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유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014027835
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법은, 기판 위에 상이한 감도 파장 대역을 갖는 태양전지층이 적층된 적층형 태양전의 제조방법에 있어서, n-i-p구조 또는 p-i-n구조의 박막 실리콘태양전지층을 형성하는 단계; 상기 박막 실리콘태양전지 위에 유기 태양전지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 실리콘태양전지를 형성하는 단계에서, p형 층을 형성하는 방법이 N2O를 주입하여 p형의 비정질 수소화 SiOx박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, N2O가스를 사용하여 증착한 비정질 SiOx막을 포함하는 실리콘 태양전지를 유기 태양전지의 앞에 위치시킴으로써, 유기 태양전지에 비하여 단파장영역의 빛을 이용하는 무기 태양전지층을 추가하여 태양전지의 변환효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 태양전지, 적층형, 탠덤형, 폴리머 태양전지, 유무기 복합 태양전지
Int. CL H01L 31/075 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01)
출원번호/일자 1020090078324 (2009.08.24)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1018319-0000 (2011.02.22)
공개번호/일자 10-2011-0020618 (2011.03.03) 문서열기
공고번호/일자 (20110304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.24)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 김영국 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 박진주 대한민국 서울특별시 동대문구
4 윤기찬 대한민국 인천광역시 서구
5 박승만 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0517611-82
2 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee		 2009.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0526256-87
3 보정요구서
Request for Amendment		 2009.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0062967-63
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0596451-58
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0662533-86
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.02.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0089630-71
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 상이한 감도 파장 대역을 갖는 태양전지층이 적층된 적층형 태양전의 제조방법에 있어서, n-i-p구조 또는 p-i-n구조의 박막 실리콘태양전지층을 형성하는 단계; 상기 박막 실리콘태양전지 위에 유기 태양전지층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 박막 실리콘태양전지를 형성하는 단계에서, p형 층을 형성하는 방법이 N2O를 주입하여 p형의 비정질 수소화 SiOx박막을 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 유기 태양전지층이 폴리머 태양전지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 p형의 비정질 수소화 SiOx박막을 형성하는 방법이 PECVD방법인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
4 4
청구항 3에 있어서, 상기 PECVD방법으로 상기 p형의 비정질 수소화 SiOx박막을 형성하는 과정에서 사용하는 실리콘 소스물질이 SiH4 또는 Si2H6인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
5 5
청구항 3에 있어서, 상기 PECVD방법으로 상기 p형의 비정질 수소화 SiOx박막을 형성하는 과정에서 불순물을 도핑하기 위하여 사용하는 가스가 B2H6인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 p형의 비정질 수소화 SiOx박막의 두께가 10~15nm인 것을 특징으로 하는 유무기 복합 적층형 태양전지의 제조방법
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패밀리정보가 없습니다
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1 교육과학기술부 기초기술연구회 2008 NAP program 나노 결정 실리콘 기반 고효율 태양전지 개발