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트랜지스터용 자외선 경화형 하이브리드 게이트 절연막 조성물 및 이로부터 제조된 트랜지스터용 게이트 절연막

  • 기술번호 : KST2015008410
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따라 유기-무기 하이브리머를 포함하는 자외선 경화형 절연막 조성물에 의해 제조된 게이트 절연막을 포함하는 OTFT가 제공된다. 졸-겔 공정에 의해 유도된 하이브리드 게이트 유전체는 온도-민감성 중합체성 기판 상에 사용되도록 충분히 낮은 온도에서 경화될 수 있는 한편, 우수한 전기적 특성을 유지할 수 있다. 가교결합제에 의해, 펜타센 기반의 OTFT 기기는 개선된 캐리어 이동도, 낮은 트레스홀드 전압, 낮은 서브-트레스홀드 스윙 및 높은 온/오프 전류비를 갖게 되므로, 본 발명에 따른 유기-무기 하이브리드 유전체는 OTFT 및 OFET 트랜지스터용 게이트 절연막의 소재로 유용하다.
Int. CL H01B 3/00 (2006.01) H01B 17/62 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/0516(2013.01) H01L 51/0516(2013.01) H01L 51/0516(2013.01)
출원번호/일자 1020120091818 (2012.08.22)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1386909-0000 (2014.04.14)
공개번호/일자 10-2014-0025749 (2014.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140418) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김홍두 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 왕유에단 중국 경기 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.08.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0674691-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0065475-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0586735-15
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0940613-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0940614-57
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0124282-55
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물로부터 형성된 유기-무기 하이브리머(hybrimer)의 가수분해물; 가교결합제; 및 유기용매를 포함하고,상기 화학식 1로 표시되는 화합물, 상기 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물 및 상기 가교결합제는 화학식 1로 표시되는 화합물의 금속 이온 1몰당, 1 내지 금속이온 최대 산화수 이내 몰의 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물 및 0
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삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 티타늄(IV) 메톡시드, 티타늄(IV) n-부톡시드, 티타늄(IV) t-부톡시드, 티타늄(IV) 에톡시드, 티타늄(IV) 이소-프로폭시드, 지르코늄(IV) n-부톡시드, 지르코늄(IV) t-부톡시드, 지르코늄(IV) 에톡시드, 지르코늄(IV) 이소-프로폭시드, 지르코늄(IV) n-프로폭시드, 알루미늄 에톡사이드, 알루미늄 이소-프로폭시드, 알루미늄 트리부톡시드, 알루미늄 sec-부톡시드, 알루미늄 t-부톡시드, 알루미늄 tri-sec-부톡시드, 주석(IV) t-부톡시드, 주석(IV) t-부톡시드, 하프늄(IV) n-부톡시드, 하프늄(IV) t-부톡시드, , 안티몬(III) 메톡시드, 안티몬(III) 에톡시드, 안티몬(III) 프로폭시드, 안티몬(III) 부톡시드, 탄탈(V) 메톡시드, 탄탈(V) 에톡시드, 탄탈(V) 부톡시드, 아연 메톡시드, 탈륨(I) 에톡시드, 바나듐(V) 옥시트리이소프로폭시드, 인듐(III) t-부톡시드, 이트륨(III) 부톡시드, 바륨 t-부톡시드, 란탄(III) 이소프로폭시드, 스칸듐(III) 이소프로폭시드 및 니오븀(V) 에톡시드로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 절연막 조성물
4 4
제1항에 있어서, 상기 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물이 메타크릴산, 아크릴산, 메틸 메타크릴레이트(methyl methacrylate), 메틸 아크릴레이트(methyl acrylate), 알릴 메타크릴레이트(allyl methacrylate), 알릴 아크릴레이트(allyl acrylate), 2-히드록시에틸 메타크릴레이트(2-hydroxyethyl methacrylate), 2-히드록시에틸 아크릴레이트(2-hydroxyethyl acrylate), 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate), 글리시딜 아크릴레이트(glycidyl acrylate), 비스페놀 A 디메타크릴레이트(bisphenol A dimethacrylate), 2-(디메틸아미노)에틸 메타크릴레이트[2-(dimethylamino)ethyl methacrylate], 2-(디메틸아미노)에틸 아크릴레이트[2-(dimethylamino)ethyl acrylate], 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트(ethylene glycol dimethacrylate), 에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(ethylene glycol diacrylate), 트리메틸올프로판 트리메타크릴레이트(trimethylolpropane trimethacrylate), 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트(trimethylolpropane triacrylate), n-부틸 메타크릴레이트(n-butyl methacrylate,), n-부틸아크릴레이트(n-butyl acrylate), 스테아릴 메타크릴레이트(stearyl methacrylate), 스테아릴 아크릴레이트(stearylacrylate), 1,6-헥산디올 디메타크릴레이트(1,6-hexanediol dimethacrylate), 1,6-헥산디올 디아크릴레이트(1,6-hexanediol diacrylate), 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트(pentaerythritol triacrylate), 2,2,2-트리플로오로에틸 메타크릴레이트(2,2,2-trifluoroethyl methacrylate), 2,2,2-트리플로오로에틸 아크릴레이트(2,2,2-trifluoroethyl acrylate), 2-시아노에틸 아크릴레이트(2-cyanoethyl acrylate), 디에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트(diethylene glycoldimethacrylate), 디에틸렌 글리콜 디아크릴레이트(diethylene glycol diacrylate), 2-브로모에틸 아크릴레이트(2-bromoethyl acrylate), D,L-메틸 메타크릴레이트(D,L-menthyl methacrylate), D,L-메틸 아크릴레이트(D,L-menthylacrylate), 1H,1H-퍼플루오로옥틸 메타크릴레이트(1H,1H-perfluorooctyl methacrylate), 1H,1H-퍼플루오로옥틸 아크릴레이트(1H,1H-perfluorooctyl acrylate), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로이소프로필 메타크릴레이트(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl methacrylate), 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로이소프로필 아크릴레이트(1,1,1,3,3,3-hexafluoroisopropyl acrylate), 1,4-시클로헥산디메틸 1,4-디메타크릴레이트(1,4-cyclohexanedimethyl 1,4-dimethacrylate), 1,4-시클로헥산디메틸 1,4-디아크릴레이트(1,4-cyclohexanedimethyl 1,4-diacrylate), 바륨 메타크릴레이트(barium methacrylate), 아연 메타크릴레이트(zinc methacrylate), 메탈릴 메타크릴레이트(methallylmethacrylate), 신나밀 메타크릴레이트(cinnamyl methacrylate), 신나밀 아크릴레이트(cinnamyl acrylate), 트리메틸실릴 메타크릴레이트(trimethylsilyl methacrylate), 트리메틸실릴 아크릴레이트(trimethylsilyl acrylate), 글리시딜 아크릴레이트(glycidyl acrylate) 및 글리시딜 메타크릴레이트(glycidyl methacrylate)로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 절연막 조성물
5 5
제1항에 있어서,상기 가교결합제가 에틸렌글리콜디메타아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트, 트리프로필렌 글리콜 디아크릴레이트, 에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 트리메틸렌 프로필 트리아크릴레이트, 프로폭시레이티드 글리세롤 트리아크릴레이트, 트리메틸로프로판 에톡시 트리아크릴레이트, 프로폭시레이티드 글리세로 트리아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타아크릴레이트 및 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 절연막 조성물
6 6
하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물로부터 형성된 유기-무기 하이브리머의 가수분해물이 가교결합된 가교결합물을 포함하고, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물과 상기 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물이 화학식 1로 표시되는 화합물의 금속 이온 1몰당, 1 내지 금속이온 최대 산화수 이내 몰의 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물의 양으로 포함되는 것을 특징으로 하는 절연막:[화학식 1] M(R1)x(-O-R2)y(R3)n-x-y여기서,M은 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 주석, 하프늄, 안티몬, 탄탈, 아연, 탈륨, 바나듐, 인듐, 이트륨, 바륨, 란탄, 스칸듐 및 니오븀으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속원소이고, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아세틸아세토네이트기이고, R3는 =O 이고, n은 M의 산화 상태에 따라 정해지는 1 이상의 정수이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 이상이고 n 이하의 정수이다
7 7
트랜지스터용 게이트 절연막의 제조방법에 있어서,(S1) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 (메타)아크릴레이트기를 제공하는 화합물을 유기 용매에 첨가하여 유기-무기 하이브리머(hybrimer)를 수득하는 단계;(S2) 상기 유기-무기 하이브리머를 가수분해하는 단계;(S3) 가수분해된 유기-무기 하이브리머를 포함하는 용액에 가교결합제를 첨가하여서 코팅 용액을 수득하는 단계;(S4) 상기 코팅 용액을 유기박막 트랜지스터용 기판에 도포하여 코팅층을 형성하는 단계; 및 (S5) 상기 코팅층으로부터 유기 용매를 건조시킨 후에 200 내지 400 nm 파장의 자외선을 500 내지 1000 초동안 조사하여 자외선 경화하여 게이트 절연막을 형성하는 단계를 포함하는 트랜지스터용 게이트 절연막의 제조방법:[화학식 1] M(R1)x(-O-R2)y(R3)n-x-y여기서,M은 티타늄, 지르코늄, 알루미늄, 주석, 하프늄, 안티몬, 탄탈, 아연, 탈륨, 바나듐, 인듐, 이트륨, 바륨, 란탄, 스칸듐 및 니오븀으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속원소이고,R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 아세틸아세토네이트기이고, R3는 =O 이고, n은 M의 산화 상태에 따라 정해지는 1 이상의 정수이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 이상이고 n 이하의 정수이다
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1 지식경제부 경희대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 프린팅 공정에 의한 디스플레이 배선 형성 재료 기술 개발