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하기 화학식 1로 표시되는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 평탄제:[화학식 1]여기서, 상기 D1과 D2는 각각 C2와 C1의 알킬기이고, R1은 수산기이며, R2는 3개의 메틸기가 질소 원자와 결합하여 전기적으로 양성을 띠는 4차 암모늄염이 요오드화 이온과 이온결합한 것이다
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탈이온수, 구리이온 화합물, 지지전해질 및 할로겐 이온으로 이루어진 기본 전해질; 및 하기 화학식 2로 표시되는 평탄제, 가속제 및 억제제로 이루어진 첨가제;를 포함하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 구리 전해도금 용액:[화학식 2]
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제2항에 있어서,상기 평탄제의 농도는 10 ~ 100 μM인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 구리 전해도금 용액
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제2항에 있어서,상기 가속제는 비스(3-설포프로필)디설파이드(bis(3-sulfopropyl)disulfide), 3-메르캅토프로판설포닉 애시드(3-mercaptopropanesulfonic acid) 및 3-N,N-디메틸아미노디티오카르바모일-1-프로판설포네이트(3-N,N-dimethylaminodithiocarbamoyl-1-propanesulfonate)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 구리 전해도금 용액
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제2항에 있어서,상기 가속제의 농도는 5 ~ 100 μM인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 구리 전해도금 용액
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제2항에 있어서,상기 억제제는 폴리에틸렌글리콜(polyethylene glycol), 폴리프로필렌글리콜(polypropylene glycol), 폴리옥시에틸렌글리콜(polyoxyethylene glycol), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine) 및 이들의 공중합체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 구리 전해도금 용액
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제2항에 있어서,상기 억제제의 농도는 10 ~ 200 μM인 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링용 구리 전해도금 용액
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실리콘 관통 비아가 형성된 기판을 전처리하는 단계; 및상기 전처리된 실리콘 관통 비아가 형성된 기판을 구리 전해도금 용액에 침지시킨 후 기판에 전류 또는 전압을 인가하여 실리콘 관통 비아를 필링하는 단계;를 포함하고,상기 구리 전해도금 용액은 탈이온수, 구리이온 화합물, 지지전해질 및 할로겐 이온으로 이루어진 기본 전해질; 및 하기 화학식 2로 표시되는 평탄제, 가속제 및 억제제로 이루어진 첨가제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링방법:[화학식 2]
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제8항에 있어서,상기 전처리는 메탄올, 에탄올 및 이소프로필알콜로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 용액에 침지시켜 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링방법
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제8항에 있어서,상기 전류는 1 ~ 15 mA/㎠로 인가되는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링방법
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제8항에 있어서,상기 전류는 1 ~ 15 mA/㎠로 인가하여 상기 실리콘 관통 비아의 1/5 깊이를 필링한 후 16 ~ 50 mA/㎠로 인가하여 상기 실리콘 관통 비아의 나머지 깊이를 필링하는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링방법
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제8항에 있어서,상기 전압은 은에 염화은이 코팅된 Ag/AgCl을 기준전극으로 하여 -50 ~ -300 mV로 인가되는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링방법
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제8항에 있어서,상기 전압은 은에 염화은이 코팅된 Ag/AgCl을 기준전극으로 하여 -50 ~ -300 mV로 인가하여 상기 실리콘 관통 비아의 1/5 깊이를 필링한 후 -301 ~ -500 mV로 인가하여 상기 실리콘 관통 비아의 나머지 깊이를 필링하는 것을 특징으로 하는 실리콘 관통 비아의 무결함 필링방법
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