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광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014028863
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광섬유 레이저의 과초점 가공에 의한 일반형 태양전지용 실리콘 기판 앞면과 뒷면 그리고 후면 전극형 태양전지의 앞면 전체 및 뒷면 일부의 제조 방법에 관한 것이며, 더욱 구체적으로 포토리소그래피 방법을 사용하여 국부적 패턴이 형성된 실리콘 기판 뒷면 표면에 나노 다공성 구조를 형성하고 이에 국부적인 p-도핑을 한 뒤 전극 물질을 증착시킨 다음 열 산화 막을 선택적으로 형성하여 광섬유 레이저의 과초점 가공법으로 가공함으로써 뒷면 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다. 태양전지용 실리콘 기판의 앞면의 경우 반사도를 감소시키며, 캐리어의 수명을 향상시킬 수 있고 뒷면의 경우 후면 전계 효과를 주어 개방 전압을 향상시키고, 패시베이션 효과를 높여 광전 변환 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 같은 방법으로 후면 전극형 태양전지의 뒷면 전극 영역을 선택적이며 국부적으로 전극을 형성함으로써 광전 효율 향상을 꾀할 수 있는 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 태양전지, 실리콘 기판, 나노 다공성 구조, 선택적 패턴, 광섬유 레이저, 과초점 가공
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/182(2013.01)H01L 31/182(2013.01)
출원번호/일자 1020090134040 (2009.12.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1073487-0000 (2011.10.07)
공개번호/일자 10-2011-0077452 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자 (20111017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성철 대한민국 성균관대학교 자연과학

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0816312-15
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0160658-48
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0373745-16
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0373746-51
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0567867-63
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 표면에 목적하는 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 질산과 불산을 혼합하여 산성 혼합 용액을 제조한 후, 상기 산성 혼합 용액을 산성 혼합 용액의 1~5배 부피 비의 물과 혼합하여 희석된 산성 혼합 용액을 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 제조한 희석된 산성 혼합 용액에 단계 1에서 표면에 패턴이 형성된 실리콘 기판을 침지시켜 상기 패턴에 나노 다공성 구조를 형성하는 단계(단계 3); 상기 단계 3에서 실리콘 기판 표면에 형성된 나노 다공성 구조에 p-형 도핑 후 소성하여 열 산화 막을 형성하는 단계(단계 4); 상기 단계 4에서 실리콘 기판 표면에 형성된 열 산화 막을 포토리소그래피를 이용하여 국부적인 패턴 홈 영역의 산화 막만 제거하는 단계(단계 5); 상기 단계 5에서 실리콘 기판 표면에 형성된 열 산화 막이 제거되고 도핑된 국부적인 패턴의 나노 다공성 구조를 포함하는 뒷면 전체에 알루미늄 막을 증착시키는 단계(단계 6); 및 상기 단계 6에서 실리콘 기판 표면에 형성된 도핑된 나노 다공성 구조에 알루미늄 막을 형성시킨 후 광섬유 레이저로 과초점 레이저 열처리하는 단계(단계 7)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
2 2
청구 항 1에서, 상기 단계 1에서 실리콘 기판에 목적하는 패턴을 포토리소그래피 방법을 사용하여 국부적으로 혹은 전체적으로 형성하는 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
3 3
청구 항 1에서, 상기 단계 2에서 산성 혼합 용액은 질산과 불산을 1:5 내지 5:1의 부피 비로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
4 4
청구 항 1에서, 상기 실리콘 기판이 단결정질 실리콘 기판, 삼결정질 실리콘 기판 또는 다결정질 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
5 5
청구 항 1에서, 상기 실리콘 기판이 비 가공된 결정질 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
6 6
청구 항 1에서, 상기 단계 3이 25 ℃ 내지 60 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
7 7
청구 항 1에서, 상기 단계 3에서는 실리콘 기판을 희석된 산성 혼합 용액에 0 초과 50분 이하의 시간 동안 침지시키는 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
8 8
청구 항 1에서, 상기 단계 4에서는 실리콘 기판 표면에 형성된 나노 다공성 구조에 붕소 페이스트를 스크린 인쇄하여 p-형 도핑하는 것을 특징으로 하는, 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
9 9
청구 항 1에서, 상기 단계 4에서는 상기 단계 3에서 실리콘 기판 표면에 형성된 나노 다공성 구조에 p-형 도핑 후 900 내지 950 ℃에서 소성하여 열 산화 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
10 10
청구 항 1에서, 상기 단계 6에서 알루미늄 막은 진공 증착 혹은 스퍼터링 방식에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
11 11
청구 항 1에서, 상기 단계 7에서 광섬유 레이저로 과초점 레이저 열처리하는 것은 파장이 1,064 nm인 광섬유 레이저를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 광섬유 레이저를 이용한 태양전지용 실리콘 기판 제조 방법
12 12
청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 제조 방법에 따라 제조된 태양전지용 실리콘 기판
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 과학재단 도약연구지원사업-(구)NRL 차세대 태양전지용 재료 및 공정기술 개발