요약 | 탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 메모리 소자는, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극, 상기 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층, 및 상기 전하포획층 상에 형성된 제2전극을 포함한 것으로, 탄소 나노튜브 표면에 나노입자를 부착시킨 구조를 상태 저장에 활용하는 새로운 소자이다. 탄소 나노튜브, 메모리 소자, 나노입자 |
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Int. CL | H01L 27/115 (2017.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01) |
CPC | H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) H01L 45/10(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080014300 (2008.02.18) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0945493-0000 (2010.02.25) |
공개번호/일자 | 10-2009-0089003 (2009.08.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20100309) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.02.18) |
심사청구항수 | 5 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김태환 | 대한민국 | 서울 마포구 |
2 | 푸샨리 | 중국 | 서울시 성동구 |
3 | 손동익 | 대한민국 | 서울 마포구 |
4 | 김상욱 | 대한민국 | 서울 송파구 |
5 | 정재훈 | 대한민국 | 서울 광진구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 송경근 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0117409-59 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.06.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0039739-91 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2009.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0355264-22 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2009.09.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0545715-22 |
7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.09.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0545720-51 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2009.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0529576-43 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제1전극; 상기 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층; 및 상기 전하포획층 상에 형성된 제2전극을 포함하고, 상기 나노입자가 상기 탄소 나노튜브 표면에 반응기를 통해 직접 결합되어 있고, 상기 나노입자에 전자가 포획되지 않은 경우에 비하여 상기 나노입자에 전자가 포획된 경우에 상기 탄소 나노튜브의 전기전도도가 증가하는 것을 이용해 저항 변화를 일으켜 소자의 기억 상태를 판별하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 나노입자는 금속, 화합물 또는 코어(core)-쉘(shell) 구조 나노입자인 것을 특징으로 하는 메모리 소자 |
4 |
4 기판 상에 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1전극 상에 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층을 형성하는 단계; 및 상기 전하포획층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 나노입자가 상기 탄소 나노튜브 표면에 반응기를 통해 직접 결합되어 있고, 상기 나노입자에 전자가 포획되지 않은 경우에 비하여 상기 나노입자에 전자가 포획된 경우에 상기 탄소 나노튜브의 전기전도도가 증가하는 것을 이용해 저항 변화를 일으켜 소자의 기억 상태를 판별하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 제조 방법 |
5 |
5 제4항에 있어서, 상기 전하포획층을 형성하는 단계는, 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브가 용매에 분산된 용액을 준비하는 단계; 상기 용액을 상기 기판 위에 스핀코팅하여 막을 형성하는 단계; 및 상기 막으로부터 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 소자 제조 방법 |
6 |
6 제5항에 있어서, 상기 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브가 용매에 분산된 용액을 준비하는 단계는 |
지정국 정보가 없습니다 |
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순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2009104870 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
2 | WO2009104870 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2009104870 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
2 | WO2009104870 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 한국과학재단 | 과학기술부, 한국과학재단 | 국가지정연구실 사업 | 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구 |
특허 등록번호 | 10-0945493-0000 |
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표시번호 | 사항 |
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1 |
출원 연월일 : 20080218 출원 번호 : 1020080014300 공고 연월일 : 20100309 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20091224 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 27/115 발명의 명칭 : 나노입자를 부착한 탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20160226 |
순위번호 | 사항 |
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1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(의무자) 한양대학교 산학협력단 서울 성동구... |
2 |
(권리자) 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 120,000 원 | 2010년 02월 25일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2013년 01월 11일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2014년 01월 13일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 150,000 원 | 2015년 02월 02일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.02.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0117409-59 |
2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2008.03.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2008-5037763-28 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.06.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2009.07.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0039739-91 |
5 | 의견제출통지서 | 2009.08.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0355264-22 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2009.09.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0545715-22 |
7 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.09.04 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0545720-51 |
8 | 등록결정서 | 2009.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2009-0529576-43 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014043947 |
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자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 나노입자를 부착한 탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및그 제조 방법 |
기술개요 |
탄소 나노튜브를 이용한 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 메모리 소자는, 기판, 상기 기판 상에 형성되는 제1전극, 상기 제1전극 상에 형성되고 나노입자가 부착된 탄소 나노튜브로 이루어진 전하포획층, 및 상기 전하포획층 상에 형성된 제2전극을 포함한 것으로, 탄소 나노튜브 표면에 나노입자를 부착시킨 구조를 상태 저장에 활용하는 새로운 소자이다. 탄소 나노튜브, 메모리 소자, 나노입자 |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 비휘발성 메모리 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345121980 |
---|---|
세부과제번호 | 2007-0056638 |
연구과제명 | 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리 소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에 대한 연구 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1345072213 |
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세부과제번호 | R0A-2007-000-20044-0 |
연구과제명 | 복합형나노양자구조를이용한차세대비휘발성메모리소자및발광소자를위한나노물리,나노소재및소자에대한연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200707~201206 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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