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랜덤 네트워크 구조를 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040356
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 랜덤 네트워크 구조를 갖는 전계 효과 트랜지스터 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 덤 네트워크 트랜지스터는: 소정의 기판 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치되고, 랜덤 네트워크 구조로 형성되어 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 전자 이동용 채널을 제공하는 복수의 나노 로드; 및 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부와, 상기 나노 로드 상에 형성되는 유전층;을 포함하고, 상기 유전층은 상기 복수의 나노 로드 사이에 충진된 구조를 갖는다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/66477(2013.01) H01L 29/66477(2013.01)
출원번호/일자 1020110007361 (2011.01.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1234539-0000 (2013.02.13)
공개번호/일자 10-2012-0086115 (2012.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 명재민 대한민국 경기도 고양시 일산동구
2 최지혁 대한민국 경기도 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0060576-33
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0006845-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0087794-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0290002-77
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0382241-52
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0469545-99
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0565502-66
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0565509-85
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0689364-72
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소정의 기판 위에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 배치되고, 랜덤 네트워크 구조로 형성되어 소스 전극 및 드레인 전극 사이에서 전자 이동용 채널을 제공하는 복수의 나노 로드;상기 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부와, 상기 나노 로드 상에 형성되는 유전층;을 포함하고,상기 유전층은 상기 복수의 나노 로드 사이에 충진된 구조의 이온 겔(ion-gel) 상태이고, 상기 이온 겔은 [EMIM][TFSI]을 포함하는 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터
2 2
제 1항에 있어서, 상기 랜덤 네트워크 트랜지스터는 상기 유전층 상에 형성되는 게이트 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터
3 3
제 1항에 있어서, 상기 나노 로드는 ZnO인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1항 내지 3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Au인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터
7 7
제 2항에 있어서, 상기 게이트 전극은 Au인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터
8 8
소정의 기판 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 제 1단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 랜덤 네트워크 구조의 전자 이동용 채널인 복수의 나노 로드를 형성하는 단계로서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극이 형성된 기판을 HMT 와 Zn(OH)2의 혼합 용액에 침지하는 단계를 포함하는 제 2단계; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극의 적어도 일부 및 상기 복수의 나노 로드 위에 유전층을 형성하는 제 3단계를 포함하고,상기 제 3 단계는: 상기 소스 전극, 상기 드레인 전극 및 상기 복수의 나노 로드 위에 이온 겔 형성을 위한 혼합 용액을 도포하는 단계; 상기 이온 겔 위에 소정 형상으로 패터닝된 포토 마스크를 도포하는 단계; 자외선을 조사하여 포토 마스크가 덮히지 않은 이온 겔을 경화시키는 단계; 및 상기 포토 마스크를 제거한 후 경화되지 않은 이온 겔을 제거하는 단계를 포함하고, 상기 이온 겔 형성을 위한 혼합 용액은 [EMIM][TFSI]와, PEG-DA와, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone; DMPA) 또는 HOMPP가 중량%로 88:8:4의 비율로 구성된 자외선 교차가능(crosslinkable) 용액인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 방법은 상기 제 3단계에 이어서, 상기 유전층 위에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 유전층은 이온 겔인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제 8항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 로드는 ZnO인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터의 제조 방법
15 15
제 8항 내지 10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Au인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터의 제조 방법
16 16
제 9항에 있어서, 상기 게이트 전극은 Au인 것을 특징으로 하는 랜덤 네트워크 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 WCU 사업 고성능 나노 물질 기반 IT 융합 기술
2 지식경제부 연세대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업(정보통신) 차세대 고성능 유기나노 소재 및 프린팅 공정기술 개발