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FFM 소자 원천기술 개발

  • 기술번호 : KST2014051546
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전성 전계효과 트랜지스터에 있어서, 게이트전극의 누설전류를 차단하기 위한 방법으로서, P(S-r-MMA)(poly(styrene-random-methylmethacrylate))를 게이트전극과 강유전성 고분자 게이트절연체 사이에 삽입층으로 사용하는 것을 특징으로 한다. PVDF-TrFE, 트랜지스터, 전계효과, 강유전성 고분자, 게이트 누설전류, FeFET, P(S-r-MMA)
Int. CL H01L 29/78 (2006.01)
CPC H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01) H01L 27/11585(2013.01)
출원번호/일자 1020090099160 (2009.10.19)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1075620-0000 (2011.10.14)
공개번호/일자 10-2011-0042479 (2011.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20111021) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 장지연 대한민국 인천광역시 남구
3 류두열 대한민국 경기도 고양시 덕양구
4 신창학 대한민국 서울특별시 서초구
5 김은경 대한민국 서울특별시 용산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.19 수리 (Accepted) 1-1-2009-0637530-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005421-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0075890-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0101999-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0101998-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0470303-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트전극; 상기 게이트전극 상의 P(S-r-MMA)(poly(styrene-r-methylmethacrylate)) 박막; 상기 P(S-r-MMA) 상의 강유전성 고분자 게이트절연체; 상기 강유전성 고분자 게이트절연체 상의 반도체층; 및 상기 반도체층 상의 소스전극 및 드레인전극을 갖는 강유전성 전계효과 트랜지스터
2 2
제1항에서, 상기 강유전성 고분자 게이트절연체가 PVDF-TrFE(poly(vinylidene fluoride-co-trifluoroethylene)), PVDF(poly(vinylidene fluoride)), P(VDCN-alt-VAc)(poly(vinylidene cyanide-alt-vinylacetate)) 또는 Nylon 11 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터
3 3
제1항에서, 상기 반도체층이 유기반도체인 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터
4 4
제3항에서, 상기 유기반도체가 펜타센, TIPS-펜타센(Triisopropylsilylethynyl pentacene), P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 또는 MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])인 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터
5 5
삭제
6 6
게이트전극 상에 P(S-r-MMA) 용액을 스핀코팅 및 가열에 의한 경화를 통하여 박막형태의 삽입층을 제조하는 단계(I); 상기 P(S-r-MMA) 삽입층 위에 강유전성 고분자 용액을 스핀코팅하여 박막형태의 강유전성 고분자 게이트절연체를 제조하는 단계(II); 상기 강유전성 고분자 게이트절연체 상에 반도체층을 형성시키는 단계(III); 및 상기 반도체층 상에 소스전극 및 드레인전극을 형성시키는 단계(IV)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
7 7
제6항에서, 상기 단계(II)의 강유전성 고분자가 PVDF-TrFE, PVDF, P(VDCN-alt-VAc) 또는 Nylon 11 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
8 8
제7항에서, 상기 단계(II)의 강유전성 고분자가 PVDF-TrFE인 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
9 9
제8항에서, 상기 단계(II)에서 PVDF-TrFE 용액의 스핀코팅 후 열적 어닐링 과정을 더 거치는 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
10 10
제6항에서, 상기 단계(III)의 반도체층으로서 유기반도체를 사용하는 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
11 11
제10항에서, 상기 유기반도체가 펜타센, TIPS-펜타센(Triisopropylsilylethynyl pentacene), P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 또는 MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene])인 것을 특징으로 하는 강유전성 전계효과 트랜지스터의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 연세대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2006년 기술기반구축사업) 나노기술을 이용한 바이오 융합산업 혁신클러스터