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유연성 고분자 기판을 산 처리하는 단계; 및상기 유연성 고분자 기판 상에 레이저를 조사하여 전도성 회로 패턴부를 형성하는 단계를 포함하는 연성회로기판의 제조 방법에 있어서,상기 레이저는 적외선 영역대의 파장을 가지는 것이고,상기 전도성 회로 패턴부는 상기 유연성 고분자 기판의 일부가 탄화되어 형성되는 것인,연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 유연성 고분자가 광열효과(Photothermal Effect)에 의해 탄화되어 유리질 탄소를 형성하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산 처리는 염산, 불화수소산, 질산, 황산, 인산, 불산, 붕산, 황산, 초산 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 수행되는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산 처리로 인해 상기 유연성 고분자 기판의 일부 분자 결합이 끊어지는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산 처리로 인해 상기 유연성 고분자 기판의 점성이 증가되는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 산 처리로 인해 상기 유연성 고분자 기판이 손상됨에 따라 상기 전도성 회로 패턴부가 형성되는 비표면적이 증가하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연성 고분자는 방향족 탄화 수소를 포함하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 유연성 고분자는 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리노르보넨, 폴리아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르설폰, 폴리스타일렌, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리틸렌테레프탈레이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리디메틸실록산, 폴리페닐설파이드, 폴리에테르에테르케톤, 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 것을 포함하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저의 에너지 밀도에 따라 상기 유연성 고분자 기판 상에 형성되는 상기 전도성 회로 패턴부의 깊이가 조절되는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 레이저를 이동시키며 조사하여 상기 전도성 회로 패턴부를 형성하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 탄화된 전도성 회로 패턴부는 면저항이 감소하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 레이저의 조사 시간에 따라 상기 면저항이 조절되는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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13
제 1 항에 있어서,상기 산 처리 단계 전에 상기 유연성 고분자 기판을 염기성 용액으로 사전 처리하는 단계를 추가 포함하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 염기성 용액은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화 리튬, 나트륨 알코올레이트, 칼륨 알코올레이트, 수산화 테트라메틸암모늄, 수산화 테트라에틸 암모늄, 수산화 테트라부틸 암모늄 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 연성회로기판의 제조 방법
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제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 제조된, 연성회로기판
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제 15 항에 따른 연성회로기판을 포함하는, 전자 소자
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제 16 항에 있어서,상기 전자 소자는 온도에 따라 상이한 저항값을 가지는 것인, 전자 소자
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