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나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014030928
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 실리콘 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 실리콘 태양전지에 사용될 수 있는 실리콘 기판으로, 포토리소그래피 방법을 사용하여 선택적 패턴이 형성된 실리콘 기판 표면에 나노 다공성 구조를 형성함으로써 반사도를 감소시키며, 캐리어의 수명을 향상시킬 수 있고 개방 전압을 향상시켜 광전변환 효율을 향상시킬 수 있는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 실리콘 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 태양전지, 실리콘 기판, 나노 다공성 구조, 선택적 패턴
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01) H01L 31/0284(2013.01)
출원번호/일자 1020090101064 (2009.10.23)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1090397-0000 (2011.11.30)
공개번호/일자 10-2011-0044413 (2011.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20111206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.23)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이준신 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성철 대한민국 성균관대학교 자연과학
3 양두환 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 김선용 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0649697-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0235523-49
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.03.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0033679-68
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0218275-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0474412-19
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0474413-54
8 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0702026-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
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번호 청구항
1 1
실리콘 기판 표면에 패턴을 형성하는 단계(단계 1); 질산과 불산을 혼합하여 산성 혼합 용액을 제조한 후, 상기 산성 혼합 용액을 산성 혼합 용액의 1~5배 부피 비의 물과 혼합하여 희석된 산성 혼합 용액을 제조하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조한 희석된 산성 혼합 용액에 단계 1에서 표면에 패턴이 형성된 실리콘 기판을 침지시켜 상기 패턴에 나노 다공성 구조를 형성하는 단계(단계 3)를 포함하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
2 2
청구 항 1에서, 상기 단계 1에서 실리콘 기판에 목적하는 패턴을 포토리소그래피 방법을 사용하여 형성하는 것을 특징으로 하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
3 3
청구 항 1에서, 상기 단계 2에서 산성 혼합 용액은 질산과 불산을 1:5 내지 5:1의 부피 비로 혼합하여 제조되는 것을 특징으로 하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
4 4
청구 항 1에서, 상기 실리콘 기판이 단결정질 실리콘 기판, 삼결정질 실리콘 기판 또는 다결정질 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
5 5
청구 항 1에서, 상기 실리콘 기판이 비가공된 결정질 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
6 6
청구 항 1에서, 상기 단계 3이 25 ℃ 내지 60 ℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
7 7
청구 항 1에서, 상기 단계 3에서는 실리콘 기판을 희석된 산성 혼합 용액에 1분 내지 50분 동안 침지시키는 것을 특징으로 하는, 나노 다공성 구조를 가진 선택적 패턴이 형성된 태양전지용 실리콘 기판의 제조 방법
8 8
질산과 불산을 혼합한 산성 혼합 용액과 상기 산성 혼합 용액의 1~5배 부피 비의 물을 혼합한 희석된 산성 혼합 용액에 패턴이 형성된 실리콘 기판을 침지시킴으로써 상기 패턴의 표면에 나노 다공성 구조가 형성된 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
9 9
청구 항 8에서, 상기 패턴이 형성된 실리콘 기판은 포토리소그래피 방법을 사용하여 선택적으로 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
10 10
청구 항 8에서, 상기 산성 혼합 용액은 질산과 불산을 1:5 내지 5:1의 부피 비로 혼합하여 제조된 것임을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 기판
11 11
질산과 불산을 혼합한 산성 혼합 용액과 상기 산성 혼합 용액의 1~5배 부피 비의 물을 혼합한 희석된 산성 혼합 용액에 후면 전계 형성을 위한 패턴이 형성된 실리콘 기판을 침지시켜 나노 다공성 구조를 형성한 후, 실리콘 기판 후면에 알루미늄 페이스트를 인쇄하고 열처리함으로써 제조된 것을 특징으로 하는 후면 전계가 형성된 태양전지용 실리콘 기판
12 12
청구 항 11에서, 상기 산성 혼합 용액은 질산과 불산을 1:5 내지 5:1의 부피 비로 혼합하여 제조된 것임을 특징으로 하는 후면 전계가 형성된 태양전지용 실리콘 기판
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 에너지기술평가원 신재생에너지기술개발사업 단결정 실리콘 태양전지 개발을 위한 전류, 전압, 곡선인자 향상 기술 개발