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Si 과잉 산화막을 이용한 Si/SiOx코어/쉘 이중구조 나노선 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035582
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Si 웨이퍼 상에 SRO 박막을 제작하고, 상기 SRO 박막 위에 Ni 박막을 증착시킨 후, 상기 Ni이 증착된 SRO 박막에 Si 분말을 공급하고, N2 개스를 흘리면서 열처리 하여 Si/SiOx 코어/쉘 이중구조 나노선을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 방법은 Si 과잉 산화막의 Si 조성을 조절하여 나노선의 두께 및 조성의 변화시킴으로써 Si 나노선 제작 후 후속 공정 없이 이중 구조를 형성시켜 공정을 간소화 시킬 수 있는 효과가 있다.나노선, Si, SLS 방법, Si 과잉 산화막
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090047686 (2009.05.29)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1122129-0000 (2012.02.23)
공개번호/일자 10-2010-0128977 (2010.12.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120321) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김성 대한민국 서울특별시 동작구
3 김창오 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0326809-90
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0156408-02
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0358112-28
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0358113-74
5 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701070-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Si 웨이퍼 상에 Si 과잉 산화막(SRO 박막)을 제작하는 단계;상기 SRO 박막 위에 Ni 박막을 증착시키는 단계;상기 Ni이 증착된 SRO 박막을 석영관 안에 놓고, Si 분말을 공급하는 단계; 및 상기 석영관에 N2 개스를 흘리면서 열처리 하여 Si/SiOx(x=1
2 2
제1항에 있어서, 상기 Si 과잉 산화막(SRO 박막)은 PECVD(Plasma-enhanced chemical vapor deposition) 방법을 이용하여 제작되는 것을 특징으로 하는 Si/SiOx 코어/쉘 이중구조 나노선 제조 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 SRO 박막 위에 Ni 박막의 증착은 스퍼터링법을 이용하여 제작하는 것을 특징으로 하는 Si/SiOx 코어/쉘 이중구조 나노선 제조 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 Si 분말의 공급은 Ni이 증착된 SRO 박막에 이격시켜 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 Si 농도는 41 내지 43 at
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.