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금소 산화물 반도체 나노 입자 형성 방법, 이 나노 입자를 사용한 고분자 발광 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014044067
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 금속 산화물 반도체 나노 입자 형성 방법, 이 나노 입자를 사용한 고분자 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 나노 입자 형성 방법에서는 원료 금속염을 용매에 용해시켜 혼합용액을 제조한 다음, 상기 혼합용액을 가열한 후 냉각시키는 과정에서 상기 혼합용액 내에 금속 산화물 나노 입자를 형성한다. 본 발명에 따른 고분자 발광 소자는, 기판, 상기 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성되고 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 단층 고분자 박막 내의 금속 산화물 나노 입자로 구성된 발광층, 및 상기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다. 본 발명에 따른 고분자 발광 소자 제조 방법에서는 본 발명에 따른 나노 입자 형성 방법을 이용해 나노 입자를 형성한 다음, 상기 나노 입자가 형성된 혼합용액에 전도성 고분자와 절연성 고분자를 용해시켜 고분자 혼합용액을 제조한다. 이것을 제1 전극이 형성된 기판 위에 스핀 코팅하여 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 단층 고분자 박막 안에 상기 나노 입자가 분산된 발광층을 형성한다. 상기 발광층 위에 제2 전극을 형성한다.
Int. CL B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020080110771 (2008.11.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1139927-0000 (2012.04.18)
공개번호/일자 10-2010-0051946 (2010.05.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120430) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.10)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울특별시 마포구
2 손동익 대한민국 서울특별시 마포구
3 유찬호 대한민국 서울특별시 성동구
4 정재훈 대한민국 서울특별시 광진구
5 추동철 대한민국 서울특별시 중랑구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0774323-19
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0513796-86
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0801706-74
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0801741-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0362423-19
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0679087-69
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0679071-39
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0190487-19
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
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번호 청구항
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4 4
기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되고 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 단층 고분자 박막 내의 금속 산화물 나노 입자로 구성된 발광층; 및상기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 전도성 고분자는 폴리(N-비닐카르바졸)(Poly(N-vinylcarbazole), PVK)이고 절연성 고분자는 폴리메틸메타아크릴레이트(poly methyl methacrylate, PMMA), 폴리-4-비닐-페놀(poly-4-vinyl-phenol, PVP), 폴리이미드(poly imide, PI) 및 폴리스티렌(poly styrene, PS) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자
5 5
기판; 상기 기판 상에 형성된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성되고 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 단층 고분자 박막 내의 금속 산화물 나노 입자로 구성된 발광층; 및상기 발광층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 비율은 질량비로 5 : 5인 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자
6 6
원료 금속염을 용매에 용해시켜 혼합용액을 제조하는 단계;상기 혼합용액을 가열한 후 냉각시키는 과정에서 상기 혼합용액 내에 금속 산화물 나노 입자를 형성하는 단계;상기 나노 입자가 형성된 혼합용액에 전도성 고분자와 절연성 고분자를 용해시켜 고분자 혼합용액을 제조하는 단계;제1 전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 상기 고분자 혼합용액을 스핀 코팅하여 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 단층 고분자 박막 안에 상기 나노 입자가 분산된 발광층을 형성하는 단계; 및상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 발광 소자 제조 방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 원료 금속염은 Zn 아세트산염 이수화물(zinc acetate dihydrate, [(CH3COO)2Zn·2H2O])이고 상기 용매는 디메틸포름아미드(N,N-Dimethylformamid, DMF)이며 상기 혼합용액을 100℃ 이상으로 가열한 후 냉각시키는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자 제조 방법
8 8
제6항에 있어서, 상기 전도성 고분자는 폴리(N-비닐카르바졸)(Poly(N-vinylcarbazole), PVK)이고 절연성 고분자는 폴리메틸메타아크릴레이트(poly methyl methacrylate, PMMA), 폴리-4-비닐-페놀(poly-4-vinyl-phenol, PVP), 폴리이미드(poly imide, PI) 및 폴리스티렌(poly styrene, PS) 중 어느 하나이고 상기 전도성 고분자와 절연성 고분자의 혼합 비율은 질량비로 5 : 5로 하는 것을 특징으로 하는 고분자 발광 소자 제조 방법
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1 한국과학재단 한양대학교 국가지정연구실 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구