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기판 상에 저온 성장 ZnO 버퍼층을 형성하는 단계;상기 저온 성장 ZnO 버퍼층 상에 n형 ZnO층을 형성하는 단계;상기 n형 ZnO층 상에 언도프된 ZnO로 이루어진 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 Ⅴ족 원소가 도프된 p형 ZnO층을 형성하는 단계; 및상기 p형 ZnO층의 산소결핍에 의한 n형 성질이 보상되도록, 산소분위기에서 상기 p형 ZnO층을 열처리하는 단계를 포함하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 기판은, 사파이어, ZnO, SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2 및 LiGaO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 저온성장 ZnO 버퍼층은 스퍼터링공정에 의해 형성되며, 상기 스퍼터링공정은 상기 ZnO 버퍼층의 표면조도가 3 ㎚이하로 유지하도록 RF 파워를 낮게 설정하여 실시되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 RF 파워는 20∼100 W 범위인 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제11항에 있어서,상기 저온성장 ZnO 버퍼층의 표면조도가 2 ㎚이하로 유지하도록 RF 파워를 낮게 설정하여 실시되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 n형 ZnO층을 형성하는 단계는, Ⅲ족 원소가 도프된 n형 ZnO층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 Ⅲ족 원소는 Ga인 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 n형 ZnO층은 전자 농도가 5 × 1019/㎤ 이하의 Ⅲ족 원소가 도프된 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제14항에 있어서,상기 n형 ZnO층을 형성하는 단계는, 산소 분위기에서 700∼1000℃ 온도로 n형 ZnO층을 형성하는 단계와, 질소 분위기에서 n형 ZnO층을 0
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제9항에 있어서,상기 활성층을 형성하는 단계는, 700∼1000℃ 온도에서 거의 산소만을 플라즈마 가스로 이용하여 언도프된 ZnO층을 형성하는 단계를 포함하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 Ⅴ족 원소는 N, P, As 및 Sb로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 원소인 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 p형 ZnO층을 형성하는 단계는,Ⅴ족 원소가 첨가된 ZnO 타겟을 아르곤과 산소의 혼합가스를 플라즈마 가스로 사용하여 스퍼터링함으로써 상기 p형 ZnO층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 p형 ZnO층에 도프된 Ⅴ족 원소는 As이며, 상기 타겟은 As 원소가 1∼3
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제9항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 100∼300 Torr의 산소분압 하에서 750∼850 ℃의 온도에서 1∼10분간 실시되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제22항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 1∼10분간 실시되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 열처리하는 단계는, 급속 열처리(RTA)공정에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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제9항에 있어서,상기 각각의 ZnO층을 형성하는 단계는, MOCVD, MBE, PLD 및 스퍼터링로 구성된 그룹으로부터 선택된 공정에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 광전소자 제조방법
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