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양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014051357
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 양점점 구조를 가지는 반도체 소자 제조시, 낮은 양자점 성장온도에 의해서 생성된 결함을 유전층을 형성한 후 열처리를 실시하여 감소시키기 위한 양자점 구조를 가지는 반도체 소자를 제조하기 위한 발명에 관한 것으로써, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; d) 상기 양자점 상에 제 1 덮개층을 형성하는 단계; e) 상기 제 1 덮개층 상에 SiO2 유전막을 형성하는 단계; 및 f) 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법을 제공함으로써 광특성을 향상시킬 수 있다. 양자점, 유전막, 열처리, 결함, 감쇠시간(decay time)
Int. CL H01L 31/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01) H01L 21/02513(2013.01)
출원번호/일자 1020050002987 (2005.01.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0599357-0000 (2006.07.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20060712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.01.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최원준 대한민국 서울 강북구
2 송진동 대한민국 서울 성북구
3 이정일 대한민국 서울 강동구
4 신재철 대한민국 경기 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 주성민 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)
2 장수길 대한민국 서울특별시 종로구 사직로*길 **, 세양빌딩 (내자동) *층(김.장법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0017849-08
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2006-0018497-96
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2006.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0179096-60
5 의견서
Written Opinion		 2006.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2006-0275973-70
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2006.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0275937-36
7 등록결정서
Decision to grant		 2006.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0352631-57
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법에 있어서, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; d) 상기 양자점 상에 제 1 덮개층을 형성하는 단계; e) 상기 제 1 덮개층 상에 SiO2 유전막을 형성하는 단계; 및 f) 열처리를 실시하는 단계 를 포함하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반절연 GaAs 기판이고, 상기 버퍼층 및 제 1 덮개층은 GaAs으로 형성되는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 양자점은 InAs 또는 InGaAs으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 열처리는 퍼니스(furnace)에서 650℃ 내지 700℃의 온도에서 1 분 동안 실시되는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 c) 및 d) 단계를 반복 실시하여 다수의 층으로 형성하는 것을 특징으로하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 양자점은 원자층 성장 기법(Atomic Layer Epitaxy, ALE) 또는 S-K(Stranski-Krastanov) 성장법을 이용하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 SiO2 유전막은 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 SiO2 유전막은 N2에 5% 농도로 희석된 SiH4 (Dilute Silane)를 이용하고, 반응가스로는 99
9 9
제 8 항에 있어서,상기 PECVD법은 캐리어 가스로 N2 가스, 30 Watts의 고주파 파워(RF Power), 275℃의 온도 및 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 덮개층 상에 Al0
11 10
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 덮개층 상에 Al0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.