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질화갈륨 패턴 형성방법 및 이를 이용한 플래시 기억소자 제조방법과 플래시 기억소자

  • 기술번호 : KST2014047780
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 질화갈륨 패턴 형성방법 및 이를 이용한 플래시 기억소자 제조방법과 플래시 기억소자가 개시된다. 본 발명에 따른 플래시 기억소자 제조방법은 터널링 절연막이 형성된 기판을 반응기 내부에 로딩하고, 반응기 내부에 과포화된 할로겐화 갈륨 가스와 질소를 포함하는 가스를 형성시킨 후, 과포화된 할로겐화 갈륨 가스와 질소를 포함하는 가스를 이용하여 터널링 절연막 상에 질화갈륨 나노로드를 성장시킨다. 그리고 터널링 절연막과 질화갈륨 나노로드가 함께 덮이도록 터널링 절연막 상에 게이트 절연막을 형성하고, 터널링 절연막 양측 하부의 기판에 소스 영역과 드레인 영역을 형성한다. 그리고 게이트 절연막, 소스 영역 및 드레인 영역 상에 각각 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다. 본 발명에 따른 질화갈륨 패턴 형성방법 및 이를 이용한 플래시 기억소자 제조방법에 의하면, 종래의 질화갈륨 나노구조를 형성하기 위해 이용되는 장비보다 저렴한 장비를 이용하고 질화갈륨 나노구조 형성과정이 보다 간단하기 때문에 소자의 생산 효율이 증가하게 된다. 질화갈륨, 플래시 메모리, 나노로드, 과포화, 플로팅 게이트
Int. CL H01L 21/20 (2006.01.01) H01L 27/115 (2017.01.01) H01L 21/8247 (2006.01.01) B82Y 10/00 (2017.01.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020080013811 (2008.02.15)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0956402-0000 (2010.04.28)
공개번호/일자 10-2009-0088505 (2009.08.20) 문서열기
공고번호/일자 (20100506) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.15)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태환 대한민국 서울 마포구
2 권영해 대한민국 경기 남양주시
3 이대욱 대한민국 경기 고양시 일산동구
4 정재훈 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송경근 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로**길 ** (방배동) 기산빌딩 *층(엠앤케이홀딩스주식회사)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0113879-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0051859-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0399996-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0699271-74
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0699254-08
8 심사처리보류(연기)보고서
Report of Deferment (Postponement) of Processing of Examination		 2010.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2010-0003780-51
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0176258-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
600 내지 700 ℃의 온도 범위로 설정된 반응기 내부에 과포화된 염화갈륨(GaClx) 가스와 암모니아(NH3) 가스를 형성시키는 단계; 및 상기 과포화된 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 이용하여 600 내지 700 ℃의 온도 범위에서 상기 반응기 내부에 로딩된 기판 상에 질화갈륨(GaN) 나노로드(nanorod)를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 패턴 형성방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 반응기 내부에 과포화된 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 형성시키는 단계는, 900 내지 1000 ℃의 온도 범위로 설정된 상기 반응기 내부에 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 형성시키는 단계; 및 상기 반응기 내부의 온도를 600 내지 700 ℃ 범위로 낮추어 상기 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 과포화 상태로 만드는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 패턴 형성방법
4 4
제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 나노로드는 상기 기판과 수직하게 형성시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 패턴 형성방법
5 5
삭제
6 6
제3항에 있어서, 상기 염화갈륨 가스는 갈륨(Ga)과 염화수소(HCl)를 상기 반응기 내부에서 반응시켜 생성하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 패턴 형성방법
7 7
제6항에 있어서, 상기 갈륨과 염화수소는 800 내지 900℃로 설정된 범위에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 패턴 형성방법
8 8
터널링 절연막이 형성된 기판을 반응기 내부에 로딩하는 단계; 600 내지 700 ℃의 온도 범위로 설정된 상기 반응기 내부에 과포화된 염화갈륨(GaClx) 가스와 암모니아(NH3) 가스를 형성시키는 단계; 상기 과포화된 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 이용하여 600 내지 700 ℃의 온도 범위에서 상기 터널링 절연막 상에 질화갈륨(GaN) 나노로드(nanorod)를 성장시키는 단계; 상기 터널링 절연막과 상기 질화갈륨 나노로드가 함께 덮이도록 상기 터널링 절연막 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 터널링 절연막 양측 하부의 상기 기판에 소스 영역과 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 게이트 절연막, 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역 상에 각각 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서, 상기 반응기 내부에 과포화된 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 형성시키는 단계는, 900 내지 1000 ℃의 온도 범위로 설정된 상기 반응기 내부에 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 형성시키는 단계; 및 상기 반응기 내부의 온도를 600 내지 700 ℃ 범위로 낮추어 상기 염화갈륨 가스와 암모니아 가스를 과포화 상태로 만드는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
11 11
제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 나노로드는 상기 기판과 수직하게 형성시키는 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
12 12
삭제
13 13
제10항에 있어서, 상기 염화갈륨은 갈륨(Ga)과 염화수소(HCl)를 상기 반응기 내부에서 반응시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 갈륨과 염화수소는 800 내지 900℃로 설정된 범위에서 반응시키는 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
15 15
제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 터널링 절연막은 상기 실리콘 기판을 열산화하여 형성시킨 실리콘 산화막(SiO2)인 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
16 16
제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
17 17
제8항 또는 제10항에 있어서, 상기 질화갈륨 나노로드 상단에서 상기 게이트 절연막의 상면까지의 두께는 상기 터널링 절연막의 두께보다 2배 이상인 것을 특징으로 하는 플래시 기억소자 제조방법
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 과학기술부, 한국과학재단 국가지정연구실 사업 복합형 나노 양자 구조를 이용한 차세대 비휘발성 메모리소자 및 발광 소자를 위한 나노 물리, 나노 소재 및 소자에대한 연구