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SOI 기판의 박막 분리를 위한 표면기포 형성방법에 있어서,제 1기판의 일정 두께를 열산화하는 제 1단계와;상기 제 1기판의 열산화막 두께보다 더 깊은 일정 깊이로 수소 이온을 주입하는 제 2단계와;상기 이온 주입된 제 1기판을 제 2기판과 접합하는 제 3단계와;상기 접합된 제 1 및 제 2기판을 300 ~ 600℃ 범위에서 10 ~ 30분 동안 열처리함으로써 열처리 동안 결정의 재배열이 이루어져 미세균열에 의해 표면 기포가 형성된 이온주입 박막을 분리하는 제 4단계; 및상기 분리된 박막 표면을 연마하는 제 5단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 2단계의 이온 주입 조건은 수소의 주입량(dose)이 ions/cm2 이고, 주입 에너지가 90 ~ 100 keV 일 때 수소의 주입 깊이가 8000 ~ 9000Å인 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 2단계에서 이온 주입되는 제 1기판은 TCE, 아세톤, 메탄올의 순서로 초음파 세정되고 탈 이온수(18MΩ)로 세척되며, 질소 가스를 이용하여 기판 표면의 수분을 제거하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 4단계에서 열처리에 이용되는 RTA 챔버는 진공펌프에 의해 기본 압력이 200 mTorr가 되었을 때, 아르곤(Ar) 가스가 50 sccm 유입되고, 상기 유입된 아르곤(Ar) 가스에 의해 챔버의 압력이 1000 mTorr가 유지될 때 열처리를 진행하는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 4단계에서 열처리 시간이 20분으로 고정되었을 때 열처리 온도가 400℃, 500℃, 600℃로 증가함에 따라 표면 기포들이 형성된 후 성장하여 터진 다수의 분화구가 기판 표면에 남게 되는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1 또는 청구항 5에 있어서, 상기 제 4단계에서 열처리 온도가 400℃일 때 열처리 시간을 10분, 20분, 30분으로 증가함에 따라 표면 기포의 수와 표면 기포가 터져서 형성된 분화구의 수가 증가되는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 6에 있어서,상기 제 4단계에서 열처리 온도가 330 ~ 600℃로 증가함에 따라 표면 기포의 형성 시간이 급속하게 감소되는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 4단계에서 열처리 온도가 350℃이고, 열처리 시간이 20 ~ 30분일 때 표면 기포의 직경 및 높이와 표면 거칠기가 원자현미경(AFM)에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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청구항 1에 있어서, 상기 제 4단계에서 열처리 온도가 350℃이고, 열처리 시간이 20 ~ 30분일 때 표면 기포의 직경 및 높이와 표면 거칠기가 원자현미경(AFM)에 의해 측정되는 것을 특징으로 하는 표면기포 형성방법
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