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산화물 TFT 기술

  • 기술번호 : KST2014030138
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전구체들 간의 표면화학반응을 이용하여 반도체막의 결정 크기 및 캐리어 양을 조절할 수 있는 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법 및 상기 반도체막을 포함하는 박막 트랜지스터에 관한 것이다.본 발명 중 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법은 a) 챔버 내에 기판을 배치하는 단계; b) 상기 챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 상기 기판 상에 상기 아연 전구체를 흡착시키는 단계; c) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계; d) 상기 기판 상에 형성된 상기 아연 전구체와 반응하도록 상기 챔버 내에 산소 전구체를 주입하여 ZnO 반도체막을 형성하는 단계; e) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체를 제거하는 단계; f) 상기 a) 내지 e) 단계를 반복 수행하는 단계; g) 산소 플라즈마 또는 오존을 이용하여 상기 ZnO 반도체막의 표면처리를 반복적으로 수행하는 단계; h) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체 및 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계 및 i) 상기 a)단계 내지 상기 h) 단계를 반복하여 상기 ZnO 반도체막의 두께를 조절하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 투명한 기판을 사용하여 투명 박막 트랜지스터를 형성함으로써, 투명 디스플레이를 구현할 수 있고, 플레서블 기판을 사용하여 플렉서블 디스플레이를 구현할 수 있다. 또한, 반도체막의 결정은 증가시켜 이동도는 향상시키고 캐리어양을 조절하여 누설전류를 감소시킴으로써 특성이 우수한 반도체막을 형성할 수 있다.산화물 트랜지스터, 플렉시블 트랜지스터, ZnO 반도체막, 원자층 증착법
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020070051792 (2007.05.29)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0877153-0000 (2008.12.26)
공개번호/일자 10-2008-0065514 (2008.07.14) 문서열기
공고번호/일자 (20090109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070002525   |   2007.01.09
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
2 황치선 대한민국 대전 대덕구
3 추혜용 대한민국 대전광역시 유성구
4 이정익 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0391172-48
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0017628-28
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0142453-81
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0332378-64
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0500889-71
6 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0055000-42
7 등록결정서
Decision to grant
2008.12.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0631615-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
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a) 챔버 내에 기판을 배치하는 단계;b) 상기 챔버 내에 아연 전구체를 주입하여 상기 기판 상에 상기 아연 전구체를 흡착시키는 단계;c) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계;d) 상기 기판 상에 형성된 상기 아연 전구체와 반응하도록 상기 챔버 내에 산소 전구체로 물을 주입하여 ZnO 반도체막을 형성하는 단계;e) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체를 제거하는 단계;f) 상기 a) 내지 e) 단계를 반복 수행하는 단계;g) 산소 플라즈마 또는 오존을 이용하여 상기 ZnO 반도체막의 캐리어의 수효를 줄이는 표면처리를 반복적으로 수행하는 단계; h) 상기 챔버 내에 질소 또는 비활성 기체를 주입하여 잔여 산소 전구체 및 잔여 아연 전구체를 제거하는 단계; 및i) 상기 a)단계 내지 상기 h) 단계를 반복하여 상기 ZnO 반도체막의 두께를 조절하는 단계를 더 포함하는 전자소자용 ZnO 반도체막 형성방법
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1 JP2008172244 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP4616359 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2008277656 US 미국 DOCDBFAMILY
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