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임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015172187
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법에 관한 것으로서, 광섬유를 정렬 및 고정시키는 V자 플랫폼 및 상기 V자 플랫폼과 일직선상으로 연장 형성되는 광 도파로 및 상기 광 도파로와 일직선상으로 연장 형성되는 광자결정 도파로가 동시에 형성된 자외선 임프린트용 금형을 제작하는 제1단계와, 상기 자외선 임프린트용 금형의 V자 플랫폼과 광 도파로에 광섬유를 삽입한 후 상기 광 도파로에 코어를 충진하는 제2단계와, 상기 자외선 임프린트용 금형의 V자 플랫폼과 광 도파로에 하부 클래드를 정합시킨 후 정합된 하부 클래드에 자외선을 노출시켜 상기 코어를 경화시키는 제3단계와, 상기 코어가 경화된 후에 상기 하부 클래드를 분리한 후 상기 자외선 임프린트용 금형의 광 도파로에 상부 클래드를 정합시키는 제4단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명은 임프린트 공정을 이용하여 저비용의 간단한 공정으로 평면광파회로 소자를 제작하여 생산성이 향상되고, V자 홈과 광 도파로 및 광자결정 도파로가 하나의 클래드상에 형성되므로 정렬 오류에 의한 광의 결합손실을 최소화 할 수 있는 장점이 있다. PLC, 임프린트, 도파로, 광자결정, 결합손실, 광접속
Int. CL G02B 6/10 (2011.01)
CPC G02B 6/122(2013.01) G02B 6/122(2013.01) G02B 6/122(2013.01) G02B 6/122(2013.01) G02B 6/122(2013.01)
출원번호/일자 1020080102961 (2008.10.21)
출원인 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0988299-0000 (2010.10.11)
공개번호/일자 10-2010-0043778 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20101018) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.21)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정명영 대한민국 부산광역시 금정구
2 김창석 대한민국 부산광역시 남구
3 오승훈 대한민국 부산광역시 남구
4 류진화 대한민국 울산광역시 남구
5 조상욱 대한민국 경상남도 함양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0729224-42
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0780449-48
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0011741-52
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0297708-77
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.09.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0568581-08
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2010-0568682-11
8 등록결정서
Decision to grant
2010.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0434263-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
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번호 청구항
1 1
회로기판(20)의 하부 클래드(40)상에 임프린트 공정을 이용하여 고분자 평면광파회로 소자를 제작하는 방법에 있어서, 광섬유(10)를 정렬 및 고정시키는 V자 플랫폼(50)과, 상기 V자 플랫폼(50)과 일직선상으로 연장 형성되는 광 도파로(60)와, 상기 광 도파로(60)와 일직선상으로 연장 형성되는 광자결정 도파로(80)가 동시에 형성된 자외선 임프린트용 금형(300)을 제작하는 제1단계; 상기 자외선 임프린트용 금형(300)의 V자 플랫폼(50)과 광 도파로(60)에 광섬유(10)를 삽입한 후, 상기 광 도파로(60)에 코어(62)를 충진하는 제2단계; 상기 자외선 임프린트용 금형(300)의 V자 플랫폼(50)과 광 도파로(60)에 하부 클래드(40)를 정합시킨 후, 정합된 하부 클래드(40)에 자외선을 노출시켜 상기 코어(62)를 경화시키는 제3단계; 상기 코어(62)가 경화된 후에 상기 자외선 임프린트용 금형(300)을 분리시켜 광섬유(10)가 연결된 V자 플랫폼(50) 및 광 도파로(60)를 상기 하부 클래드(40)상에 형성시킨 후, 상기 하부 클래드(40)의 광 도파로(60)에 상부 클래드(30)를 정합시키는 제4단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제1단계는 금형(100)의 끝단에서 소정의 간격을 두고 가공을 시작하여 반대쪽 끝단까지 광 도파로용 홈(120)을 형성시키는 (가)단계와, 상기 금형(100)에서 광 도파로용 홈(120)이 형성되지 않은 소정 간격의 금속면에 상기 광 도파로용 홈(120)의 절반 깊이만큼 기계 가공하는 (나)단계와, 상기 (나)단계에서 가공된 금속면에 상기 광 도파로용 홈(120)과 일직선상으로 연장되는 광자결정 도파로용 패턴(140)을 형성시킨 후, 복제소재를 이용하여 제1원형금형(100')을 제작하는 (다)단계와, 별도의 다른 금형의 끝단에서 가공을 시작하여 반대쪽 끝단까지 V자용 홈을 형성시킨 후, 복제소재를 이용하여 제2원형금형(200')을 제작하는 (라)단계와, 상기 각 단계에 의해 제작된 제1원형금형(100') 및 제2원형금형(200')에 복제소재를 이용하여 V자 플랫폼(50)과 광 도파로(60) 및 광자결정 도파로(80)가 동시에 형성된 자외선 임프린트용 금형(300)을 제작하는 (마)단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 광자결정 도파로(80)와 연결되는 상기 광 도파로(60)의 끝단에는 상기 광자결정 도파로(80)와의 결합손실을 최소화시키는 나노 스케일의 광 안테나(70)를 제작하는 광 안테나 제작 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 광 안테나 제작 단계는 유리재질로 형성된 기판(71)의 후면에 금속 박막(72)을 증착하는 (A)단계와, 상기 금속 박막(72)의 소정 위치에 양각 타입의 전자빔 레지스트(75)를 코팅하여, 소정 형상의 광 안테나 구조를 노광하는 (B)단계와, 상기 (A)단계에서 증착된 금속 박막(72)과 동일한 금속 박막(72')을 다시 증착한 후, 전자빔 레지스트(75)를 세척하여 광 안테나 구조를 형성시키는 (C)단계와, 상기 (C)단계에서 증착된 금속 박막(72')을 제거하고, 상기 (A)단계에서 증착된 금속 박막(72)을 식각하여 광 안테나(70)를 제작하는 (D)단계와, 상기 각 단계에 의해 제작된 광 안테나(70)를 광자결정 도파로(80)와 연결되는 광 도파로(60)의 끝단에 형성시키는 (E)단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
5 5
회로기판(20)의 하부 클래드(40)상에 임프린트 공정을 이용하여 고분자 평면광파회로 소자를 제작하는 방법에 있어서, 상기 회로기판(20)의 하부 클래드(40)상에 광섬유(10)를 정렬 및 고정시키는 V자 플랫폼(50)과, 상기 V자 플랫폼(50)과 일직선상으로 연장 형성되는 광 도파로(60)와, 상기 광 도파로(60)와 일직선상으로 연장 형성되는 광자결정 도파로(80)를 동시에 형성시킬 수 있는 핫 임프린트용 금형(400)을 제작하는 제1단계; 상기 회로기판(20)의 하부 클래드(40)를 유리전이 온도보다 30℃ 높은 온도에서 가열한 후, 상기 핫 임프린트용 금형(400)으로 상기 하부 클래드(40)를 가압하는 제2단계; 상기 회로기판(20)의 하부 클래드(40)를 소성변형이 발생하는 온도 이하로 냉각한 후, 상기 하부 클래드(40)에 가압한 상기 핫 임프린트용 금형(400)을 분리하여 상기 하부 클래드(40)에 V자 플랫폼(50)과 광 도파로(60) 및 광자결정 도파로(80)를 형성시키는 제3단계; 상기 하부 클래드(40)의 V자 플랫폼(50)과 광 도파로(60)에 광섬유(10)를 삽입한 후, 상기 광 도파로(60)에 코어(62)를 충진하는 제4단계; 상기 하부 클래드(40)의 광 도파로(60)에 상부 클래드(30)를 정합시킨 후, 정합된 상부 클래드(30)에 자외선을 노출시켜 상기 코어(62)를 경화시키는 제5단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 제1단계는 금형(100)의 끝단에서 소정의 간격을 두고 가공을 시작하여 반대쪽 끝단까지 광 도파로용 홈(120)을 형성시키는 (가)단계와, 상기 금형(100)에서 광 도파로용 홈(120)이 형성되지 않은 소정 간격의 금속면에 상기 광 도파로용 홈(120)의 절반 깊이만큼 기계 가공하는 (나)단계와, 상기 (나)단계에서 가공된 금속면에 상기 광 도파로용 홈(120)과 일직선상으로 연장되는 광자결정 도파로용 패턴(140)을 형성시킨 후, 복제소재를 이용하여 제1원형금형(100')을 제작하는 (다)단계와, 별도의 다른 금형의 끝단에서 가공을 시작하여 반대쪽 끝단까지 V자용 홈을 형성시킨 후, 복제소재를 이용하여 제2원형금형(200')을 제작하는 (라)단계와, 상기 각 단계에 의해 제작된 제1원형금형(100') 및 제2원형금형(200')에 복제소재를 이용하여 V자 플랫폼(50)과 광 도파로(60) 및 광자결정 도파로(80)가 동시에 형성된 자외선 임프린트용 금형(300)을 제작하는 (마)단계와, 상기 자외선 임프린트용 금형(300)을 이용하여 대상 금형에 역상의 패턴을 전사시키는 (바)단계와, 상기 (바)단계에서 성형된 패턴에 기지층의 증착과 전해도금을 통해 핫 임프린트용 금형(400)을 제작하는 (사)단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 광자결정 도파로(80)와 연결되는 상기 광 도파로(60)의 끝단에는 상기 광자결정 도파로(80)와의 결합손실을 최소화시키는 나노 스케일의 광 안테나(70)를 제작하는 광 안테나 제작 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 광 안테나 제작 단계는 유리재질로 형성된 기판(71)의 후면에 금속 박막(72)을 증착하는 (A)단계와, 상기 금속 박막(72)의 소정 위치에 양각 타입의 전자빔 레지스트(75)를 코팅하여, 소정 형상의 광 안테나 구조를 노광하는 (B)단계와, 상기 (A)단계에서 증착된 금속 박막(72)과 동일한 금속 박막(72')을 다시 증착한 후, 전자빔 레지스트(75)를 세척하여 광 안테나 구조를 형성시키는 (C)단계와, 상기 (C)단계에서 증착된 금속 박막(72')을 제거하고, 상기 (A)단계에서 증착된 금속 박막(72)을 식각하여 광 안테나(70)를 제작하는 (D)단계와, 상기 각 단계에 의해 제작된 광 안테나(70)를 광자결정 도파로(80)와 연결되는 광 도파로(60)의 끝단에 형성시키는 (E)단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 임프린트 공정을 이용한 고분자 평면광파회로 소자의 제작 방법
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1 교육과학기술부, 지식경제부 부산대학교 산학협력단 특정기초연구사업, IT핵심기술개발사업 Nano optical antenna/Optical wire기반의 신개념 광 연결 연구, 분광학 기반 생체정보탐색용 신개념레이저 연구