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(1) 기판 상의 전극 위에 양극 활물질을 증착하는 단계, 및(2) 금속 산화물 타켓 상에 금속 칩을 올리고 스퍼터링하여 상기 양극 활물질 상에 복합형 금속 산화물을 증착하는 단계를 포함하고,상기 단계 (2) 이후에, (2'') 상기 복합형 금속 산화물이 증착된 기판을 추가 열처리하는 단계를 더 포함하며, 상기 단계 (2'')의 압력 조건은 1 - 7 mTorr이고, 온도 조건은 100 - 500 ℃인 것이고,상기 복합형 금속 산화물이 비정질인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 단계 (1)과 단계 (2) 사이에, (1'') 상기 양극 활물질이 증착된 기판을 고온 열처리하는 단계를 더 포함하는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제2항에 있어서, 단계 (1'')의 압력 조건은 진공 또는 상압 하이고, 온도조건은 100 - 1000 ℃이며, 열처리 시간은 수 분 내지 1 시간인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 단계 (2'')의 열처리 시간은 수 분 내지 1 시간인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 전극은 Pt 전극인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 칩은 Mg, Al, Co, Ni, K, Na, Ca, Si, Fe, Cu, Zn, Ti, Sn, V, Ge, Ga, B, P, Se, Bi, As, Zr, Mn, Cr, Ge, Sr, V, Sc, Y 및 Ta 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상의 혼합물인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 산화물은 AlOx, SnOx, ZrOx, ZnOx, CuOx, CoOx, TiOx, CrOx, WOx, CaOx 및 MgOx ( 0 < x ≤ 3 )로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 단계 (2)는 5 - 15 ℃로 냉각하면서 이루어지는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 단계 (1) 및 단계 (2)에서, 기판에 전류 또는 전압을 가하여 양극 활물질의 증착 또는 복합형 금속 산화물의 증착과 동시에 열처리하는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 열처리의 온도 조건은 50 - 200 ℃ 인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 단계 (2)는 Ar 분위기 하에서 이루어지는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 (1)은전극 활물질을 준비하는 단계,상기 전극 활물질을 포함하는 전구체 용액을 제조하는 단계, 및기판 상에 상기 전구체 용액을 프린팅하고 80 - 120 ℃에서 용매를 증발시키는 단계를 포함하는 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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제14항에 있어서, 상기 전구체 용액은 리튬카보네이트, 리튬나이트레이트, 리튬아세테이트, 리튬하이드록사이드, 코발트카보네이트, 코발트하이드록사이드, 코발트나이트레이트, 코발트아세테이트, 니켈하이드록사이드, 니켈나이트레이트, 니켈아세테이트, 망간하이드록사이드, 망간나이트레이트, 망간아세테이트, 철화합물 및 티타늄화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상을 포함하는 것인 리튬전지용 양극 활물질의 제조 방법
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