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엘이디 측정을 위한 하이브리드 ＭＥＭＳ 프로브카드

  • 기술번호 : KST2014029775
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드에 따르면, 웨이퍼레벨에서 다수의 엘이디 소자에 대한 광학적 특성을 연속적으로 측정 가능하다. 본 발명에서는 전기적 특성을 측정하기 위한 MEMS 프로브카드와 광학적 특성을 측정하기 위한 광전지소자가 형성된 웨이퍼를 결합하는 것에 의해 하이브리드 MEMS 프로브카드를 구현하였다.
Int. CL G01R 1/073 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01R 1/07307(2013.01) G01R 1/07307(2013.01)
출원번호/일자 1020100035759 (2010.04.19)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1109051-0000 (2012.01.17)
공개번호/일자 10-2011-0116382 (2011.10.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.19)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박세근 대한민국 인천광역시 남구
2 김한형 대한민국 인천광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 유완식 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, **층 *T 국제특허법률사무소 (역삼동, 여삼빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0247249-69
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042717-16
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0305150-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0596141-68
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2011-0596136-39
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0022859-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하이브리드 MEMS 프로브카드에 있어서, 엘이디의 광학적 특성 측정을 위한 광전지소자부;엘이디의 전기적 특성 측정을 위한 MEMS 프로브카드부;단일 엘이디에 대한 광학적 특성의 측정을 위해 단일 엘이디 소자를 다른 엘이디 소자로부터 고립시키기 위한 광원고립부; 상기 광전지소자부에 전기적 신호를 입력 또는 출력하기 위한 제1전극부;상기 MEMS 프로브카드부에 전기적 신호를 입력 또는 출력하기 위한 제2전극부; 및상기 MEMS 프로브카드부와 상기 광전지소자부를 결합하기 위한 본딩부;를 포함하되,상기 광전지소자부는,식각 공정에 의해 표면이 비평탄 구조로 형성된 p형실리콘웨이퍼기판;상기 p형실리콘웨이퍼기판 상에 증착에 의해 형성된 n형실리콘층; 상기 n형실리콘층 위에 일정 파장의 빛에 대해 필터 특성을 갖도록 증착된 필름막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 필름막은,엘이디가 레드, 그린, 블루의 색채를 띤 경우, 각각의 색채에 대한 중심 파장을 중심으로 하는 대역통과필터 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
4 4
제1항에 있어서, 상기 필름막은,엘이디가 백색광일 경우에는 가시광만 통과시키는 대역통과필터 특성 또는 백색광의 레드, 그린, 블루의 분광 특성의 측정을 위하여 레드, 그린, 블루 각각의 색채에 대한 중심 파장을 중심으로 하는 대역통과필터 특성을 갖는 것으로 다수가 준비되고, 다수의 준비된 상기 필름막이 각각 별도의 상기 광전지소자부에 증착되는 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
5 5
제1항에 있어서, 상기 광전지소자부는, 광전지소자로부터의 전기적 신호를 증폭하는 증폭회로를 내장하는 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
6 6
제1항에 있어서, 상기 광전지소자부는,다수의 광전지소자가 포함되어 있고, 측정에 사용되는 엘이디소자 하나와 광전지소자 하나가 1대1로 대응되도록 상기 광전지소자가 어레이 형태로 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
7 7
제1항에 있어서, 상기 MEMS 프로브카드부는,식각 공정에 의해 구멍을 형성하는 것에 의해 엘이디소자의 광학적 특성을 측정 시에 엘이디로부터의 빛이 상기 광전지소자부로 도달될 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
8 8
제1항에 있어서, 상기 광원고립부는,3차원 패터닝 공정과 플라즈마홀식각 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
9 9
제1항 또는 제8항에 있어서, 상기 광원고립부는,상기 광원고립부의 내부에 무반사 코팅막을 형성한 것을 특징으로 하는 엘이디 측정을 위한 하이브리드 MEMS 프로브카드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.