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반도체 장치 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015004335
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치 및 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 관통 비아가 노출되도록 씨앗층을 증착한 후 폴리머 필름을 채워넣는 방식을 이용한 관통 비아가 형성된 반도체 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 관통 비아를 정확하고 정밀하게 채울 수 있고, 기판구성 물질과 증착 씨앗층간의 열팽창계수 차이를 완충할 수 있도록 하여 열충격에 대한 신뢰성을 향상 시킨 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01) H01L 21/76898(2013.01)
출원번호/일자 1020120096947 (2012.09.03)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1468641-0000 (2014.11.27)
공개번호/일자 10-2014-0030584 (2014.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20141203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.09.03)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종철 대한민국 경기 성남시 분당구
2 김준철 대한민국 경기 성남시 분당구
3 박세훈 대한민국 경기 용인시 수지구
4 육종민 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 다래 대한민국 서울 강남구 테헤란로 ***, **층(역삼동, 한독타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0707566-64
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0042750-93
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0542703-34
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0900484-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0900483-35
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.02.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0110044-23
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0263100-90
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.03.19 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0263101-35
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.03.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0262816-93
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0262817-38
13 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2014.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0066139-31
14 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2014.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0084509-43
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0366520-36
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0710458-82
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0710459-27
18 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0802719-20
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 관통비아를 형성하는 단계;상기 관통비아가 유지되도록 상기 관통비아의 측벽에 절연층을 형성하는 단계;상기 관통비아가 유지되도록 상기 절연층 상에 씨앗층을 형성하는 단계;상기 씨앗층이 형성된 관통비아를 감광성 절연필름으로 매립하는 단계; 및상기 감광성 절연필름이 매립된 상기 기판을 패터닝된 포토 마스크를 이용하여 노광시켜 상기 관통비아 상면에 선택적으로 상기 감광성 절연필름이 매립되도록 하는 단계;를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 매립하는 단계는,상기 씨앗층이 형성된 기판의 전면에 폴리머 필름을 놓는 단계; 및열과 압력을 이용하여 상기 폴리머 필름을 상기 관통비아에 매립하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제2항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판이고,상기 씨앗층을 형성하는 단계는 전해 구리 도금공정으로 상기 씨앗층을 형성하고,상기 폴리머 필름은 열팽창계수가 4 내지 16 ppm/℃인 소재로 이루어진 감광성 절연필름인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
관통비아가 형성된 기판;상기 관통비아의 측벽에 상기 관통비아가 노출되도록 형성된 절연층;상기 절연층 상에 상기 관통비아가 노출되도록 형성된 씨앗층; 및상기 씨앗층이 측벽에 형성된 관통비아를 채운 감광성 필름;을 포함하되,상기 감광성 필름은 포토마스크 공정에 의하여 상기 관통비아 상면에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 장치
7 7
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 (재)한국 전자기계융합기술원 산업융합원천 기술개발사업 300mm대응 대구경 다층구조의 복합패키지 공정 및 장비 기술 개발