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유기 박막 트랜지스터용 조성물, 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법
- 기술번호 : KST2015101234
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 안트라세닐 그룹을 포함하는 물질 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터용 조성물(Composition for Manufacturing Organic Thin Film Transistor), 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법이 개시된다. 안트라세닐, 말레이미드, 유기 절연막, 유기 박막 트랜지스터, 가교반응 |
|---|---|
| Int. CL | H01L 29/786 (2006.01) C08L 33/00 (2006.01) C08K 5/16 (2006.01) |
| CPC | H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) H01L 51/052(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080107801 (2008.10.31) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원, 광주과학기술원 |
| 등록번호/일자 | 10-0975913-0000 (2010.08.09) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0048576 (2010.05.11) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20100813) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.10.31) |
| 심사청구항수 | 10 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 노용영 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 2 | 구재본 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 3 | 유인규 | 대한민국 | 대전 유성구 |
| 4 | 백강준 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 5 | 김동유 | 대한민국 | 광주광역시 서구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 광주과학기술원 | 대한민국 | 광주광역시 북구 |
| 2 | 한국전자통신연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0758825-41 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2009.05.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0295950-03 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0493913-13 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2009.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0495130-16 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.02.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0009040-62 |
| 8 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.07.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0319051-95 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 화학식 I 또는 화학식 II 로 표현되는 물질; 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제를 포함하는 유기 박막 트랜지스터용 조성물(Composition for Manufacturing Organic Thin Film Transistor) |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 말레이미드 그룹을 갖는 가교제는 화학식 III, 화학식 IV, 화학식 V 또는 화학식 VI 중 어느 하나인 유기 박막 트랜지스터용 조성물 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 가교제의 양은 상기 물질 100 중량부에 대해 10 내지 100 중량부인 유기 박막 트랜지스터용 조성물 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 유기 용매를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터용 조성물 |
| 5 |
5 화학식 I 또는 화학식 II 로 표현되는 물질 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제의 가교 결합에 의해 형성된 유기 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 유기 절연막은 기판 상에 형성되고, 상기 기판 상의 소오스 전극, 드레인 전극, 유기 활성층 및 게이트 전극을 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
| 7 |
7 화학식 I 또는 화학식 II 로 표현되는 물질 및 말레이미드 그룹을 갖는 가교제를 포함하는 용액을 제조하는 단계; 기판 상에 상기 용액을 코팅하는 단계; 및 상기 코팅된 기판을 열처리하여 상기 기판 상에 유기 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 형성방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 열처리에 의해 상기 물질과 상기 가교제가 디엘스-알더 반응하는 유기 박막 트랜지스터 형성방법 |
| 9 |
9 제 7 항에 있어서, 상기 용액을 코팅하는 단계 전에, 상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 절연막을 형성하는 단계 후에, 상기 유기 절연막 상에 유기 활성층을 형성하는 단계; 및 소오스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막 트랜지스터 형성방법 |
| 10 |
10 제 7 항에 있어서, 상기 용액을 코팅하는 단계 전에, 상기 기판 상에 소오스 및 드레인을 형성하는 단계; 및 상기 기판 상에 유기 활성층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 유기 절연막을 형성하는 단계 후에, 상기 유기 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 유기 박막 트랜지스터 형성방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP02182012 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
| 2 | US07960724 | US | 미국 | FAMILY |
| 3 | US20100108996 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | EP2182012 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
| 2 | US2010108996 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 3 | US7960724 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 | 한국전자통신연구원 | IT원천기술개발 | 개별물품 단위 응용을 위한 차세대 RFID 기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-0975913-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081031 출원 번호 : 1020080107801 공고 연월일 : 20100813 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20100726 청구범위의 항수 : 10 유별 : C08L 33/00 발명의 명칭 : 유기 박막 트랜지스터용 조성물, 이를 이용하여 형성된 유기 박막 트랜지스터 및 그 형성방법 존속기간(예정)만료일 : 20130810 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구... |
| 1 |
(권리자) 광주과학기술원 광주광역시 북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 217,500 원 | 2010년 08월 10일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.10.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0758825-41 |
| 2 | [명세서등 보정]보정서 | 2009.05.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2009-0295950-03 |
| 3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.08.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5150899-36 |
| 4 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0493913-13 |
| 5 | [출원서등 보정]보정서 | 2009.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0495130-16 |
| 6 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.01.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 7 | 선행기술조사보고서 | 2010.02.11 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0009040-62 |
| 8 | 등록결정서 | 2010.07.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0319051-95 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2011.09.15 | 수리 (Accepted) | 4-1-2011-5187089-85 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-0006137-44 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345084797 |
|---|---|
| 세부과제번호 | gist-08 |
| 연구과제명 | 과학기술응용연구단운영 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 교육과학기술부 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200501~201412 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1350008187 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-01412 |
| 연구과제명 | 신기능고효율광전소자를위한점진적나노구조제어기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국과학재단 |
| 연구주관기관명 | 광주과학기술원 |
| 성과제출연도 | 2006 |
| 연구기간 | 200504~200703 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1415086704 |
|---|---|
| 세부과제번호 | A1100-0801-2990 |
| 연구과제명 | (국문)개별물품단위응용을위한차세대RFID기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 정보통신연구진흥원 |
| 연구주관기관명 | 한국전자통신연구원 |
| 성과제출연도 | 2008 |
| 연구기간 | 200803~201302 |
| 기여율 | 0.33333334 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | 기타 |
특허성과
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|---|---|---|
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