| 1 |
1
타겟 가스를 흡탈착하는 감응 물질; 상기 감응 물질을 둘러싸는 상부 전극;상기 상부 전극과 대향하는 하부 전극; 및 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극 사이에 배치되는 다공성 구조체를 포함하되, 상기 감응 물질이 상기 타겟 가스를 흡탈착함에 따라, 커패시턴스(capacitance)가 변화되는 것을 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 타겟 가스의 종류에 따라, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 인가되는 전압의 주파수(Frequency)가 다르게 제어되는 것을 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 타겟 가스는, 메탄올(methanol) 가스, 톨루엔(toluene) 가스, 및 아세톤(acetone) 가스 중 어느 하나를 포함하되, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 인가되는 전압의 주파수에 따라, 상기 메탄올(methanol) 가스, 톨루엔(toluene) 가스, 및 아세톤(acetone) 가스 중 어느 하나가 선택적으로 센싱되는 것을 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 인가되는 전압의 주파수가 10 KHz 이상 1 MHz 이하인 경우, 상기 메탄올(methanol) 가스를 센싱하는 정전용량형 가스센서
|
| 5 |
5
제3 항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 인가되는 전압의 주파수가 800 Hz 초과 3000 Hz 미만인 경우, 상기 톨루엔(toluene) 가스를 센싱하는 정전용량형 가스센서
|
| 6 |
6
제3 항에 있어서, 상기 상부 전극 및 상기 하부 전극에 인가되는 전압의 주파수가 300 Hz 초과 800 Hz 미만인 경우, 상기 아세톤(actone) 가스를 센싱하는 정전용량형 가스센서
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서,상기 다공성 구조체는, 양극산화 알루미늄(anodic aluminum oxide, AAO), 실리콘 산화물(SiO2), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 중 어느 하나를 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서,상기 감응 물질은, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브(CNT), 비정질 탄소(amorphous carbon), 활성 탄소(active carbon), 및 바이오차르(biochar) 중 어느 하나를 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서,상기 감응 물질은, 카르복실기(-COOH) 및 수산화기(-OH)를 포함하는 기능기를 포함하고, 상기 기능기에 의해, 상기 타겟 가스가 흡탈착되는 정전용량형 가스센서
|
| 10 |
10
제1 항에 있어서, 상기 상부 전극은 중앙부에 중공이 형성된 링(ring) 형상을 갖고, 상기 하부 전극은 원판(circle plate) 형상을 갖는 것을 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서, 상기 상부 전극의 중앙부에 형성된 상기 중공 내에 상기 감응 물질이 배치되는 것을 포함하는 정전용량형 가스센서
|
| 12 |
12
다공성 구조체를 준비하는 단계; 상기 다공성 구조체의 상부면에, 상기 다공성 구조체의 상부면의 일 영역이 노출되도록, 상부 전극을 형성하는 단계; 상기 다공성 구조체의 하부면에, 하부 전극을 형성하는 단계; 및 상기 다공성 구조체의 상부면의 노출된 영역에, 감응 물질을 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계를 포함하는 정전용량형 가스센서의 제조 방법
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서, 상기 감응 물질을 포함하는 소스 용액을 제공하는 단계는, 상기 감응 물질이 용매와 혼합된 상기 소스 용액을 준비하는 단계; 및상기 다공성 구조체가 열처리되는 동안, 상기 다공성 구조체의 상부면의 노출된 영역에 상기 소스 용액을 제공하는 단계를 포함하는 정전용량형 가스센서의 제조 방법
|
