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기판;상기 기판 상에 상호 이격되어 마련되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 기판 상에서 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 전기적으로 연결되도록 마련되는 채널 영역;상기 채널 영역 상에 마련되는 이온 전달층;상기 이온 전달층 상에 마련되는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고,상기 게이트 전극은 모바일 이온을 포함하는 산화물 계열, 모바일 이온을 포함하는 칼코지나이드 계열 및 모바일 이온을 포함하는 질화물 계열 중 적어도 하나로 제공되고,상기 게이트 전극은:상기 이온 전달층 상에 적층되는 제2 게이트 전극; 및상기 제2 게이트 전극 상에 적층되는 제1 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 게이트 전극에 포함된 모바일 이온의 질량비는 상기 제2 게이트 전극에 포함된 모바일 이온의 질량비보다 높게 구성되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 모바일 이온은 구리 이온이고, 상기 게이트 전극에서 구리 이온이 차지하는 질량비는 84
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제1항에 있어서,상기 이온 전달층은 20 나노미터를 초과하고 30 나노미터 미만의 두께를 갖도록 구성되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자
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삭제
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제1항에 있어서,상기 게이트 전극은:상기 제1 게이트 전극 상에 적층되는 제3 게이트 전극을 더 포함하고,상기 제3 게이트 전극에 포함된 모바일 이온의 질량비는 상기 제1 게이트 전극에 포함된 모바일 전극의 질량비보다 높게 구성되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자
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기판;상기 기판 상에 상호 이격되어 마련되는 소스 전극과 드레인 전극;상기 기판 상에서 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이에 전기적으로 연결되도록 마련되는 채널 영역;상기 채널 영역 상에 마련되는 이온 전달층;상기 이온 전달층 상에 마련되는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극에 게이트 전압을 인가하는 전압 인가부를 포함하고,상기 게이트 전극은 모바일 이온을 포함하는 산화물 계열, 모바일 이온을 포함하는 칼코지나이드 계열 및 모바일 이온을 포함하는 질화물 계열 중 적어도 하나로 제공되고,상기 이온 전달층은:상기 게이트 전극의 저면에 제공되는 제1 이온 전달층; 및상기 게이트 전극에 둘러쌓이도록 제공되는 제2 이온 전달층을 포함하는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 이온 전달층과 상기 게이트 전극 사이에 배리어층이 제공되고,상기 배리어층은 Ti, Ta, TiW 또는 TiN을 포함하도록 구성되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자
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기판 상에 채널 영역, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 채널 영역 상에 이온 전달층을 형성하는 단계;상기 이온 전달층 상에 게이트 전압을 인가하기 위한 게이트 전극을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극에 상기 게이트 전압을 인가하기 위한 전압 인가부를 형성하는 단계를 포함하고,상기 게이트 전극은 모바일 이온을 포함하는 산화물 계열, 모바일 이온을 포함하는 칼코지나이드 계열 및 모바일 이온을 포함하는 질화물 계열 중 적어도 하나로 제공되고,상기 게이트 전극은:상기 이온 전달층 상에 적층되는 제2 게이트 전극; 및상기 제2 게이트 전극 상에 적층되는 제1 게이트 전극을 포함하고,상기 제1 게이트 전극에 포함된 모바일 이온의 질량비는 상기 제2 게이트 전극에 포함된 모바일 이온의 질량비보다 높게 구성되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자 제조방법
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제8항에 있어서,상기 모바일 이온은 구리 이온이고,상기 이온 전달층을 형성하는 단계는 아르곤에 대한 산소의 질량비가 1/29 초과, 5/25 미만인 조건에서 수행되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 이온 전달층을 형성하는 단계는 4 밀리토르 초과, 6밀리토르 미만의 압력 하에서 수행되는, 3단자 뉴로모픽 시냅스 소자 제조방법
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