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메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치

  • 기술번호 : KST2014045101
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 강유전체 트랜지스터, 강유전체 트랜지스터와 전기적으로 결합된 복수의 스위칭 소자, 및 복수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 각각의 제어 신호를 각각의 스위칭 소자에게 전달하기 위한 복수의 제어 라인을 포함하고, 강유전체 트랜지스터의 각 전극이 플로팅(floating)되지 않도록, 복수의 스위칭 소자가 각각의 제어 신호에 기초하여 개별적으로 제어되도록 구성되는 메모리 셀이 제공된다.
Int. CL G11C 7/10 (2006.01) G11C 7/22 (2006.01) G11C 11/22 (2006.01)
CPC G11C 11/22(2013.01) G11C 11/22(2013.01) G11C 11/22(2013.01) G11C 11/22(2013.01) G11C 11/22(2013.01) G11C 11/22(2013.01)
출원번호/일자 1020100116736 (2010.11.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0055173 (2012.05.31) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.23)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 변춘원 대한민국 대전광역시 유성구
2 김병훈 대한민국 경기도 고양시 덕양구
3 윤성민 대한민국 대전광역시 서구
4 양신혁 대한민국 경기도 용인시 수지구
5 유민기 대한민국 서울특별시 노원구
6 황치선 대한민국 대전광역시 유성구
7 박상희 대한민국 대전광역시 유성구
8 조경익 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0763846-76
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063343-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.11.23 무효 (Invalidation) 1-1-2015-1137684-11
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-1137701-11
6 보정요구서
Request for Amendment		 2015.12.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0183245-74
7 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0010704-52
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-1094097-12
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0185242-17
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0452732-16
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0452731-71
12 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0659488-60
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
강유전체 트랜지스터;상기 강유전체 트랜지스터와 전기적으로 결합된 복수의 스위칭 소자; 및상기 복수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 각각의 제어 신호를 각각의 스위칭 소자에게 전달하기 위한 복수의 제어 라인을 포함하고,상기 강유전체 트랜지스터의 각 전극이 플로팅(floating)되지 않도록, 상기 복수의 스위칭 소자가 상기 각각의 제어 신호에 기초하여 개별적으로 제어되도록 구성되는 것인, 메모리 셀
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 스위칭 소자는 각각 상기 강유전체 트랜지스터의 적어도 하나의 전극과 접속되도록 구성된 패스 트랜지스터인 것인 메모리 셀
3 3
제2항에 있어서, 상기 복수의 스위칭 소자는 제1 스위칭 소자, 제2 스위칭 소자 및 제3 스위칭 소자를 포함하며,상기 제1 스위칭 소자는 상기 강유전체 트랜지스터의 소스 전극과 접속되고, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 강유전체 트랜지스터의 게이트 전극과 접속되며, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 강유전체 트랜지스터의 소스 전극과 게이트 전극 사이를 스위칭하며,상기 강유전체 트랜지스터의 드레인 전극으로는 레퍼런스 전압이 제공되는 메모리 셀
4 4
제3항에 있어서, 상기 복수의 제어 라인은 제1 제어 라인, 제2 제어 라인 및 제3 제어 라인을 포함하며,상기 제1 제어 라인, 제2 제어 라인 및 제3 제어 라인 각각은 상기 제1 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제3 스위칭 소자 각각의 게이트 전극과 연결되어 상기 제1 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자 및 상기 제3 스위칭 소자 각각의 온(on)/오프(off) 동작을 제어하도록 구성되는 것인 메모리 셀
5 5
제4항에 있어서, 상기 메모리 셀은 제1 입출력 라인 및 제2 입출력 라인을 더 포함하며,상기 제1 스위칭 소자는 상기 소스 전극과 상기 제1 입출력 라인 사이의 접속을 스위칭하고, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 게이트 전극과 상기 제2 입출력 라인 사이의 접속을 스위칭하며, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극 사이의 접속을 스위칭하는 것인 메모리 셀
6 6
제5항에 있어서, 상기 메모리 셀은 상기 강유전체 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 상기 레퍼런스 전압을 제공하기 위한 제3 입출력 라인을 더 포함하는 메모리 셀
7 7
제6항에 있어서, 상기 메모리 셀의 쓰기 동작 시에,상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제2 스위칭 소자는 각각 상기 제1 제어 라인 및 상기 제2 제어 라인의 제어에 의해 온 상태가 되고, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 제3 제어 라인의 제어에 의해 오프 상태가 되도록 구성되는 것인 메모리 셀
8 8
제7항에 있어서,상기 메모리 셀에 1을 쓰기 위한 동작 시에,상기 제1 입출력 라인 및 상기 제3 입출력 라인에 로우(low) 신호가 인가되고, 상기 제2 입출력 라인에 하이(high) 신호가 인가되는 것인 메모리 셀
9 9
제7항에 있어서,상기 메모리 셀에 0을 쓰기 위한 동작 시에,상기 제1 입출력 라인 및 상기 제3 입출력 라인에 하이(high) 신호가 인가되고, 상기 제2 입출력 라인에 로우(low) 신호가 인가되는 것인 메모리 셀
10 10
제7항에 있어서,상기 메모리 셀에 0을 쓰기 위한 동작 시에,상기 제1 입출력 라인 및 상기 제3 입출력 라인에 0V의 신호가 인가되고, 상기 제2 입출력 라인에 미리 결정된 크기의 음의 전압이 인가되는 것인 메모리 셀
11 11
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 메모리 셀이 쓰기 동작을 하지 않는 대기 상태에 있을 때,상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제3 스위칭 소자는 각각 상기 제1 제어 라인 및 상기 제3 제어 라인의 제어에 의해 온 상태가 되고, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 제2 제어 라인의 제어에 의해 오프 상태가 되도록 구성되는 것인 메모리 셀
12 12
제6항에 있어서,상기 메모리 셀의 읽기 동작 시에,상기 제1 스위칭 소자 및 상기 제3 스위칭 소자는 각각 상기 제1 제어 라인 및 상기 제3 제어 라인의 제어에 의해 온 상태가 되고, 상기 제2 스위칭 소자는 상기 제2 제어 라인의 제어에 의해 오프 상태가 되도록 구성되고, 상기 제3 입출력 라인에 하이(high) 신호가 인가되는 것인 메모리 셀
13 13
제12항에 있어서, 상기 제1 입출력 라인에 흐르는 전류의 측정에 기초하여 상기 메모리 셀에 저장된 정보를 읽는 것인 메모리 셀
14 14
제13항에 있어서, 상기 제1 입출력 라인에서 측정된 전류가 미리 결정된 기준값보다 큰 경우 상기 메모리 셀에 저장된 정보를 1로 읽고, 상기 제1 입출력 라인의 측정된 전류가 미리 결정된 기준값보다 작은 경우 상기 메모리 셀에 저장된 정보를 0으로 읽는 것인 메모리 셀
15 15
제12항에 있어서, 상기 제1 입출력 라인에 용량성 소자가 연결되어 있으며, 상기 용량성 소자에 인가된 전압의 측정에 기초하여 상기 메모리 셀에 저장된 정보를 읽는 것인 메모리 셀
16 16
제15항에 있어서, 상기 용량성 소자에서 측정된 전압이 미리 결정된 기준값보다 큰 경우 상기 메모리 셀에 저장된 정보를 1로 읽고, 상기 용량성 소자에서 측정된 전압이 미리 결정된 기준값보다 작은 경우 상기 메모리 셀에 저장된 정보를 0으로 읽는 것인 메모리 셀
17 17
제12항에 있어서, 상기 메모리 셀에 저장된 정보의 읽기 동작이 수행된 후에 상기 제1 입출력 라인을 리셋(reset)하는 것인 메모리 셀
18 18
복수의 행과 열로 배열된 복수의 메모리 셀을 포함한 메모리 장치로서,각각의 메모리 셀은,강유전체 트랜지스터;상기 강유전체 트랜지스터와 전기적으로 결합된 복수의 스위칭 소자; 및상기 복수의 스위칭 소자를 제어하기 위한 각각의 제어 신호를 각각의 스위칭 소자에게 전달하기 위한 복수의 제어 라인을 포함하고,상기 강유전체 트랜지스터의 각 전극이 플로팅(floating)되지 않도록, 상기 복수의 스위칭 소자가 상기 각각의 제어 신호에 기초하여 개별적으로 제어되도록 구성되며,각 행에 배열된 복수의 스위칭 소자는 각 행에 대응하는 복수의 제어 라인에 의해 제어되는 것인 메모리 장치
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