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초소수성 표면의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014063191
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소수성 표면의 제조방법과 이에 의하여 제조된 소수성 표면체에 관한 것이다. 본 발명에 따르는 소수성 표면의 제조방법은, 웨이퍼 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계와; 마스크 패턴에 의하여 노출된 웨이퍼를 식각하여 제1돌기와, 제1돌기 사이에 제2돌기를 동시에 형성하는 단계; 및 제1돌기와 제2돌기 상에 소수성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 초수성 성질을 갖는 표면을 인공적으로 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/033(2013.01) H01L 21/033(2013.01) H01L 21/033(2013.01) H01L 21/033(2013.01)
출원번호/일자 1020070070284 (2007.07.12)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-0845744-0000 (2008.07.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080711) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.12)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광렬 대한민국 서울특별시 서초구
2 문명운 대한민국 서울 성북구
3 김태영 대한민국 경기 용인시 수지구
4 비아루치 잉그마르 독일 독일연방공화국, 브라운쉬바이그, 비엔로더 베그 *
5 크라우스 베빌로구아 독일 독일연방공화국, 브라운쉬바이그, 비엔로더 베그 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0509662-98
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0513435-80
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document		 2007.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0533856-56
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011945-11
6 등록결정서
Decision to grant		 2008.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0344175-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
웨이퍼 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계와;상기 마스크 패턴에 의하여 노출된 상기 웨이퍼를 식각하여 제1돌기와, 상기 제1돌기 사이에 제2돌기를 동시에 형성하는 단계; 및상기 제1돌기와 상기 제2돌기상에 소수성 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 제1돌기와 상기 제2돌기의 형성하는 단계는 CF4가스를 사용한 플라즈마 식각을 통하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
3 3
제2항에 있어서,상기 제1돌기와 상기 제2돌기의 형성하는 단계는 2Pa 내지 5Pa의 식각 압력 및 100W 내지 300W의 r
4 4
제1항에 있어서,상기 마스크 패턴을 형성하는 단계는,상기 웨이퍼 상에 스퍼터링을 통하여 금속박막을 증착하는 단계와;어닐링(annealing)을 통하여 상기 금속박막을 복수의 금속도트(metal dot)로 이루어진 상기 마스크 패턴으로 변환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 금속박막의 증착은 r
6 6
제4항에 있어서,상기 금속도트는 100nm 내지 500nm의 지름을 갖는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 소수성 박막은 PACVD 방법을 통하여 형성된 규소 및 산소함유 비정질 탄소(a-C:H:Si:O) 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
8 8
제7항에 있어서,상기 소수성 박막을 형성하는 단계는 아르곤 가스의 분율이 10% 내지 30%인 헥사메틸다이실록세인(hexamethyldisiloxane)과 아르곤(Ar)을 포함하는 혼합가스를 이용하여, 2Pa 내지 10Pa의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 초소수성 표면은 접촉각이 160도 이상이고, 접촉각 이력이 5도 이하인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면의 제조방법
10 10
웨이퍼 상에 형성된 복수의 제1돌기와;상기 제1돌기 사이영역에 형성되어 있으며, 상기 제1돌기보다 크기가 작은 복수의 제2돌기; 및상기 제1돌기와 상기 제2돌기를 덮도록 형성되어 있는 소수성 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
11 11
제10항에 있어서,상기 제1돌기 상에는 금속도트가 더 형성되어 있으며,상기 금속도트는 100nm 내지 500nm의 지름을 갖는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
12 12
제10항에 있어서,상기 제2돌기는 10nm 내지 200nm의 지름을 갖는 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
13 13
제10항에 있어서,상기 소수성 박막은 10nm 내지 1000nm의 두께를 갖는 규소 및 산소함유 비정질 탄소(a-C:H:Si:O) 박막인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
14 14
제10항에 있어서,상기 초소수성 표면체의 표면은 접촉각이 160도 이상이고, 접촉각 이력이 5도 이하인 것을 특징으로 하는 초소수성 표면체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.