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태양전지의 선택적 에미터 형성방법 및 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014028985
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지의 선택적 에미터를 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지의 선택적 에미터 형성방법은, 실리콘 기판 상에 고농도 도핑을 실시하는 단계; 상기 기판 상의 전극이 형성될 위치에 도핑 페이스트를 도포하는 단계; 상기 도핑 페이스트가 부분적으로 도포된 기판의 표면을 에치-백하는 단계; 상기 도핑 페이스트를 제거하는 단계; 및 상기 도핑 페이스트를 제거한 기판의 표면을 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 건식 식각방법으로 쉽게 선택적 에미터를 형성할 수 있으면서 건식 시각에 의한 표면데미지를 제거함으로써 효율이 향상된 태양전지의 선택적 에미터 구조를 쉽게 형성할 수 있는 효과가 있다. 태양전지, 에미터, 선택적 에미터, 에치-백, RIE
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020090082943 (2009.09.03)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1080344-0000 (2011.10.31)
공개번호/일자 10-2011-0024799 (2011.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20111104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 정우원 대한민국 경기도 수원시 팔달구
3 양두환 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 경도현 대한민국 경기도 수원시 장안구
5 권태영 대한민국 서울특별시 도봉구
6 김선용 대한민국 경기도 수원시 장안구
7 이용우 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0543171-48
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0032262-58
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0201246-01
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0201245-55
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0503774-37
6 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2011.10.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0781699-17
7 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2011.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0607863-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 기판 상에 고농도 도핑을 실시하는 단계; 상기 기판 상의 전극이 형성될 위치에 도핑페이스트를 도포하는 단계; 상기 도핑페이스트가 부분적으로 도포된 기판의 표면을 에치-백하는 단계; 상기 도핑페이스트를 제거하는 단계; 및 상기 도핑페이스트를 제거한 기판을 질산용액에 침지하여 상기 에치-백하는 단계에서 발생된 표면데미지를 제거하는 질산처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 도핑페이스트를 도포한 뒤에, 상기 도핑페이스트를 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 도핑페이스트를 소성하는 단계가 120~160도씨의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 도핑페이스트를 도포하는 방법이 스크린 프린팅방법으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 기판의 표면을 에치-백하는 단계가 건식 에칭방법에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 건식 에칭방법이 RIE인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 도핑페이스트를 제거하는 방법이 메탄올을 이용하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
8 8
삭제
9 9
실리콘 기판 상에 고농도 도핑을 실시하는 단계; 상기 기판 상의 전극이 형성될 위치에 도핑페이스트를 도포하는 단계; 상기 도핑페이스트가 부분적으로 도포된 기판의 표면을 건식 에칭방법으로 에치-백하는 단계; 상기 도핑페이스트를 메탄올로 제거하는 단계; 및 상기 도핑페이스트를 제거한 기판을 질산용액에 침지하여 상기 에치-백하는 단계에서 발생된 표면데미지를 제거하는 질산처리를 하여 선택적 에미터를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
10 10
청구항 9항에 있어서, 상기 도핑페이스트를 도포한 뒤에, 상기 도핑페이스트를 소성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
11 11
청구항 10항에 있어서, 상기 도핑페이스트를 소성하는 단계가 120~160도씨의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.