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다중 비트 비휘발성 메모리 소자 및 상기 소자의 동작 방법

  • 기술번호 : KST2015142482
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 다중 비트 비휘발성 메모리 소자 및 상기 소자의 동작 방법을 제공한다. 상기 소자는 상부로 돌출된 활성 핀을 구비하는 반도체 기판을 갖는다. 상기 활성 핀은 소오스/드레인 영역들 및 상기 소오스/드레인 영역들 사이에 채널 영역을 구비한다. 상기 채널 영역의 제1 측벽 상에 제1 제어 게이트가 위치한다. 상기 채널 영역의 제2 측벽 상에 상기 제1 제어 게이트와 이격된 제2 제어 게이트가 위치한다. 상기 제1 측벽과 상기 제1 제어 게이트 사이에 제1 전하 저장 패턴이 위치한다. 상기 제2 측벽과 상기 제2 제어 게이트 사이에 제2 전하 저장 패턴이 위치한다.
Int. CL H01L 27/115 (2017.01.01) G11C 16/26 (2006.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020080013838 (2008.02.15)
출원인 한양대학교 산학협력단, 삼성전자주식회사
등록번호/일자 10-0975912-0000 (2010.08.09)
공개번호/일자 10-2009-0088518 (2009.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20100813) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.15)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 곽계달 대한민국 서울 종로구
3 박상수 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0114098-27
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0503713-23
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0656279-52
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2008-0673154-08
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0030369-46
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0474460-88
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0029785-62
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0029783-71
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0205038-16
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부로 돌출된 활성 핀을 구비하는 반도체 기판, 상기 활성 핀은 소오스/드레인 영역들 및 상기 소오스/드레인 영역들 사이에 채널 영역을 구비하고; 상기 채널 영역의 제1 측벽 상에 위치하는 제1 제어 게이트; 상기 채널 영역의 제2 측벽 상에 위치하고 상기 제1 제어 게이트와 이격된 제2 제어 게이트; 상기 제1 측벽과 상기 제1 제어 게이트 사이에 위치하는 제1 전하 저장 패턴; 및 상기 제2 측벽과 상기 제2 제어 게이트 사이에 위치하는 제2 전하 저장 패턴을 포함하되, 상기 채널 영역은 상기 소오스/드레인 영역들보다 리세스된 비휘발성 메모리 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제1 제어 게이트는 상기 채널 영역의 상부면의 일부영역 상으로 연장되고, 상기 제2 제어 게이트는 상기 채널 영역의 상부면의 다른 일부영역 상으로 연장되고, 상기 제1 전하 저장 패턴은 상기 채널 영역의 상부면과 상기 제1 제어 게이트 사이로 연장되고, 상기 제2 전하 저장 패턴은 상기 채널 영역의 상부면과 상기 제2 제어 게이트 사이로 연장된 비휘발성 메모리 소자
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제1 제어 게이트에 접속하는 제1 워드라인 및 상기 제2 제어 게이트에 접속하는 제2 워드라인을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전하 저장 패턴들과 상기 측벽들 사이에 위치하는 터널링 절연막; 및 상기 전하 저장 패턴들과 상기 제어 게이트들 사이에 위치하는 블로킹 절연막을 더 포함하는 비휘발성 메모리 소자
6 6
상부로 돌출되고, 소오스/드레인 영역들 및 상기 소오스/드레인 영역들 사이에 상기 소오스/드레인 영역들보다 리세스된 채널 영역을 갖는 활성 핀을 구비하는 반도체 기판; 상기 채널 영역의 제1 측벽 상에 위치하는 제1 제어 게이트; 상기 채널 영역의 제2 측벽 상에 위치하는 제2 제어 게이트; 상기 제1 측벽과 상기 제1 제어 게이트 사이에 위치하는 제1 전하 저장 패턴; 및 상기 제2 측벽과 상기 제2 제어 게이트 사이에 위치하는 제2 전하 저장 패턴을 구비하는 비휘발성 메모리 소자를 제공하는 단계; 및 상기 반도체 기판과 상기 제1 제어 게이트 사이, 또는 상기 반도체 기판과 상기 제2 제어 게이트 사이에 프로그래밍 전계를 인가하여, 상기 제1 전하 저장 패턴 또는 상기 제2 전하 저장 패턴에 전하를 저장하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 데이터 프로그래밍 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 프로그래밍 전계는 서로 다른 크기를 갖는 제1 내지 제3 프로그래밍 전계들 중에서 선택된 어느 하나인 비휘발성 메모리 소자의 데이터 프로그래밍 방법
8 8
상부로 돌출되고, 소오스/드레인 영역들 및 상기 소오스/드레인 영역들 사이에 상기 소오스/드레인 영역들보다 리세스된 채널 영역을 갖는 활성 핀을 구비하는 반도체 기판; 상기 채널 영역의 제1 측벽 상에 위치하는 제1 제어 게이트; 상기 채널 영역의 제2 측벽 상에 위치하는 제2 제어 게이트; 상기 제1 측벽과 상기 제1 제어 게이트 사이에 위치하는 제1 전하 저장 패턴; 및 상기 제2 측벽과 상기 제2 제어 게이트 사이에 위치하는 제2 전하 저장 패턴을 구비하는 비휘발성 메모리 소자를 제공하는 단계; 및 상기 반도체 기판과 상기 제어 게이트들 사이에 소거 전계를 인가하여, 상기 제1 전하 저장 패턴 및 상기 제2 전하 저장 패턴에 저장된 전하를 소거하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 데이터 소거 방법
9 9
상부로 돌출되고, 소오스/드레인 영역들 및 상기 소오스/드레인 영역들 사이에 상기 소오스/드레인 영역들보다 리세스된 채널 영역을 갖는 활성 핀을 구비하는 반도체 기판; 상기 채널 영역의 제1 측벽 상에 위치하는 제1 제어 게이트; 상기 채널 영역의 제2 측벽 상에 위치하는 제2 제어 게이트; 상기 제1 측벽과 상기 제1 제어 게이트 사이에 위치하는 제1 전하 저장 패턴; 및 상기 제2 측벽과 상기 제2 제어 게이트 사이에 위치하는 제2 전하 저장 패턴을 구비하는 비휘발성 메모리 소자를 제공하는 단계; 상기 소오스 영역에 기준 전압을 인가하고, 상기 드레인 영역에 드레인 읽기 전압을 인가하고, 상기 제1 제어 게이트에 게이트 읽기 전압을 인가하여 드레인 전류를 센싱하는 단계; 및 상기 소오스 영역에 기준 전압을 인가하고, 상기 드레인 영역에 드레인 읽기 전압을 인가하고, 상기 제2 제어 게이트에 게이트 읽기 전압을 인가하여 드레인 전류를 센싱하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 데이터 읽기 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 게이트 읽기 전압을 인가하는 것은 서로 다른 크기를 갖는 제1 내지 제3 게이트 읽기 전압을 차례로 인가하는 것이고, 각각의 경우에 드레인 전류를 읽는 비휘발성 메모리 소자의 데이터 읽기 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07863673 US 미국 FAMILY
2 US07927951 US 미국 FAMILY
3 US20090206385 US 미국 FAMILY
4 US20110069555 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009206385 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2011069555 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US7863673 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US7927951 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 한양대학교 국가지정연구실 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구