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Nb 이온 도핑에 의해 HfO2층에 형성된 전하트랩을 이용하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014036647
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 도핑에 의해 형성된 불순물 트랩을 전하 저장 준위로 이용하는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것으로, p-형 실리콘 기판; 상기 p-형 실리콘 기판상에 증착된 실리콘 산화막; 상기 실리콘 산화막 상에 원자층 증착법(ALD)을 통해 증착된 HfO2 층; 상기 HfO2 층상에 이온주입법을 통해 이온 주입된 Nb 이온을 포함하여 불순물 트랩으로 작용하는 이온 주입층을 포함하는 것을 특징으로 하는, Nb 이온 주입에 의해 HfO2에 형성된 불순물 트랩을 전하 저장 준위로 이용하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 금속 도핑에 의해 형성된 불순물 트랩을 저하 저장 준위로 이용하는 비휘발성 메모리 소자 및 그의 제조방법에 의하면, 특정 금속 이온의 종류를 선택하여 정확하게 불순물 준위를 정하고 그 농도를 조절할 수 있다.
Int. CL H01L 27/115 (2006.01) H01L 21/8247 (2006.01)
CPC H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01) H01L 21/28282(2013.01)
출원번호/일자 1020100068799 (2010.07.16)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1163720-0000 (2012.07.02)
공개번호/일자 10-2012-0008132 (2012.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.16)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김민철 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0458922-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.13 수리 (Accepted) 9-1-2011-0039347-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0395901-94
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0727826-64
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0813999-94
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0814002-89
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0181626-69
9 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.04.30 수리 (Accepted) 7-1-2012-0020530-47
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0421461-49
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0421447-10
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0328475-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
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번호 청구항
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열증착법(thermal deposition)에 의해 p-형 실리콘 기판 상에 실리콘 산화막을 증착하는 단계;상기 실리콘 산화막 상에 원자층 증착법(ALD)을 통해 HfO2 층을 증착하는 단계;상기 HfO2 층상에 이온 주입법을 통해 Nb 이온을 주입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하여Nb 이온 주입에 의해 HfO2 층에 형성된 불순물 트랩을 전하 저장 준위로 이용하되, 상기 주입되는 Nb 이온주입량이 1012 내지 1013cm-2 범위이고;상기 Nb 이온을 주입하는 단계에서 Nb 이온 주입시 에너지를 60 keV가 되도록 하며; 상기 Nb 이온 주입된 HfO2 층을 포함하는 메모리 소자를 N2 분위기에서 600℃로 5분 동안 급속 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한국연구재단 경희대학교 산학협력단 교육과학기술부 학제기초연구사업 금속 이온 및 합금에 의해 형성된 전하 트랩을 이용한 비휘발성 메모리 연구