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듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자

  • 기술번호 : KST2023003180
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자에 따르면, 소스 전극; 상기 소스 전극과 이격되어 구비된 드레인 전극; 상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 구비되는 채널; 상기 채널의 일측에 구비되는 전해질; 상기 전해질에 구비되는 복수개의 게이트 전극;을 포함하고, 각각의 게이트 전극은, 서로 다른 이동도를 갖는 이온 공급이 가능한 전극인 것을 특징으로 한다.
Int. CL H10N 70/00 (2023.01.01) G06N 3/063 (2023.01.01)
CPC H10N 70/8416(2013.01) H10N 70/24(2013.01) H10N 70/253(2013.01) G06N 3/063(2013.01)
출원번호/일자 1020220009003 (2022.01.21)
출원인 경북대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2023-0112865 (2023.07.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2022.01.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경북대학교 산학협력단 대한민국 대구광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 우지용 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 유광철 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층 (양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
3 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
4 권성현 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** 혜산빌딩 *층(시공특허법률사무소)
5 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2022.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2022-0078606-61
2 특허고객번호 정보변경(경정)신고서·정정신고서
2022.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2022-5299287-47
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2023.02.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 전극;상기 소스 전극과 이격되어 구비된 드레인 전극;상기 소스 전극과 드레인 전극 사이에 구비되는 채널;상기 채널의 일측에 구비되는 전해질;상기 전해질에 구비되는 복수개의 게이트 전극;을 포함하고, 각각의 게이트 전극은, 서로 다른 이동도를 갖는 이온 공급이 가능한 전극인 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 각각의 게이트 전극은, 상기 채널의 길이방향을 따라 순차적으로 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 각각의 게이트 전극은, 상기 전해질의 내부와 외부 중 어느 한 곳에 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 전해질은, 상기 채널의 타측에 또 다른 전해질이 더 구비되고, 상기 전해질과 또 다른 전해질에는, 하나 이상의 게이트 전극이 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 전해질은, 상기 채널의 길이보다 더 길게 형성되고, 상기 각각의 게이트 전극은, 상기 채널로부터 이격되며 상기 전해질의 측면에 분포되어 독립적으로 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 채널은, 일측면이 내부로 내입된 내입홈이 하나 이상 형성되고,상기 전해질은, 상기 내입홈의 내측면에 적층되어 내부에 구비홈이 형성되고, 상기 각각의 게이트 전극은, 상기 구비홈에 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 각각의 게이트 전극은, 상기 전해질과 접촉되는 접촉면적이 서로 다른 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 각각의 게이트 전극에는, 각각 전압이 인가됨에 따라, 상기 이온의 이동도에 의해 소스 전극과 드레인 전극 사이의 전류가 조절될 수 있는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
9 9
제1항에 있어서, 상기 각각의 게이트 전극은, 일체로 이루어지고, 일체로 이루어진 게이트 전극이 다수개가 구비되되, 연속되거나 이격되어 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 복수개의 게이트 전극은, 상기 전해질의 서로 다른 측면에 접촉되게 각각 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
11 11
제10항에 있어서,상기 복수개의 게이트 전극 중 어느 하나 게이트 전극은, 전류의 방향으로 전해질의 상측면에 구비되고, 다른 하나 게이트 전극은 상기 전류의 방향과 수직한 수직방향으로 상기 어느 하나 게이트 전극 상부에 위치하며 양단이 상기 전해질의 외측면에 구비되는 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
12 12
제9항 또는 11항에 있어서, 각각의 게이트 전극 사이에 절연층이 형성된 것을 특징으로 하는 듀얼 이온 제어형 3단자 시냅스 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 경북대학교 차세대지능형반도체기술개발(R&D) 웨이퍼 레벨 양이온 제어형 3단자 뉴로모픽 시냅스 소재 및 소자 개발