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디스플레이 소자 구동회로, 상기 디스플레이 소자 구동회로에 포함되는 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015002110
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 디스플레이 소자의 구동회로에 사용되는 인버터 및 이에 포함되는 로드 트랜지스터가 개시된다. 개시된 기판; 상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극/드레인 전극; 및 상기 소스 전극/드레인 전극 위에 위치하는 플로팅 전극;을 포함하되, 상기 게이트 전극과 상기 플로팅 전극은 동일 축 상에 위치한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01) H01L 21/56(2013.01)
출원번호/일자 1020120087914 (2012.08.10)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1373964-0000 (2014.03.06)
공개번호/일자 10-2014-0021790 (2014.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20140313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.10)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장진 대한민국 서울 동대문구
2 말로티 마티브웬가 대한민국 서울 동대문구
3 강동한 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최관락 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
2 송인호 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 ** (역삼동) 동림빌딩 *층(아이피즈국제특허법률사무소)
3 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0642565-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0051525-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0557342-06
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0925189-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-0925190-93
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0135965-88
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
디스플레이 소자의 구동회로에 사용되는 박막 트랜지스터에 있어서, 기판;상기 기판 위에 위치하는 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 위치하는 소스 전극/드레인 전극; 상기 소스 전극/드레인 전극의 위에 위치하는 보호층; 및 상기 보호층 위에 형성되는 수평 전극부 및 상기 보호층을 관통하여 상기 수평 전극부와 상기 소스 전극을 전기적으로 연결하는 수직 전극부로 구성된 연결 전극;을 포함하되, 상기 드레인 전극의 평면도 상의 형상은 환형상 또는 환형상에서 일부가 제거된 형상이고, 상기 소스 전극은 평면도 상에서 상기 환형상 또는 환형상에서 일부가 제거된 형상의 내부에 위치하고, 상기 소스 전극은 상기 연결 전극을 통해 상기 디스플레이 소자의 입력단과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 드레인 전극은 상기 디스플레이 소자를 구동하기 위한 전원단과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
3 3
제2항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트 전극과 상기 소스 전극/드레인 전극 사이에 위치하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막과 상기 소스 전극/드레인 전극 사이에 위치하는 산화물 반도체층; 상기 산화물 반도체층과 상기 소스 전극/드레인 전극 사이에 위치하는 에치 스토퍼;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
4 4
제3항에 있어서,상기 게이트 전극의 적어도 일부의 평면도 상의 형상 및 상기 산화물 반도체층의 평면도 상의 형상은 각각 원형상이고, 상기 에치 스토퍼의 형상은 환형상이고, 단면도 상에서 상기 에치 스토퍼의 일부는 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 위치하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
5 5
제3항에 있어서,상기 산화물 반도체층을 구성하는 물질은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 주석(Sn), 알리미늄(Al) 중 적어도 하나의 원소로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
6 6
제3항에 있어서,상기 연결 전극은 금속 또는 투명 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터를 포함하는 디스플레이 소자 구동회로
8 8
디스플레이 소자의 구동회로에 사용되는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 있어서, 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 위에 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 산화물 반도체층 위에 평면도 상의 형상이 환형상 또는 환형상에서 일부가 제거된 형상을 가지는 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 드레인 전극 위에 보호층을 형성하는 단계;평면도 상에서 상기 환형상 또는 환형상에서 일부가 제거된 형상의 내부 부분에 상기 보호층을 관통하는 컨택 홀을 형성하는 단계; 및상기 컨택 홀을 통해 소스 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 컨택 홀의 내부 및 상기 보호층의 위에 연결 전극을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 서울대학교 산학협력단 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(반도체) 고품위 plastic AMOLED 원천 기술 개발