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3차원 그래핀 패턴 형성방법

  • 기술번호 : KST2014066244
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 패턴 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 그래핀 패턴 형성방법은 기판의 상측에 금속층을 적층하는 금속층 적층단계; 상기 금속층은 내부로 함몰되는 함몰영역과 상기 함몰영역보다 외부로 돌출되는 돌출영역을 포함하도록 상기 금속층의 일부를 제거하는 금속층 제거단계; 상기 금속층의 외면에 이산화규소(SiO2) 또는 이산화티타늄(TiO2)인 산화층을 도포하는 산화층 도포단계; 상기 돌출영역의 상면에 적층된 산화층을 제거함으로써 상기 돌출영역을 외부에 노출시키는 돌출영역 노출단계; 화학기상증착법(CVD)를 이용하여 그래핀을 상기 돌출영역의 상면에 선택적으로 증착하는 그래핀 증착단계; 상기 남아있는 산화층을 제거하는 산화층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.이에 의하여, 작은 선폭을 가지는 패턴의 그래핀을 대면적에 증착할 수 있는 그래핀 패턴 형성방법이 제공된다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/205(2013.01) H01L 21/205(2013.01) H01L 21/205(2013.01) H01L 21/205(2013.01) H01L 21/205(2013.01)
출원번호/일자 1020100071510 (2010.07.23)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1332635-0000 (2013.11.19)
공개번호/일자 10-2012-0009323 (2012.02.01) 문서열기
공고번호/일자 (20131125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재관 대한민국 대전광역시 서구
2 정준호 대한민국 대전광역시 유성구
3 이지혜 대한민국 대전광역시 유성구
4 최준혁 대한민국 대전광역시 유성구
5 최대근 대한민국 대전광역시 유성구
6 김기돈 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0477609-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.09.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-2011-0080315-56
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0309379-44
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0607345-68
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0697273-12
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0697302-48
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0072723-01
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0275775-78
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0275747-00
13 등록결정서
Decision to grant
2013.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0603216-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상측에 금속층을 적층하는 금속층 적층단계;상기 금속층은 내부로 함몰되는 함몰영역과 상기 함몰영역보다 외부로 돌출되는 돌출영역을 포함하도록 상기 금속층의 일부를 제거하는 금속층 제거단계;상기 금속층의 외면에 이산화규소(SiO2) 또는 이산화티타늄(TiO2)인 산화층을 도포하는 산화층 도포단계;상기 돌출영역의 상면에 적층된 산화층을 제거함으로써 상기 돌출영역을 외부에 노출시키는 돌출영역 노출단계;화학기상증착법(CVD)를 이용하여 그래핀을 상기 돌출영역의 상면에 선택적으로 증착하는 그래핀 증착단계;상기 남아있는 산화층을 제거하는 산화층 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속층 제거단계는 리소그래피 또는 나노 임프린트 또는 식각공정에 의하는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 돌출영역 노출단계는 상기 산화층을 화학 기계적 평탄화(CMP:Chemical Mechanical Polishing)를 이용하여 평탄화시키는 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속층은 코발트(Co), 백금(Pt), 이리듐(Ir), 루테늄(Rb), 니켈(Ni), 구리(Cu) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 패턴 형성방법
5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국기계연구원 21C 프론티어 사업 나노임프린팅 공정기술개발