 공간군 Cmcm의 사방정계(orthorhombic) 구조를 가지고 상기 조성물의 X-선 회절 패턴에서 제1강도 피크 및 상기 제1 강도 피크 보다 낮은 제2 강도 피크는 회절각(2θ)이 20 ≤ 2θ ≤ 30 인 범위에 위치하는 조성물
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제6 항에 있어서,상기 조성물의 X-선 회절 패턴에서 상기 제1강도 피크는 회절각(2θ)이 26
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8
제6 항에 있어서,상기 조성물의 X-선 회절 패턴에서 상기 제1 강도 피크는 회절각(2θ)이 26
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제1 항에 있어서,상기 조성물은 화학식 (A1-xBx)(M1-yNy)X4 또는 (A1-2xBx)(M1-yNy)X4 로 표시되며,상기 A는 Rb,상기 B는 Li, Na, K, Cs, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중 적어도 하나, 상기 M은 Sc, 상기 N은 Y, Al, Gd 및 Lu 중 적어도 하나,상기 X는 O, F, Cl, Br 및 I 중 적어도 하나로 선택되며상기 x는 0
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제9 항에 있어서,상기 B는 Cs이고,상기 조성물은 250~400 nm 파장 범위의 여기원에 의해 여기되어 450~500 nm 범위 내에서 발광 피크 파장을 가지는조성물
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제9 항에 있어서,상기 X는 F 및 W를 포함하고, 상기 W는 O, Cl, Br 및 I 중 적어도 하나로 선택되는조성물
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제11 항에 있어서,상기 W는 O이고, 상기 조성물은 250~400 nm 파장 범위의 여기원에 의해 여기되어 380~500 nm 및 450~500 nm 범위 내에서 발광 피크 파장을 가지는조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물의 양자 효율은 80% 이상인조성물
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제1 항에 있어서,상기 조성물은 제1 온도에서 제1 발광 강도를 가지고, 제2 온도에서 제2 발광 강도를 가지며,상기 제2 온도는 100℃ 이하이고, 상기 제2 온도가 상기 제1 온도 보다 50℃ 이상 클 때, 상기 제2 발광 광도는 상기 제1 발광 강도의 80% 이상인조성물
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Li, Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, 및 Ba 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 할로겐 화물 및 Sc, Y, Al, Gd 및 Lu 중에서 선택된 1종 이상의 원소의 할로겐화물을 혼합하는 단계 -여기서 할로겐화물의 할로겐 원소는 F, Cl, Br 및 I 중 적어도 하나로 선택됨-;상기 혼합물을 500 내지 600℃에서 4시간 내지 6시간 동안 열처리하는 단계; 상기 열처리한 혼합물을 환원 분위기에서 600 내지 700℃에서 5시간 내지 7시간 동안 소결하는 단계; 및상기 소결된 결과물을 분쇄하는 단계; 를 포함하는조성물의 제조 방법
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