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플레시블 다층 투명 전극의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014035649
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요약 본 발명은 다층 투명 전극의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 실리콘옥시나이트라이드/은/실리콘옥시나이트라이드의 구조를 가지는 다층 투명 전극에서 실리콘옥시나이트라이드의 하부/상부 산화물층 또는 은 금속층을 스퍼터링 공정에 의해 형성시 주입되는 아르곤 기체 또는 산소 기체의 유량을 조절하여 다층 투명 전극의 전도도와 투과도를 제어할 수 있는 다층 투명 전극의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 다층 투명 전극은 실리콘옥시나이트라이드의 하부 산화물/은/실리콘옥시나이트라이드 상부 산화물을 이용함으로써, 낮은 제조 단가로 다층 투명 전극을 제조할 수 있다. 또한 본 발명에 따른 다층 투명 전극은 스퍼터링 공정시 주입되는 산소 유량에 따라 투명 전극의 전도성을 제어함으로써, 요구되는 투명 전극의 전도성을 용이하게 조절할 수 있으며, 전도성의 투명 전극과 부도성의 박막을 동일한 타겟을 이용하여 동시에 제조할 수 있다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01) H01L 51/5215(2013.01)
출원번호/일자 1020100090385 (2010.09.15)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145916-0000 (2012.05.07)
공개번호/일자 10-2012-0028506 (2012.03.23) 문서열기
공고번호/일자 (20120515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.09.15)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김한기 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 조충기 대한민국 대구광역시 달성군 다사읍 서재

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서재승 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***-*(논현동) ***호(스카이국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 립하이 주식회사 충청남도 아산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0599133-83
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0604838-52
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-1015117-80
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0035886-30
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.01.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0035762-88
6 등록결정서
Decision to grant
2012.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0258114-88
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물과 금속으로 이루어진 다층 투명 전극의 제조 방법에 있어서,투명 기판 위에 실리콘옥시나이트라이드 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 하부 산화물층을 형성하는 단계;상기 형성한 하부 산화물층의 상면에 은 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 은 금속층을 형성하는 단계; 및상기 형성한 은 금속층의 상면에 실리콘옥시나이트라이드 타겟을 이용하여 스퍼터링 공정으로 상부 산화물층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 투명 전극의 전도도 또는 투과도는 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상기 상부 산화물층 형성을 위한 스퍼터링 공정시 주입되는 아르곤 기체 또는 산소 기체의 유량에 따라 제어되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상기 상부 산화물층의 형성을 위한 스퍼터링 공정시 주입되는 산소 기체의 유량이 0
3 3
삭제
4 4
제 2 항에 있어서,상기 투명 전극의 투과도를 가시광선 대역에서 80% 이상으로 유지하기 위하여 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상기 상부 산화물층의 형성을 위한 스퍼터링 공정시 주입되는 산소 기체의 유량은 0
5 5
산화물과 금속으로 이루어진 다층 구조의 투명 전극에 있어서,상기 투명 전극은 투명 기판;상기 투명 기판의 상면에 실리콘옥시나이트라이드 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 형성되는 하부 산화물층;상기 하부 산화물층의 상면에 은 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 형성되는 은 금속층; 및상기 은 금속층의 상면에 실리콘옥시나이트라이드 타켓을 이용하여 스퍼터링 공정으로 형성되는 상부 산화물층을 포함하며,상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상기 상부 산화물층의 형성을 위한 스퍼터링 공정시 주입되는 아르곤 기체 또는 산소 기체의 유량에 따라 상기 투명 전극의 전도도 또는 투과도가 제어되는 것을 특징으로 하는 투명 전극
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상기 상부 산화물층의 형성을 위한 스퍼터링 공정시 주입되는 산소 기체의 유량이 0
7 7
삭제
8 8
제 6 항에 있어서,상기 투명 전극의 투과도를 가시광선 대역에서 80% 이상으로 유지하기 위하여 상기 하부 산화물층, 은 금속층 또는 상기 상부 산화물층의 형성을 위한 스퍼터링 공정시 주입되는 산소 기체의 유량은 0
9 9
제 5 항에 있어서, 상기 은 금속층의 두께는8nm 내지 12nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극
10 10
제 5 항에 있어서, 상기 하부 산화물층 또는 상부 산화물층의 두께는30nm 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 투명 전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 경기도 경희대학교 산학협력단 국제공동연구사업 차세대 Flexible Display 핵심 재료부품 연구