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포토레지스트 제거 방법, 이를 포함하는 산화 아연계 ＴＣＯ박막의 제조 방법 및 산화 아연계

  • 기술번호 : KST2014033173
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 상기 목적을 달성하기 위하여, 하나의 양태로서 본 발명은, (a) 유기 용매를 상기 포토레지스트에 도포하여 상기 포토레지스트를 1차 제거하는 단계; 및 (b) 화학적 건식 포토레지스트 제거기(CDPR, chemical dry photoresist remover)를 사용하여 상기 포토레지스트를 식각하여 2차 제거하는 단계를 포함하는 산화 아연 박막 상에 도포된 포토레지스트를 제거하는 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/3065 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC G03F 7/422(2013.01) G03F 7/422(2013.01) G03F 7/422(2013.01)
출원번호/일자 1020090104232 (2009.10.30)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1104424-0000 (2012.01.03)
공개번호/일자 10-2011-0047554 (2011.05.09) 문서열기
공고번호/일자 (20120112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.30)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 부진효 대한민국 경기도 부천시 소사구
2 남상훈 대한민국 서울특별시 구로구
3 이내응 대한민국 경기도 과천시 별양로 ***
4 정성훈 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손민 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, *층(문정동)(특허법인한얼)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0668987-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0218102-79
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0476756-45
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0476755-00
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0771798-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화 아연 박막 상에 도포된 포토레지스트를 제거하는 방법에 있어서, (a) 유기 용매를 상기 포토레지스트에 도포하여 상기 포토레지스트를 1차 제거하는 단계; 및 (b) 화학적 건식 포토레지스트 제거기(CDPR, chemical dry photoresist remover)를 사용하여 상기 포토레지스트를 식각하여 2차 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트 제거 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 유기 용매는 이소프로판올, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 테트라히드로프루프릴알코올, N-메틸-2-피롤리돈, 디메틸 설폭사이드, 메틸베타메톡시프로피오네이트 또는 이를 혼합한 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 유기 용매는 이소프로판올인 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 이소프로판올의 농도는 90% 이상인 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 (a) 단계는 1분 내지 3분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 사용되는 혼합 가스는 N2, CF4, O2를 포함하는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 사용되는 혼합 가스 중 N2의 기체 흐름 비율은 50 내지 300 sccm이고, CF4의 기체 흐름 비율은 100 내지 400 sccm이고, 그리고 O2의 기체 흐름 비율은 500 내지 3000 sccm인 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 사용되는 RF 전원은 주파수가 2
9 9
제8항에 있어서, 상기 (b) 단계는 30초 내지 3분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, 포토레지스트의 제거방법
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 포토레지스트의 제거방법에 의해 포토레지스트가 제거되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 산화 아연계 TCO(transparent conductive electrode) 박막의 제조 방법
11 11
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 학술진흥재단 05년선정 중점연구소2단계 1차년도 나노 접합체 연구