1 |
1
무극성 또는 반극성면 중에 하나를 갖는 베이스 기판;
상기 베이스 기판의 면에 형성된 질화물계 결정성장핵층;
상기 결정성장핵층 위에 성장되며, 수평 방향에 비해서 수직 방향으로 더 빨리 성장된 제1 버퍼층;
상기 제1 버퍼층 위에 성장되며, 수직 방향에 비해서 수평 방향으로 더 빨리 성장된 수평성장층;
상기 수평성장층 위에 성장된 제2 버퍼층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
2 |
2
제1항에 있어서,
상기 제1 버퍼층, 상기 수평성장층 또는 상기 제2 버퍼층의 계면 또는 내부에 형성되며, 균일하게 복수의 구멍이 형성된 적어도 하나의 질화실리콘(SiNx)층;을 더 포함하며,
상기 질화실리콘층의 구멍을 통하여 상기 질화실리콘층 아래의 결정이 성장하여 상기 질화실리콘층 위를 덮는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
3 |
3
제2항에 있어서, 상기 질화실리콘층은,
상기 제1 버퍼층 위에 상기 수평성장층과 상기 제2 버퍼층 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 베이스 기판은,
사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
5 |
5
제4항에 있어서, 상기 무극성 또는 반성극면은,
a면, r면 또는 m면 중에 하나인 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
6 |
6
제5항에 있어서, 상기 질화물계 결정성장핵층은,
무극성 또는 반극성을 갖는 질화물계 단결정인 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
7 |
7
제6항에 있어서, 상기 질화물계 결정성장핵층은,
GaN, AlxGa1-xN, InxGa1-yN(0003c#x,y003c#1) 중에 하나인 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
8 |
8
제7항에 있어서, 상기 질화물계 결정성장핵층은,
450~1300℃, 30~760 torr의 질소나 수소분위기, V/Ⅲ의 비가 50~3000에서 성장시킨 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 제1 버퍼층은,
V/Ⅲ의 비가 50~2000, 450~1300℃ 및 100~760 torr에서 성장시킨 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
10 |
10
제9항에 있어서, 상기 수평성장층은,
V/Ⅲ의 비가 2~1000, 800~1500℃ 및 10~300 torr에서 성장시킨 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
11 |
11
제10항에 있어서, 제2 버퍼층은,
V/Ⅲ의 비가 50~2000, 450~1300℃ 및 30~760 torr에서 성장시킨 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
12 |
12
제11항에 있어서, 상기 질화물계 결정성장핵층은,
5~700nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판
|
13 |
13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 질화물이 적층된 이종 기판;
상기 제2 버퍼층 위에 형성된 n타입 또는 p타입 중의 하나의 제1 질화물층;
상기 제1 질화물층 위에 형성된 활성층;
상기 활성층 위에 형성되며 상기 제1 질화물층과 반대되는 타입의 제2 질화물층;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 소자
|
14 |
14
무극성 또는 반극성면 중에 하나를 갖는 베이스 기판을 준비하는 준비 단계;
상기 베이스 기판의 면에 질화물계 결정성장핵층을 형성하는 결정성장핵층 형성 단계;
상기 결정성장핵층 위에 제1 버퍼층을 성장시키되, 수평 방향에 비해서 수직 방향으로 더 빨리 성장시키는 제1 버퍼층 성장 단계;
상기 제1 버퍼층 위에 수평성장층을 성장시키되, 수직 방향에 비해서 수평 방향으로 더 빨리 성장시키는 수평성장층 성장 단계;
상기 수평성장층 위에 제2 버퍼층을 성장시키는 제2 버퍼층 성장 단계;
을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판의 제조 방법
|
15 |
15
제14항에 있어서,
상기 베이스 기판은 사파이어 기판이고, 상기 무극성 또는 반성극면은 a면, r면 또는 m면 중에 하나인 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판의 제조 방법
|
16 |
16
제14항에 있어서, 상기 수평성장층 성장 단계는,
상기 제1 버퍼층 위에 제1 수평성장층을 성장시키는 단계;
상기 제1 수평성장층 위에 복수의 구멍을 갖는 질화실리콘층을 형성하는 단계;
상기 질화실리콘층의 구멍으로 노출된 상기 제1 수평성장층을 성장시켜 상기 질화실리콘층을 덮는 제2 수평성장층을 성장시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판의 제조 방법
|
17 |
17
제14항에 있어서, 상기 제2 버퍼층 성장 단계는,
상기 수평성장층 위에 제2-1 버퍼층을 성장시키는 단계;
상기 제2-1 버퍼층 위에 복수의 구멍을 갖는 질화실리콘층을 형성하는 단계;
상기 질화실리콘층의 구멍으로 노출된 상기 제2-1 버퍼층을 성장시켜 상기 질화실리콘층을 덮는 제2-2 버퍼층을 성장시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종 기판의 제조 방법
|
18 |
18
제14항에 있어서, 상기 수평성장층 형성 단계 이후에 수행되는,
상기 수평성장층 위에 복수의 구멍을 갖는 질화실리콘층을 형성하는 질화실리콘층 형성 단계;를 더 포함하며,
상기 제2 버퍼층 성장 단계에서 상기 질화실리콘층의 구멍으로 노출된 상기 수평성장층을 성장시켜 상기 질화실리콘층을 덮는 상기 제2 버퍼층을 성장시키는 것을 특징으로 하는 질화물이 적층된 이종의 제조 방법
|