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단극성 수직형 투명 다이오드

  • 기술번호 : KST2014040360
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판, 하부 전극, ZnO 박막, ZnMgO 박막 및 상부 전극이 순서대로 적층되어 이루어진 단극성 수직형 투명 다이오드에 관한 것으로, 본 발명의 단극성 수직형 투명 다이오드는 ZnMgO의 밴드갭 증가와 전기적 특성 변화를 이용하여 쇼트키 접합 특성을 향상시킴으로써 평판 디스플레이 장치나 모바일 전자기기에 적용되는 투명전자 공학 기술에서 핵심적인 소자로 사용할 수 있는 효과가 있다. 투명다이오드, ZnO, ZnMgO, 자외선 감지
Int. CL H01L 29/86 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020090129078 (2009.12.22)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1183111-0000 (2012.09.10)
공개번호/일자 10-2011-0072231 (2011.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120920) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최석호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 윤종걸 대한민국 경기도 수원시 권선구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0794373-84
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0165636-16
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0370806-88
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0370807-23
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0663435-83
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0018162-50
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0018163-06
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0374981-23
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 하부 전극, ZnO 박막, ZnMgO 박막 및 상부 전극이 순차적으로 적층된 단극성 수직형 투명 다이오드에 있어서, 상기 하부전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 ZnO에 Al, Ga, In 또는 Ir를 불순물로 첨가한 전도성 산화물이고, 상기 ZnMgO 박막은 Mg의 농도기울기를 만든 g-ZnMgO 박막인 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 g-ZnMgO 박막 내의 Mg의 농도 기울기는 분무 열분해법 또는 화학기상증착법에 의해 Zn과 Mg, 또는 도핑 불순물을 포함하는 금속유기물 원료를 반응로 내부로 공급하는 장치를 제어함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
5 5
제1항에 있어서, 상기 g-ZnMgO 박막은 ZnO와 MgO 두 타겟을 이용하여 코-스퍼터링(co-sputtering) 또는 코-어블레이션(co-ablation) 방식으로 증착되는 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
6 6
제5항에 있어서, 상기 g-ZnMgO 박막이 코-스퍼터링 방식에 의해 MgO 타겟을 장착한 마그네트론의 전력을 컴퓨터 인터페이스를 통해 연속적으로 변화시켜 스퍼터 비율을 제어함으로써 증착되는 g-ZnMgO 막의 성분비가 조절되는 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
7 7
제5항에 있어서, 상기 g-ZnMgO 박막이 레이저 펄스 증착법에 의해 빔 스플리터(splitter)로 레이저 빔의 경로를 두 개로 만들고, 경로상에 컴퓨터 인터페이스가 된 아퍼처(aperture)를 설치한 후, 아퍼처 구경을 연속적으로 변화시켜 레이저 빔의 파워를 조절하고, 이로써 타겟의 박리 비율을 조절함으로써 박막의 화학적 조성을 변화시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
8 8
제1항에 있어서, 상기 상부전극은 ITO 또는 ZnO에 Al, Ga, In 또는 Ir를 불순물로 첨가한 전도성 산화물이거나 또는 한 쪽 면만 빛이 투과해도 되는 경우 Au, Ag, Pt 또는 Ni로 구성된 군으로부터 선택된 불투명 금속 전극인 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
9 9
제1항에 있어서, 상기 단극성 수직형 투명 다이오드가 UV-광전다이오드(photodiode) 또는 자외선 영상촬영 카메라에 적용되는 것을 특징으로 하는 단극성 수직형 투명 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.