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기판;상기 기판의 적어도 일측에 이격되어 구비되는 코어쉘 형태로 구비된 자성 나노입자;상기 자성 나노입자의 일측에 연결되는 금 나노입자;상기 기판과 상기 금 나노입자를 연결하는 제1 링커;상기 금 나노입자와 리간드를 연결하는 제2 링커; 및상기 제2 링커에 의하여 상기 금 나노입자와 연결되는 상기 리간드를 포함하고,상기 금 나노입자는 제2 링커를 통하여 리간드와 연결되어 나노 어셈블리를 형성하고,상기 자성 나노입자는 상기 나노 어셈블리와 결합하여 나노새틀라이트 구조체를 형성하고,상기 나노 어셈블리는 하나 이상의 금 나노입자, 상기 하나 이상의 금 나노입자 중 적어도 하나와 연결되는 하나 이상의 제2 링커 및 상기 제2 링커와 연결되는 리간드를 포함하고,상기 나노 어셈블리는 하나 이상 포함되는,대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 자성 입자는 산화철로 이루어진 코어와, 상기 코어의 외면을 감싸도록 구비되고 실리카를 포함하는 쉘로 이루어지는,대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 금 나노입자의 직경은 제1 평균직경, 제2 평균직경 및 제3 평균직경 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제1 평균직경은 3
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제1항에 있어서,상기 나노 어셈블리는 복수개가 서로 이웃하게 구비되고,서로 이웃하게 구비되는 상기 나노 어셈블리에서 각각의 금 나노입자 사이의 간격은 제1 간격, 제2 간격 및 제3 간격 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제1 간격은 2nm 내지 4nm이고, 상기 제2 간격은 15nm 내지 20nm이고, 상기 제3 간격은 18nm 내지 22nm인대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 나노 어셈블리는 상기 자성 나노입자의 외면을 전체적으로 감싸도록 구비되는,줄기세포 부착 및 분화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 자성 나노입자의 평균직경은 150nm 내지 250nm이고,상기 자성 나노입자는 표면에 아미노기(-NH2), 티올기(-SH)를 포함하는,대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 제1 링커 및 제2 링커는 화학식 1의 구조를 가지는, 대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 리간드는 고리형 RGD 리간드인,대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 나노새틀라이트 구조체에서 상기 기판과 대면하는 면은 상기 제1 링커를 사이에 두고 이격되고,상기 제1 링커는 탄성을 가지고 자기장의 인가에 의하여 길이가 가역적으로 변화하는,대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 나노새틀라이트 구조체는 상기 기판의 일측에 이격되어 구비되고,상기 기판의 타측에서 자기장을 인가하여 상기 제1 링커를 압축시키고,상기 나노새틀라이트 구조체가 상기 기판을 향하는 방향으로 이동하여 대식세포의 부착 및 M2 분극화를 촉진하는,대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 나노새틀라이트 구조체는 상기 기판의 일측에 이격되어 구비되고,상기 기판의 일측인 상기 나노새틀라이트 구조체의 상부에서 자기장을 인가하여 상기 제1 링커를 신장시키고,상기 나노새틀라이트 구조체가 상기 기판에서 멀어지는 방향으로 이동하여 대식세포의 부착을 억제하고 M1 분극화를 촉진하는, 대식세포 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체
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제1항에 있어서,상기 기판에 구비된 상기 나노새틀라이트 구조체의 밀도는 1
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산화철의 표면을 아미노기 및 티올기 중 적어도 하나를 가지는 실리카로 코팅하여 자성 나노입자를 형성하고,상기 자성 나노입자 표면에 금 나노입자를 구비시키고,상기 금 나노입자가 구비된 상기 자성 나노입자를 폴리머 링커를 포함하는 용액에 넣고 분산시켜 제1링커 및 제2링커를 형성하고,상기 제1링커를 아민기가 형성되어 있는 기판과 반응시켜, 상기 기판에 형성된 아민기 중 적어도 일부와 상기 제1링커가 결합하여 상기 금 나노입자가 구비된 자성 나노입자가 상기 기판에 결합되고,상기 기판에서 상기 제1링커와 결합하지 않은 아민기를 불활성화기로 처리하여 불활성화시키고,상기 제2링커에 리간드를 결합시켜 형성되는,대식세포의 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 금 나노입자의 직경은 제1 평균직경, 제2 평균직경 및 제3 평균직경 중 어느 하나이고,상기 금 나노입자의 제1 평균직경은 3
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제14항에 있어서,상기 금을 포함하는 용액은 소듐 시트레이트를 포함하는 제1 용액 및 염화 금산을 포함하는 제2 용액을 포함하고,상기 금 나노입자의 크기는 상기 제1 용액 및 제2 용액은 순차적으로 첨가되고,상기 제1 용액 및 제2 용액의 첨가횟수를 조절하여 상기 금 나노입자의 평균직경을 조절하는,대식세포의 부착 및 분극화 조절을 위한 나노새틀라이트-기판 복합체의 제조방법
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 나노새틀라이트-기판 복합체에 자기장을 인가하여 대식세포의 부착 및 분극화를 조절하는,나노새틀라이트-기판 복합체를 이용한 대식세포의 부착 및 분극화 조절방법
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제16항에 있어서,상기 자기장은 체외에서 인가되어 체내에 있는 상기 나노새틀라이트-기판 복합체를 원격으로 제어하는,나노새틀라이트-기판 복합체를 이용한 대식세포의 부착 및 분극화 조절방법
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제16항에 있어서,상기 자기장은 100mT 내지 500mT인,나노새틀라이트-기판 복합체를 이용한 대식세포의 부착 및 분극화 조절방법
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제16항에 있어서,상기 나노새틀라이트 구조체는 상기 기판의 일측에 이격되어 구비되고,상기 나노새틀라이트 구조체에서 상기 나노 어셈블리는 복수개가 서로 이웃하여 구비되고상기 금 나노입자의 평균직경은 3
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제16항에 있어서,상기 나노새틀라이트 구조체는 상기 기판의 일측에 이격되어 구비되고,상기 나노새틀라이트 구조체에서 상기 나노 어셈블리는 복수개가 서로 이웃하여 구비되고,상기 금 나노입자의 평균직경은 12nm 내지 14nm이고,서로 이웃하게 구비되는 상기 나노 어셈블리에서 각각의 금 나노입자 사이의 간격은 15nm 내지 20nm이고,상기 기판의 타측에서 상기 자기장을 인가하여 상기 제1 링커를 압축시키고,상기 나노새틀라이트 구조체가 상기 기판을 향하는 방향으로 이동하여 상기 대식세포의 부착 및 M2 분극화를 촉진시키는나노새틀라이트-기판 복합체를 이용한 대식세포의 부착 및 분극화 조절방법
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