| 1 |
1
피가공 소재를 가공하여 다수의 나노니들이 배열된 나노니들 어레이를 제조하는 나노니들 어레이 제조방법에 있어서,(a) 상기 피가공 소재의 일면 상에, 마이크로 입자를 도포하여 마스크층을 형성하는 단계;(b) 상기 마스크층이 형성된 상기 피가공 소재의 일면에서부터 소정의 깊이까지 건식식각하여, 소정의 높이를 가지는 상기 나노니들을 1차 성형하는 단계; (c) 성형된 상기 나노니들 상의 상기 마이크로 입자를 선택적으로 건식식각하여, 상기 마이크로 입자를 안정화하는 단계; 및(d) 성형된 상기 나노니들을 건식식각하여, 상기 나노니들을 2차 성형하는 단계;를 포함하는 나노니들 어레이 제조방법
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서,상기 피가공 소재는,고분자 소재, 무기 소재, 및 금속 소재로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 나노니들 어레이 제조방법
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계의 상기 피가공 소재는,상기 일면 상에, 실란계 화합물 또는 아민계 화합물로 이루어진 표면개질층이 형성된 것인 나노니들 어레이 제조방법
|
| 4 |
4
청구항 1에 있어서,상기 (a) 단계의 상기 피가공 소재의 일면은, 산소 플라즈마 처리된 것인 나노니들 어레이 제조방법
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서,상기 마이크로 입자는,실리콘 계열 입자, 및 고분자 계열 입자로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상인 나노니들 어레이 제조방법
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서,상기 마이크로 입자는,표면에 카르복실기 또는 아민기가 도입된 것인 나노니들 어레이 제조방법
|
| 7 |
7
청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계 사이, 및 상기 (c) 단계와 상기 (d) 단계 사이 중 적어도 어느 하나 이상의 사이에,소정의 휴지기 동안 상기 피가공 소재를 방치하여, 상기 피가공 소재의 내부 열을 발산시키는 단계;를 더 포함하는 나노니들 어레이 제조방법
|
| 8 |
8
청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계 이후에,(e) 성형된 상기 나노니들 상의 상기 마이크로 입자를 선택적으로 건식식각하여, 상기 마이크로 입자를 추가 안정화하는 단계; 및(f) 성형된 상기 나노니들을 건식식각하여, 상기 나노니들을 추가 성형하는 단계;를 더 포함하고,상기 (e) 단계, 및 상기 (f) 단계는 적어도 n(n은 1 이상의 자연수)회 이상 순차적으로 반복되는 나노니들 어레이 제조방법
|
| 9 |
9
청구항 8에 있어서,상기 (d) 단계와 상기 (e) 단계 사이, 및 상기 (e) 단계와 상기 (f) 단계 사이 중 적어도 어느 하나 이상의 사이에,소정의 휴지기 동안 상기 피가공 소재를 방치하여, 상기 피가공 소재의 내부 열을 추가 발산시키는 단계;를 더 포함하는 나노니들 어레이 제조방법
|
| 10 |
10
청구항 1에 있어서,상기 건식식각은,RF(radio frequency) 플라즈마, DC(direct current) 플라즈마, 전자공명 플라즈마(ECR), 유도결합 플라즈마(ICP), 트랜스포머결합 플라즈마(TCP) 및 자기장으로 강화된 플라즈마(MRIE)에서 선택된 1종의 건식식각 시스템에서 실행되는 나노니들 어레이 제조방법
|
