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물리적 합성 방식을 이용한 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015122819
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예들은 도핑된 산화아연계 나노선 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 도핑된 산화아연계 나노선은, 도펀트에 의해 도핑된 산화아연을 포함하는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 타겟 물질을 기판상에 증착시키는 단계에 의해 제조될 수 있다. 도핑된 나노선 제조 방법은, 챔버 내에 기판 및 도펀트에 의해 도핑된 타겟 물질을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 나노선, 갈륨, 도핑, 산화아연, 온벽, 펄스 레이저, 증착
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01) C01G 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020090050419 (2009.06.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0131695 (2010.12.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.06.08)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상렬 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0344701-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0132659-93
4 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.08.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0494102-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
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번호 청구항
1 1
도펀트에 의해 도핑된 산화아연을 포함하는 타겟 물질에 레이저를 조사하여 기화시키는 단계; 및 기화된 상기 타겟 물질을 기판상에 증착시키는 단계에 의하여 제조되며, 상기 도펀트는, 갈륨, 알루미늄, 붕소, 비소, 인, 금, 안티몬, 리튬, 질소, 구리, 실리콘, 텅스텐 및 니오븀으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑된 산화아연계 나노선
2 2
챔버 내에 기판 및 도펀트에 의해 도핑된 타겟 물질을 서로 인접하여 위치시키는 단계; 상기 챔버를 가열하는 단계; 및 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하여, 상기 기판상에 상기 타겟 물질로 이루어진 나노선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑된 나노선 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 타겟 물질은 상기 도펀트 및 산화아연을 포함하여 이루어지며, 상기 도펀트는, 갈륨, 알루미늄, 붕소, 비소, 인, 금, 안티몬, 리튬, 질소, 구리, 실리콘, 텅스텐 및 니오븀으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 도핑된 나노선 제조 방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 나노선을 형성하는 단계는 상기 타겟 물질에 펄스 레이저를 조사하는 단계를 포함하되, 상기 펄스 레이저의 주파수는 1 내지 20 Hz 인 것을 특징으로 하는 도핑된 나노선 제조 방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 타겟 물질의 가열 온도는 500 내지 1400℃ 이며, 상기 나노선을 형성하는 단계는 상기 타겟 물질을 회전시키면서 상기 타겟 물질에 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도핑된 나노선 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.