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(a) 유기 반도체 물질을 이용하여 유기 박막을 형성하는 단계;(b) 상기 유기 박막의 소정 영역에 증발 속도가 낮은 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택된 유기 용매를 도포하거나 레이저 빔을 레이저 빔이 조사되는 영역의 온도가 10 내지 20분 동안의 조사에 의해 100℃에 도달할 수 있는 세기로 조사하여 상기 소정 영역의 유기 박막을 연성상으로 변화시키는 단계; 및(c) 상기 연성상으로 변화된 유기 박막을 소정 시간 동안 건조하여 상기 소정 영역의 결정도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법
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제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,상기 유기 반도체 물질을 이용하여 유기 반도체 용액을 만든 후 상기 유기 반도체 용액을 기판 상에 증착하여 상기 유기 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법
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제 1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하는 경우,잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 그라비아 프린팅(gravure printing), 오프셋 프린팅, 플렉소그래피(flexography) 중 어느 하나의 직접 인쇄법을 이용하여 유기 용매를 도포하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법
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제 1항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,상기 연성상으로 변화된 유기 박막의 건조시, 상기 소정 영역의 유기 박막에서 유기 분자들이 자기 정렬하는 것을 특징으로 하는 유기 박막의 국부적 결정화 방법
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(a) 기판 상부에 게이트 전극, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극 및 유기 박막을 순차적으로 형성하는 단계;(b) 상기 유기 박막의 소정 영역에 증발 속도가 낮은 디클로로벤젠, 트리클로로벤젠 및 부탄올로 이루어진 군에서 선택된 유기 용매를 도포하거나 레이저 빔을 레이저 빔이 조사되는 영역의 온도가 10 내지 20분 동안의 조사에 의해 100℃에 도달할 수 있는 세기로 조사하여 상기 소정 영역의 유기 박막을 연성상으로 변화시키는 단계; 및(c) 상기 연성상으로 변화된 유기 박막을 소정 시간 동안 건조하여 상기 소정 영역의 결정도를 향상시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제 6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 유기 박막의 소정 영역에 유기 용매를 도포하는 경우,잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 그라비아 프린팅(gravure printing), 오프셋 프린팅, 플렉소그래피(flexography) 중 어느 하나의 직접 인쇄법을 이용하여 유기 용매를 도포하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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제 6항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,상기 연성상으로 변화된 유기 박막의 건조시, 상기 소정 영역의 유기 박막에서 유기 분자들이 자기 정렬하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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