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유기 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 회로 장치

  • 기술번호 : KST2015008415
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 용액 공정을 이용하여 쉐도우 마스크 등을 이용한 패터닝 공정을 사용하지 않으면서 간단하게 문턱 전압이 조절된 유기 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 회로 장치가 제공된다. 본 발명에 따른 회로 장치는, 게이트 전극을 덮는 게이트 절연층 상에 소스 및 드레인 전극이 형성되고, 그 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연층과 유기 반도체층 사이에 문턱 전압을 조절하기 위해 폴리비닐페놀로 형성된 폴리머층을 포함하는 제 1 유기 박막 트랜지스터; 및 게이트 전극을 덮는 게이트 절연층 상에 소스 및 드레인 전극이 형성되고, 그 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연층과 유기 반도체층 사이에 문턱 전압을 조절하기 위해 폴리스티렌으로 형성된 폴리머층을 포함하는 제 2 유기 박막 트랜지스터;를 포함하고, 상기 제 1 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제 2 유기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 연결되거나, 상기 제 1 유기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 2 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극이 연결된다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/05 (2006.01)
CPC H01L 27/283(2013.01) H01L 27/283(2013.01) H01L 27/283(2013.01) H01L 27/283(2013.01)
출원번호/일자 1020120073499 (2012.07.05)
출원인 경희대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1388124-0000 (2014.04.16)
공개번호/일자 10-2014-0005637 (2014.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20140423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.05)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 대한민국 경기도 용인시 기흥구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장 진 대한민국 서울특별시 서초구
2 김성훈 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 경희대학교 산학협력단 경기도 용인시 기흥구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0539918-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0070307-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0676572-03
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.12.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1102200-60
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.12.02 수리 (Accepted) 1-1-2013-1102196-64
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0251959-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.09 수리 (Accepted) 4-1-2015-5029677-09
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164254-26
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트 전극을 덮는 게이트 절연층 상에 소스 및 드레인 전극이 형성되고, 그 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연층과 유기 반도체층 사이에 문턱 전압을 조절하기 위한 제 1 폴리머층을 포함하는 제 1 유기 박막 트랜지스터; 및게이트 전극을 덮는 게이트 절연층 상에 소스 및 드레인 전극이 형성되고, 그 소스 및 드레인 전극이 형성된 게이트 절연층과 유기 반도체층 사이에 문턱 전압을 조절하기 위한 제 2 폴리머층을 포함하는 제 2 유기 박막 트랜지스터;를 포함하고,상기 제 1 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극과 상기 제 2 유기 박막 트랜지스터의 드레인 전극이 연결되거나, 상기 제 1 유기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 상기 제 2 유기 박막 트랜지스터의 소스 전극이 연결되며,상기 제 1 폴리머층은, 폴리비닐페놀이고,상기 제 2 폴리머층은, 폴리스티렌이며,상기 제 1 유기 박막 트랜지스터는, 게이트 절연층에 독립적으로, 상기 폴리비닐페놀의 수산기(hydroxyl group : - OH)에 의해 유기 반도체층과 폴리머층의 계면 사이의 전하 밀도(charge density)에 변화가 발생하여 문턱 전압이 변하는 것을 특징으로 하는 회로 장치
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 유기 박막 트랜지스터는, 공핍 모드(depletion mode)이고,상기 제 2 유기 박막 트랜지스터는, 증가 모드(enhancement mode)인 것을 특징으로 하는 회로 장치
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 제 1, 2 유기 박막 트랜지스터 각각은,상기 제 1, 2 폴리머층과 유기 반도체층의 계면 사이의 전하 밀도(charge density)에 변화가 발생하여 문턱 전압이 변하는 것을 특징으로 하는 회로 장치
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 1, 2 유기 박막 트랜지스터의 유기반도체층은 펜타센(pentacene)으로 이루어인 것을 특징으로 하는 회로 장치
5 5
제 3 항에 있어서,상기 제 1, 2 유기 박막 트랜지스터의 제 1, 2 폴리머층은, 용액 공정으로 프린팅되는 것을 특징으로 하는 회로 장치
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
유기 박막 트랜지스터에 있어서,기판;상기 기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 형성된 게이트 절연층;상기 게이트 절연층 상에 형성된 소스 및 드레인 전극;상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 상기 게이트 절연층 상에 형성되어 문턱 전압을 조절하는 폴리머층; 및상기 폴리머층 상에 형성된 유기 반도체층;을 포함하고,상기 폴리머층은, 폴리비닐페놀(polyvinylphenol) 또는 폴리스티렌(polystyrene) 중 어느 하나로 형성되며,상기 폴리머층이 폴리비닐페놀(polyvinylphenol)로 형성된 경우,상기 게이트 절연층에 독립적으로, 상기 폴리비닐페놀의 수산기(hydroxyl group : - OH)에 의해 상기 유기 반도체층과 상기 폴리머층의 계면 사이의 전하 밀도(charge density)에 변화가 발생하여 문턱 전압이 변하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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삭제
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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