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기상 화합물을 흡착 분해하는 세라믹 촉매 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014018465
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고품질 박막 증착을 위한 화학적 기판처리 방법 및 이를 이용한 박막형 열전소재의 형성 방법에 관한 것으로, 기판을 수산화칼륨(KOH) 용액에 함침시키고 표면 처리하는 본 발명의 기판 전처리 방법에 따르면, 절연성 기판 또는 전극용 금속막이 증착된 기판상에 물성이 우수한 고품위 박막을 성장시킬 수 있어 박막형 열전모듈을 비롯한, 금속막 위에 양질의 반도체 박막 형성을 필요로 하는 전자 소자 부품 등을 제조하는 데 유리하게 이용될 수 있다. 수산화칼륨, 열전소재, 열전반도체, 금속 전극, 기판처리, 박막
Int. CL B05D 1/18 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/2011(2013.01) H01L 21/2011(2013.01) H01L 21/2011(2013.01)
출원번호/일자 1020070050002 (2007.05.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0883332-0000 (2009.02.05)
공개번호/일자 10-2008-0103126 (2008.11.27) 문서열기
공고번호/일자 (20090211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진상 대한민국 서울 서초구
2 윤석진 대한민국 서울 도봉구
3 정대용 대한민국 서울 종로구
4 김현재 대한민국 서울 강남구
5 김정훈 대한민국 충북 청주시 상당구
6 권성도 대한민국 서울 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
3 양영준 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
4 김성완 대한민국 서울특별시 중구 정동길 **-**, **층 (정동, 정동빌딩)(김.장 법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0376743-12
2 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2008.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0105410-70
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.09 수리 (Accepted) 9-1-2008-0026664-26
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0400241-94
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0647079-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0647072-08
8 등록결정서
Decision to grant
2009.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0041734-59
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
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a) 기판을 수산화칼륨 용액에 함침시켜 표면 처리하는 단계, 및 b) 단계 a)에서 표면 처리된 기판 위에 열전소재 박막을 증착시키는 단계를 포함하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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제8항에 있어서, 기판이 절연성 기판인 것을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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제8항에 있어서, 기판이 절연성 기판상에 전극용 금속 박막을 증착시킨 형태의 기판인 것을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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제9항 또는 제10항에 있어서, 절연성 기판이 사파이어 기판, 실리콘 기판, 갈륨비소 기판, 석영 기판 및 유리 기판으로 이루어진 군 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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제10항에 있어서, 전극용 금속 박막의 최상층의 재질이 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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제8항에 있어서, 열전소재가 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법:화학식 1(Bi1-xSbx)2Te3상기 식에서, 0≤x≤1이다
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제8항에 있어서, 수산화칼륨 용액의 농도가 0
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제8항에 있어서, 수산화칼륨 용액의 용매가 물 및 알코올 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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제8항에 있어서, 박막 증착 공정을 분자선 에피텍시(molecular beam epitaxy), 유기금속 화학기상 증착법(MOCVD) 및 스퍼터링(sputtering) 중에서 선택된 증착 방법에 의해 수행하는 것을 특징으로 하는, 박막형 열전소재의 제조 방법
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