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1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법 및 이에 의하여제조된 1차원 스핀 광자결정 소자

  • 기술번호 : KST2014043589
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1차원 스핀 광자결정 (Spin Photonic Crystal) 소자의 제조방법 및 이에 의하여 제조된 1차원 스핀 광자결정 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법은 펨토초 레이저 광원으로부터 발생한 레이저빔의 간섭에 의하여 자성 및 비자성 영역을 형성시키는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 1차원 스핀 광자결정의 제조방법은 신속하고 간단한 공정으로 우수한 물성의 1차원 스핀 광자결정을 제조할 수 있으므로, 고집적화 및 대량 생산에 적합하며, 또한 1차원 스핀 광자결정의 광자성 효과가 우수하므로 새로운 광소자 개발 등에 응용될 수 있다.
Int. CL G02B 6/122 (2006.01.01) C03C 17/09 (2006.01.01) C03C 17/00 (2006.01.01) C23C 14/18 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01) C23C 14/34 (2006.01.01)
CPC G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01) G02B 6/1225(2013.01)
출원번호/일자 1020080032951 (2008.04.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0974097-0000 (2010.07.29)
공개번호/일자 10-2009-0008109 (2009.01.21) 문서열기
공고번호/일자 (20100804) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070070986   |   2007.07.16
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영백 대한민국 서울 용산구
2 이주열 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김진배 대한민국 서울 성동구
4 이건준 대한민국 서울 강동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)
2 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0254910-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2009-0039858-15
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0496165-28
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0042580-60
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0088098-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0164931-10
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0164932-66
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0164929-28
10 등록결정서
Decision to grant
2010.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0320453-60
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
자성 및 비자성영역을 포함하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조 방법에 있어서, 기판상에 적층된 박막층에 펨토초 레이저 광원을 조사하여 레이저빔의 간섭에 의하여 자성 및 비자성 영역을 형성시키되; 상기 레이저빔의 간섭은 상기 펨토초 레이저 광원으로부터 발생하는 레이저빔을 제 1 및 제 2 레이저빔으로 분할시킨 후, 상기 분할된 제 1 및 제 2 레이저빔을 각각 상이한 경로로 상기 박막층에 입사시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 레이저빔은 동일한 에너지를 가지는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 레이저빔의 사이 각 및 파장을 조절함으로써 상기 자성-비자성 영역의 간섭주기를 조절하는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 자성-비자성 영역의 간섭주기는 하기 수학식에 의하여 조절되는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 펨토초 레이저는 티타늄-사파이어 레이저인 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1항에 있어서, 상기 박막층은 Co2MnSi를 포함하는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
9 9
제 3항에 있어서, 상기 기판은 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자의 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 박막층은 마그네트론(Magnetron) 스퍼터링(Sputtering) 방법에 의하여 증착되는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자
11 11
기판 및 상기 기판상에 적층된 박막층을 포함하며, 상기 박막층은 펨토초 레이저 광원으로부터 발생한 레이저빔의 간섭에 의하여 형성된 자성 및 비자성 영역을 포함하며, 향상된 광자성 효과를 갖는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자
12 12
제 11항에 있어서, 상기 박막층은 Co2MnSi를 포함하는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자
13 13
제 12항에 있어서, 상기 기판은 유리를 포함하는 것을 특징으로 하는 1차원 스핀 광자결정 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08070919 US 미국 FAMILY
2 US20090022996 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009022996 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8070919 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.