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고온 공정에서 버퍼층을 이용한 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 및 이를 이용하는 전자
- 기술번호 : KST2014030915
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다. 상기 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법은 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 산화아연계 버퍼층을 형성하는 것을 구비한다. 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 산화아연계 버퍼층 상에 산화아연계 나노 와이어를 형성한다. 이를 이용하는 전자 장치의 제조 방법이 또한 제공된다. 산화아연계 나노 와이어, 수직 성장, 미세 성장 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/205 (2006.01) G09F 9/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01J 1/30 (2006.01) |
| CPC | H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090048891 (2009.06.03) |
| 출원인 | 성균관대학교산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1091598-0000 (2011.12.02) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0130296 (2010.12.13) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20111213) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.06.03) |
| 심사청구항수 | 18 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 조형균 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 2 | 김동찬 | 대한민국 | 부산광역시 사하구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김인철 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, 매강빌딩*층 에이치앤에이치 H&H 국제특허법률사무소 (서초동) |
| 2 | 특허법인세하 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 성균관대학교산학협력단 | 대한민국 | 경기도 수원시 장안구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0334983-58 |
| 2 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2010.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0360275-19 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.11.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.12.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0077613-41 |
| 5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.03.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0125335-41 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0296989-09 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.04.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0296987-18 |
| 8 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2011.11.11 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2011-0890726-86 |
| 9 | 서류반려이유통지서 Notice of Reason for Return of Document |
2011.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0105440-15 |
| 10 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Dismissal of Sub-agent] Report on Agent (Representative) |
2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0950516-91 |
| 11 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0709301-31 |
| 12 | 서류반려통지서 Notice for Return of Document |
2011.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0117891-18 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 100 내지 300℃의 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 산화아연계 버퍼층을 형성하고, 상기 제1 온도에서부터 550 내지 1000℃의 제2 온도로 연속적으로 증가시켜 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 산화아연계 버퍼층 상에 산화아연계 나노 와이어를 형성하는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들은 열화학기상증착법(thermal CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 또는 플라즈마화학기상증착법(PECVD) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행되는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 산화아연계 버퍼층의 형성은 5 내지 10 분 동안 10torr 미만의 압력으로 진행되고, 상기 산화아연계 나노 와이어의 형성은 30 내지 100 분 동안 1torr 미만의 압력으로 진행되는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 산화실리콘, 질화실리콘, 산화아연, 금속 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하도록 형성되는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 산화아연계 나노 와이어는 언도우프트(undoped) 되도록 형성되는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 산화아연계 나노 와이어는 도핑되도록 형성되되, 도핑되는 불순물은 갈륨을 포함하는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 산화아연계 버퍼층 및 상기 산화아연계 나노 와이어는 이원계 화합물으로 형성되거나 IIA 족 원소 또는 IIB 족 원소를 추가적으로 포함하는 삼원계 화합물로 형성되는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들을 진행하는 과정에서 아연 함유 가스는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트 [Zn(OOCCH3)2·H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하며, 산소 함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 |
| 10 |
10 100 내지 300℃의 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 산화아연계 버퍼층을 형성하고, 상기 제1 온도에서부터 550 내지 1000℃의 제2 온도로 연속적으로 증가시켜 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 산화아연계 버퍼층 상에 산화아연계 나노 와이어를 형성하고, 상기 산화아연계 나노 와이어 상에 제2 전극을 형성하는 것을 포함하는 전자 장치의 제조 방법 |
| 11 |
11 삭제 |
| 12 |
12 제 10 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들은 열화학기상증착법(thermal CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD) 또는 플라즈마화학기상증착법(PECVD) 중 어느 하나의 방법을 이용하여 수행되는 전자 장치의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 10 항에 있어서, 상기 산화아연계 버퍼층의 형성은 5 내지 10 분 동안 10torr 미만의 압력으로 진행되고, 상기 산화아연계 나노 와이어의 형성은 30 내지 100 분 동안 1torr 미만의 압력으로 진행되는 전자 장치의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 10 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘, 사파이어, 갈륨나이트라이드, 산화실리콘, 질화실리콘, 산화아연, 금속 및 ITO로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하도록 형성되는 전자 장치의 제조 방법 |
| 15 |
15 제 10 항에 있어서, 상기 산화아연계 나노 와이어는 언도우프트(undoped) 되도록 형성되는 전자 장치의 제조 방법 |
| 16 |
16 제 10 항에 있어서, 상기 산화아연계 나노 와이어는 도핑되도록 형성되되, 도핑되는 불순물은 갈륨을 포함하는 전자 장치의 제조 방법 |
| 17 |
17 제 10 항에 있어서, 상기 산화아연계 버퍼층 및 상기 산화아연계 나노 와이어는 이원계 화합물으로 형성되거나 IIA 족 원소 또는 IIB 족 원소를 추가적으로 포함하는 삼원계 화합물로 형성되는 전자 장치의 제조 방법 |
| 18 |
18 제 10 항에 있어서, 상기 화학기상증착법들을 진행하는 과정에서 아연 함유 가스는 디메틸아연[Zn(CH3)2], 디에틸아연[Zn(C2H5)2], 아연아세테이트 [Zn(OOCCH3)2·H2O], 아연아세테이트 무수물[Zn(OOCCH3)2] 및 아연 아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2]으로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하며, 산소 함유 가스는 산소, 오존, 이산화질소, 수증기 및 이산화탄소로 이루어진 일 군으로부터 선택된 어느 하나를 포함하는 전자 장치의 제조 방법 |
| 19 |
19 제 10 항에 있어서, 상기 제2 전극은 상기 제1 기판과 대향되는 제2 기판 상에 형성되되, 상기 제2 전극의 하부에 형광층이 형성되는 전자 장치의 제조 방법 |
| 20 |
20 제 10 항에 있어서, 상기 제1 전극은 일 방향으로 신장되어 형성되되, 상기 제2 전극을 형성하기 전에 상기 제1 기판 상에 상기 제1 전극과 교차됨과 아울러서 상기 산화아연계 나노 와이어와 중첩되지 않는 게이트 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 전자 장치의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 성균관대학교 산학협력단 | 07년 선정 지역대학 우수과학자 지원사업 2/2년차 | 나노선 어레이를 이용한 폴리머/금속산화물 하이브리드 태양전지 개발연구 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1091598-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090603 출원 번호 : 1020090048891 공고 연월일 : 20111213 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111130 청구범위의 항수 : 18 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 고온 공정에서 버퍼층을 이용한 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 및 이를 이용하는 전자 장치의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20161203 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 373,500 원 | 2011년 12월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2014년 09월 23일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 305,200 원 | 2015년 11월 18일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.06.03 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0334983-58 |
| 2 | [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.06.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0360275-19 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.11.04 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2010.12.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0077613-41 |
| 5 | 의견제출통지서 | 2011.03.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0125335-41 |
| 6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.04.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0296989-09 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.04.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0296987-18 |
| 8 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.11.11 | 불수리 (Non-acceptance) | 1-1-2011-0890726-86 |
| 9 | 서류반려이유통지서 | 2011.11.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0105440-15 |
| 10 | [복대리인해임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2011.11.30 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0950516-91 |
| 11 | 등록결정서 | 2011.11.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0709301-31 |
| 12 | 서류반려통지서 | 2011.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2011-0117891-18 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.04.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5090770-53 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5131828-19 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2012.06.27 | 수리 (Accepted) | 4-1-2012-5137236-29 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.02.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5028829-43 |
| 기술번호 | KST2014030915 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 성균관대학교 |
| 기술명 | 고온 공정에서 버퍼층을 이용한 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법 및 이를 이용하는 전자 |
| 기술개요 |
산화아연계 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다. 상기 산화아연계 나노 와이어의 제조 방법은 제1 온도로 진행되는 화학기상증착법을 이용하여 기판 상에 산화아연계 버퍼층을 형성하는 것을 구비한다. 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도로 진행되는 상기 화학기상증착법을 이용하여 상기 산화아연계 버퍼층 상에 산화아연계 나노 와이어를 형성한다. 이를 이용하는 전자 장치의 제조 방법이 또한 제공된다. 산화아연계 나노 와이어, 수직 성장, 미세 성장 |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 나노 와이어 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345078617 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-521-D00191 |
| 연구과제명 | 나노선어레이를이용한폴리머/금속산화물하이브리드태양전지개발연구 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345078617 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-521-D00191 |
| 연구과제명 | 나노선어레이를이용한폴리머/금속산화물하이브리드태양전지개발연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200708~200907 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415104760 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2008-A08-005 |
| 연구과제명 | 반도체인력양성사업 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
| 연구주관기관명 | 성균관대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200809~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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중요키워드
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