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레이저 리프트 오프를 이용한 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035590
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플렉서블(flexible) 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 레이저 투과율이 높은 모재 기판과 레이저 흡수율이 높은 희생층을 이용하여 레이저 리프트 오프 공정으로 모재 기판과 희생층 사이의 격막 분리시 반도체 소자에 발생하는 결함을 방지하고 우수한 스위칭 특성과 반도체 소자의 제현성 및 품질 균일성을 확보할 수 있는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/30 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
CPC H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01) H01L 27/1266(2013.01)
출원번호/일자 1020100057715 (2010.06.17)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1120139-0000 (2012.02.17)
공개번호/일자 10-2011-0111209 (2011.10.10) 문서열기
공고번호/일자 (20120322) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100030321   |   2010.04.02
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 최광혁 대한민국 경상북도 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0390839-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0039299-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0358039-39
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0672119-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0764140-64
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0764073-03
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0086150-87
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
모재 기판 상면에 희생층을 형성하는 단계;상기 형성한 희생층 상면에 반도체 소자를 형성하는 단계;상기 형성한 반도체 소자 상면에 제1 접착층을 형성하는 단계;상기 제1 접착층 상면에 지지 기판을 형성하는 단계;상기 모재 기판으로 레이저를 조사하여 레이저 리프트 오프 공정을 통해 상기 모재 기판과 상기 희생층의 계면을 분리하는 단계; 및상기 모재 기판을 제거하여 상기 모재 기판 위에 형성된 반도체 소자를 상기 지지 기판으로 전사하는 단계;플렉서블 기판 상면에 제2 접착층을 형성하는 단계;상기 지지 기판으로 전사된 상기 반도체 소자의 하면을 상기 제2 접착층에 접착시키는 단계; 및상기 지지 기판을 제거하여 상기 반도체 소자를 플렉서블 기판으로 전사하는 단계를 포함하며,상기 희생층은 Ga-O-N 계열이며, 상기 희생층을 형성시 반응성 H2 가스를 유입시켜 GaON:H 조합의 희생층을 형성하며,상기 제1 접착층은 상기 제2 접착층의 접착력보다 작은 접착력을 가지도록 상기 지지 기판에 패터닝 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 모재 기판은사파이어 기판 또는 쿼츠 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 반도체 소자는활성 채널로 InGaZnO, InZnO, 금속도핑된 InZnO, ZnSnO, 금속도핑된 ZnSnO, ZnO, SnO, InO, AlSnZnO, TiO, 5족 전이 금속도핑된 TiO을 사용하는 산화물 TFT 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 지지 기판은 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 투명형 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름(crosslinking type urethane) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 희생층은Ga2O3 타겟을 질소 분위기에서 상기 사파이어 기판 또는 상기 쿼츠 기판 상면에 스퍼터링 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제 3 항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌술폰(PES), 투명형 폴리이미드(PI), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리싸이클릭올레핀(PCO), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 가교형 에폭시(crosslinking type epoxy), 가교형 우레탄 필름(crosslinking type urethane) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 반도체 소자의 제조 방법
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1 CN102336784 CN 중국 FAMILY
2 EP02407526 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02407526 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02407526 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 KR1020120007471 KR 대한민국 FAMILY
6 US08610991 US 미국 FAMILY
7 US20120013966 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 CN102336784 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102336784 CN 중국 DOCDBFAMILY
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